SU1292457A1 - Устройство дл испытани полупроводниковых приборов при криогенных температурах - Google Patents

Abstract

Изобретение отноеттс  к конт- 1 оль80 йзмерительнЫ1 технике. Цель изобретени  - стабилизаци  температурного режима испытуемого полупроводникового прибора (П). Электроды исштуемого П 7 через отверсти  6 сосуда 4 размещаютс  в пазах кон- Ti KTHoft колодки на-панели измеритель- вой устаиовки Ь. 1фиоге1(на  жидкость (Ж), залита  в сосуд 4, вызывает затвердение его стенок. прои Ьходит обжатие электродов П 7 и, тек самлм, самогерметизаци  всего сосуда 4. После окончани  бурного испарени  Ж сосуд 4 закрывают крыш- кой 5 и провод т испытани  П 7. По окончаний испытаний Ж испар етс  из измерительна камеры 2. Выполне1«е измерительвой камеры.. 2 из зластич- ного материала с толщиной стеной , 3d $ D i 5d (где D - толщина стенок измерительной камеры, d - диаметр электродов П Д позвол ет стабилизировать температурный режим П 7 на уровне температуры кип щей Ж. Отсутствие удлиненшлх соединительных проводников устран ет услови  возникновени  автогенерации в измерительной системе. I ил. (Л ьо со s 4 СП м

Description

Изобретение относитс  к контроль- но -измерительной техинке и направле но на Испытание папупроводниковых приборов при криогенных температурах .

Целью изобретени   вл етс  стабилизаци  температурного режима испытуемого полупроводникового прибора.

На чертеже представлено схематическое изображение устройства дл  испытани  полупроводниковых приборов при криогенных температурах.

Устройство содержит измерительную установку 1 и измерительную камеру 2, закрепленную на столике 3, Измерительна  камера 2 состоит из сосуда 4 дл  криогенной жидкости и крьпп- ки 5, причем в дне сосуда 4 имеютс  отверсти  6 под электроды испытуемо- го полупроводникового прибора 7,

Устройство дл  испытани  полупро- водниковых приборов при криогенных температурах работает следующим образом , В отверсти  6 эластичного дна сосуда 4 вставл ютс  электроды испытуе мого полупроводникового прибора 7 так, чтобы сам прибсф находилс  внутри сосуда 4, а его электроды обжимали сь эластичным дном сосуда 4. Измерительную камеру 2 устанавливают в отверстие столика 3, При этом борта сосуда 4 в форме фпанца, упира сь в верхнюю поверхность столика 3, .фиксируют измерительную камеру 2 в вертикальном положении, а столик располагают на такой высоте, чтобы концы электродов испытуемого попу1Ч о- водникового прибора вошли в пазы контактной колодки на панели измери тельной установки 1. Затем в сосуд 4 заливают криогенную жидкость, например жидкий азот. При этом эластичное дно и стенки, сосуда 4 при охлаждении начинают затвердевать. Происходит обжатие электродов испытуемого полупроводникового прибора и тем cahftiM самогерметизации всего сосуда 4. При достаточном охлаждении сосуда бурное испарение криогенной жидкости прекращаетс . Заполненный сосуд 4 накрывают крышкой 5 и провод т испытани  полупроводникового прибора при помощи измерительной установ

ки 1, После окончани  испытаний криогенна  жидкость испар етс  из измерительной камеры 2, Сосуд 4, нагрева сь , приобретает прежнее свойство эластичности, и испытуемый полупроводниковый прибор свободно вынимаетс  из измерительной камеры 2.

Сосуд 4 изготавливаетс  из эластичного материала, например резины с толщиной стенок 3-/5 мм. При толщине стенок менее 3 мм ухудшаетс  качество обжати  электродов испытуемого прибора, а толщина более 5 мм приводит к затрате большего количества криогенной жидкости на охлаждение сосуда.

Использу  измерительную камеру из эластичного материала, самогерметизируемого при охлаждении, удалось стабилизировать температурный ре- ;жим испытуемого полупроводникового прибора на уровне температуры кип щей криогенной жидкости. Отсутствие удлиненных сэединительных проводников между испытуемым прибором и измерительной установкой устран ет . УСЛОВИЯ возникйовени  автогенерации в измерительной системе

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Устройство дл  испытани  полупро- водниковых приборов при криогенных

   температурах, содержащее измеритель- ную камеру, одна стенка которой

   расположена параллельно панели измерительной установки,, отличаю- щ е е с   тем, что, с целью стабилизации температурного режима, иэ- мерительна  камера выполнена из эластичного материала, а в ее стенке , расположенной параллельно панели измерительной установки, выполнены отверсти  под электроды испытуемого полупроводникового прибора, при- этом толщина стенок измерительной камеры выбираетс  из следующих условий:

   3d 1 D 4 5d,

   где D - толщина стенки измерительной

   камеры;

   d - диаметр электрода испытуемого полупроводникового прибора .

   Редактор О.Стенина

   Составитель С.Фоменко

   Техред Л. ОлейникКорректор О.Лугова 

   Заказ 3381 Тираж 772Подписное

   ,ВНИИПИ Государстве ного icoMHTeta СССР

   по делам нэобрете1в1й-и открытий

   П3035, Москва Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5

   Проиэводственно-папигра4 1ческое предпри тие, г, Ужгород, ул. Проектна , 4