SU1289661A1 - Apparatus for producing spherical metallographic specimen - Google Patents
Apparatus for producing spherical metallographic specimen Download PDFInfo
- Publication number
- SU1289661A1 SU1289661A1 SU853956571A SU3956571A SU1289661A1 SU 1289661 A1 SU1289661 A1 SU 1289661A1 SU 853956571 A SU853956571 A SU 853956571A SU 3956571 A SU3956571 A SU 3956571A SU 1289661 A1 SU1289661 A1 SU 1289661A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- sample
- grinder
- slider
- rotation
- holder
- Prior art date
Links
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
Изобретение касаетс абразивной обработки материалов и может быть использовано в электронной промышленности при контроле электрофизических параметров полупроводниковых структур. Цель изобретени - повышение производительности и качества обработки. Устройство содержит закрепленные на массивном основании 1 электродвигатель 2, шпиндель 3 в двух радиально-упорных подшипниках 4 и предмет1-п,ш столик 5 (ЦС). Шаровой шлифовальник 6 размещен на торцовой части шпиндел 3, выполненной в виде воронки 7. ПС 5 состоит из ползуна 8, фиксатора 9 положени ползуна, держател (Д) 10 образца с вакуумной присоской 1I, механизма прижима образца к шлифовальнику 6 в виде электромагнитной катушки с электромеханическим реле и рычагом, фиксирующим исходное положение держател 10. Д 10 св зан с кронштейном 15 (К) через шарнир 17. К 15 соеди- иен с ползуном 8 через шарнир и содержит фиксатор заданного угла поворота . 2 ил. & ел 7г 0 JS 2 8 го оо со О)The invention relates to the abrasive processing of materials and can be used in the electronics industry when monitoring the electrical parameters of semiconductor structures. The purpose of the invention is to increase the productivity and quality of processing. The device contains fixed on the massive base 1 electric motor 2, spindle 3 in two angular contact bearings 4 and item 1-n, w table 5 (CA). The ball grinder 6 is placed on the end of the spindle 3, made in the form of a funnel 7. PS 5 consists of a slide 8, a lock 9 position of the slide, a holder (D) 10 of the sample with a vacuum sucker 1I, a mechanism for pressing the sample to the grinder 6 in the form of an electromagnetic coil an electromechanical relay and a lever fixing the initial position of the holder 10. D 10 is connected to the bracket 15 (K) via the hinge 17. The K 15 is connected to the slider 8 through the hinge and contains a lock of the specified angle of rotation. 2 Il. & Ate 7g 0 JS 2 8 th oo with O)
Description
11281128
Изобретение относитс к абразивной обработке материалов и может быть использовано в электронной промышленности при контроле электрофизических параметров полупроводнико- вых структур.The invention relates to the abrasive processing of materials and can be used in the electronics industry in controlling the electrophysical parameters of semiconductor structures.
Цель изобретени - повьшение производительности и качества обра- , ботки за счет смещени места прижима образца к шлифовальнику в соседние его зоны .The purpose of the invention is to increase the productivity and quality of processing by shifting the place of pressing the sample to the grinder in its adjacent zones.
На фиг.1 схематически изображено предложенное устройство, обпщй вид; на фиг.2 - то же, вид сверху.In Fig.1 schematically shows the proposed device, general view; figure 2 is the same, top view.
Устройство содержит закрепленные на массивном основании I электродвигатель 2, шпиндель 3 в двух радиапь- но-упорных подшипниках 4 и предметный столик 5. Шаровой шлифовальник 6 размещен на торцовой части -шпинде- л 3, в.ыполненного в виде воронки 7. Предметный столик 5 состоит из ползуна 8, фиксатора 9 положени ползуна, держател 10 образца с вакуумной присоской 11, механизм прижима образца к шлифовальнику 6 в ви,це электромаг, нитной катушки 12 и электромеханическое реле 13 с рычагом 14, фиксирующим исходное положение держател 10, Держатель 10 св зан с кронштейном 15 через шарнир 6. Кронштейн 15 соединен с ползуном 8 через шарнир 17 и содержит фиксатор 18 заданного угла поворота. На панели 19 устройства расположены тумблер включени напр жени сети, ручки регулировки длительности шлифовани и скорости вра- ш;ени шара, кнопки включени вращени шара и резкима шлифовани , сигнальные лампы включени сети и режи ма шпифовани (не показаны).The device contains a motor 2 fixed on a massive base I, a spindle 3 in two radio-thrust bearings 4 and an object table 5. The ball grinder 6 is placed on the face part of a spindle-3, w. Made in the form of a funnel 7. Object stage 5 It consists of a slider 8, a latch 9, a position of the slider, a sample holder 10 with a vacuum suction cup 11, a sample pressing mechanism to a grinder 6 in view, an electromagnet, a thread coil 12 and an electromechanical relay 13 with a lever 14 fixing the initial position of the holder 10, Holder 10 st behind n with the bracket 15 through the hinge 6. The bracket 15 is connected to the slider 8 through the hinge 17 and contains the latch 18 of a given angle of rotation. On the device panel 19, there is a switch for turning on the grid voltage, adjusting the grinding time and the speed of rotation of the ball, the buttons for turning the ball and grinding the grinding, warning lights for the network and the cryptographic mode (not shown).
Устройство работает следующим об разом.The device works as follows.
Перед обработкой партии образцов, поворачива кротштейн 15 в шарнире 17, обеспечивают угол поворота плоскости образца относительно направле ни движени ползуна 8, величина которого соответствует требуемой степе ни смещени места шлифовани по высоте шлифовальника после перемещени ползуна 8 дл изготовлени очередного шлифа, и закрепл ют фиксатором 18. Устанавливают шлифовалььшк 6 на во- ронку 7 и включают его вращение. Образец располагают на вакуумной присоске 1i, включают вакуум и поворотом в шарнире 16 держатель 10 приBefore processing a batch of samples, turning the crochet stitch 15 in the hinge 17, provide the angle of rotation of the sample plane relative to the direction of movement of the slide 8, the value of which corresponds to the required degree of displacement of the grinding point along the height of the grinder after moving the slide 8 for making the next cut, and secured with a clamp 18 . Install the sanding 6 on the funnel 7 and turn it on. The sample is placed on a vacuum suction device 1i, the vacuum is turned on and the holder 10 is turned by a swivel 16 at
, ,
.- .-
2525
966966
5five
0 0
- -
45 50 55 3045 50 55 30
3535
4040
22
вод т в соприкосновение с рычагом 14. при этом плоскость образца фиксируют на рассто нии 0,5-2 мм от шлифовальника 6 за счет силы электромагнитной катушки 12,water in contact with the lever 14. while the sample plane is fixed at a distance of 0.5-2 mm from the grinder 6 due to the force of the electromagnetic coil 12,
На шлифовальник 6 тампоном нанос т алмазной пасты, перекрыва все ходы шлифовани по высоте шлифовальника 6, Чистым тампоном убирают лишние пасту и св зующую жидкость, чем создают тонкий, однородный слой абраз)ива на поверхности шлифовальника 6 (така технологи нанесени абразива по сравнению с капельным методом обеспечивает более высокие скорости шлифовани и качество шлифа при измерении топких структур с использованием шара большого диаметра ) , Нажав кнопку, включают режим шлифовани , при этом срабатывает реле 13, рычаг 4 освобождает держатель 10, и образец электромагнитной катушкой 12 прижимаетс к шлифовальнику 6,A diamond paste is applied to the grinder 6 with a tampon, blocking all the grinding strokes along the height of the grinder 6, Remove the excess paste and binder liquid with a clean swab, which creates a thin, uniform abrasive layer) willow on the grinder 6 (such as abrasive technology compared to the drop method provides higher grinding speeds and quality of grinding when measuring fake structures using a large diameter ball). Pressing the button switches on grinding mode, relay 13 triggers, lever 4 releases The holder 10, and the sample electromagnetic coil 12 is pressed against the grinder 6,
Силу прижи ма регулируют силой тока в катушке 12. По окончании заданного време ш шлифовани срабатывает реле 13 и рычаг 14 отклон ет держатель 10 вместе с присоской 11 и образцом от шлифовальника 6 в исходное положение. Фиксаци образца в исходном положении, автоматический прижим его к: шлифовальнику и отклонение после обработки в зазоре от 0,5 до :2 мм снижают веро гность раска.тплва- ,ни образцов, образовани микротре- дщн к деформировани шлифовальника 6, что дополнительно тювьшшет производительность и качество обработкиThe pressing force is controlled by the current in the coil 12. When the grinding time is set, the relay 13 is activated and the lever 14 deflects the holder 10 together with the suction cup 11 and the sample from the grinder 6 to the initial position. Fixing the specimen in the initial position, automatically pressing it to the: grinder and deviation after processing in the gap from 0.5 to: 2 mm reduces the probability of dissolving, nor the specimens forming microtree to deform the grinder 6, which additionally results and processing quality
Рассто ние образца от шлифоваль- ника менее 0,5 мм недопз. стимо из-за веро тности преждевременного подшли-- фовани образца вследствие люфта ходовых частей устройства и попадани на образец абразива. Рассто ние более 2 мм нерахщонально, так как в этих услови х скорость вращени держател 10 после его освобождени ргл- чагом 14 успевает достигнуть таких величин, при которых существенпо повышаетс веро тность растрескивани образца при его соприкосновении с шлифовальщиком 6,The specimen distance from the grinder is less than 0.5 mm. This is due to the likelihood of premature approach of the sample due to the play of the chassis of the device and contact with the abrasive sample. The distance of more than 2 mm is nonrachonic, since under these conditions the rotational speed of the holder 10 after its release by the clamp 14 manages to reach such values at which the probability of cracking of the sample increases when it comes in contact with the polisher 6,
Освободив фиксатор 9 с. Г1омо цью ползуна 8, перемешают держатель 10 дл изготовлени очередного шлифа на образец в точке, соответствующей требовани м технических условий.Loosen the lock 9 sec. The rim of the slider 8 will mix the holder 10 to make the next cut on the sample at a point that meets the requirements of the technical conditions.
312312
закрепл ют ползун 8 фиксатором 9 и включают режим шлифовани . Операцию повтор ют до изготовлени требуемого количества шлифов, например п ти, в заданных точках. При очередном перемещении ползуна 8 вследствие специально созданного и зафиксированного поворота плоскости образца от направлени этого перемещени (поворотом кронштейна 15 в шарнире 17) место прижима образца к шлифовальнику 6 смещаетс по оси вращени последнего в зону с неотработанным абразив бм.fix the slider 8 with retainer 9 and turn on the grinding mode. The operation is repeated until the required number of thin sections is made, for example, five, at predetermined points. At the next movement of the slide 8, due to the specially created and fixed rotation of the sample plane from the direction of this movement (by turning the bracket 15 in the hinge 17), the place of pressing the sample to the grinder 6 is shifted along the axis of rotation of the latter to the area with the unused abrasive BM.
. .
Оптимальным вариантом исполнени устройства вл етс использование шлифовальника диаметром 150 мм дл изготовлени на одном образце 3-5 сферических шлифов при контроле элек трофизических параметров тонких и сверхтонких полупроводниковых пленок с повьшенной точностью и производительностью . Например, при скорости вращени шлифовальника 900 об/мин, применении пасты типа АСМ врем шлифовани кремниевых структур на глубину 5 мкм не превьш1ает 15с,The optimal variant of the device is the use of a 150 mm diameter grinding machine for producing 3-5 spherical thin sections on one sample while monitoring the electrophysical parameters of thin and ultrathin semiconductor films with increased accuracy and productivity. For example, with a rotation speed of a grinder of 900 rpm, using an AFM paste, the grinding time of silicon structures to a depth of 5 µm does not exceed 15 s,
При этом угол поворота образца крогаптейном 15 регулируют таким образом , чтобы кра соседних отработанных зон шлифовани на шлифовальнике отсто ли друг от друга на рассто нии 50 - 100% их ширины.In this case, the angle of rotation of the sample by the crogapteine 15 is adjusted so that the edges of the adjacent spent grinding zones on the grinder are 50 to 100% of their width from each other.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853956571A SU1289661A1 (en) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | Apparatus for producing spherical metallographic specimen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853956571A SU1289661A1 (en) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | Apparatus for producing spherical metallographic specimen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1289661A1 true SU1289661A1 (en) | 1987-02-15 |
Family
ID=21198456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853956571A SU1289661A1 (en) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | Apparatus for producing spherical metallographic specimen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1289661A1 (en) |
-
1985
- 1985-09-26 SU SU853956571A patent/SU1289661A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 870078, кл. В 24 Б 11/00, 1979. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5643067A (en) | Dressing apparatus and method | |
US7198551B2 (en) | Substrate polishing apparatus | |
US4663890A (en) | Method for machining workpieces of brittle hard material into wafers | |
US7229338B2 (en) | Apparatuses and methods for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies | |
EP0039209A1 (en) | Machine for grinding thin plates such as semiconductor wafers | |
KR20040047820A (en) | Chemical mechanical polishing tool, apparatus and method | |
EP1121222A1 (en) | Oscillating orbital polisher and method | |
US5032238A (en) | Method of and apparatus for electropolishing and grinding | |
US6121147A (en) | Apparatus and method of detecting a polishing endpoint layer of a semiconductor wafer which includes a metallic reporting substance | |
JP2003151935A (en) | Polishing pad conditioner of chemical mechanical polisher, and method of conditioning polishing pad | |
US5811355A (en) | Enhanced chemical-mechanical polishing (E-CMP) method of forming a planar surface on a thin film magnetic head to avoid pole recession | |
SU1289661A1 (en) | Apparatus for producing spherical metallographic specimen | |
US20020132561A1 (en) | Low amplitude, high speed polisher and method | |
JP2000317787A (en) | Work edge polishing device | |
JP3801780B2 (en) | Truing tool and wafer chamfering device with truing tool | |
EP1745888A1 (en) | Linearly advancing polishing method and apparatus | |
JP4032268B2 (en) | Wafer planar processing equipment | |
JPH01268032A (en) | Method and apparatus for wafer polishing | |
JP2613081B2 (en) | Mirror polishing method for wafer periphery | |
SU870078A1 (en) | Apparatus for producing spheric microsection metallographic specimen | |
JPH1170449A (en) | Chamfer face polishing device for semiconductor wafer | |
CN210160940U (en) | Chemical mechanical polishing equipment | |
US3768211A (en) | Apparatus for profiling bonding needles | |
US6659847B2 (en) | Method of cleaning a probe card | |
JP3912296B2 (en) | Polishing apparatus and polishing method |