SU1279447A1 - Ion source - Google Patents
Ion source Download PDFInfo
- Publication number
- SU1279447A1 SU1279447A1 SU853878880A SU3878880A SU1279447A1 SU 1279447 A1 SU1279447 A1 SU 1279447A1 SU 853878880 A SU853878880 A SU 853878880A SU 3878880 A SU3878880 A SU 3878880A SU 1279447 A1 SU1279447 A1 SU 1279447A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- electrode
- discharge chamber
- working substance
- sprayed
- collector
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к ускорительной технике. Цель изобретени повьшение надежности и уменьшение габаритов источника ионов. По мере расходовани распыл емого электрода (Э) 2, содержащего рабочее вещество, увеличиваетс положительный потенциал на сборнике 4. В скрещенных магнитном поле В и электрическом поле Е, образующемс в системе сборник 4-разр дна камера 3, происходит дрейф плазмы ч сторону Э 2 со скоростью V .р Е + + B/Bj. Выполнение сборника 4 изолированным , размещение его вдоль противоположной металлической накладки 5, а также расположение Э 2, сборника 4 рабочего вещества и металлической накладки 5 в проекции разр дной камеры 3 на N полюс по часовой стрелке исключает расплавление Э 2, т.е. последний при сборке устанавливаетс на границе пучка первичных электронов. Исi (Л точник позвол ет осуществить продолжительную работу в режиме, обеспечивающем стабильный пучок ускоренных многоразр дных ионов твердых веществ. 2 ил. N3 vl СО 4 4 This invention relates to accelerator technology. The purpose of the invention is to increase the reliability and reduce the size of the ion source. As the sprayed electrode (E) 2 containing the working substance is consumed, the positive potential on collector 4 increases. In a crossed magnetic field B and an electric field E formed in the system a collector 4-bit chamber 3, plasma drift occurs on the E side with speed V. р Е + + B / Bj. The execution of the collection 4 is isolated, its placement along the opposite metal lining 5, as well as the location of the E 2, the collection 4 of the working substance and the metal lining 5 in the projection of the discharge chamber 3 on the N pole in a clockwise direction eliminates the melting of the E 2, i.e. the latter, when assembled, is installed at the boundary of the primary electron beam. Isi (L-point allows continuous operation in a mode that provides a stable beam of accelerated multidischarge solid ions. 2 Il. N3 vl CO 4 4
Description
1one
Изобретение относитс к ускорительной технике, а именно к ионным источникам циклотронов, ускор ющих многозар дные ионы.The invention relates to accelerator technology, namely to ion sources of cyclotrons accelerating multi-charge ions.
Поэтому источник снабжен дистанционным механизмом перемещени распыл емого электрода.Therefore, the source is provided with a remote mechanism for moving the sputtered electrode.
Целью изобретени вл етс повышение надежности и уменьшение габаритов источника ионов.The aim of the invention is to increase the reliability and reduce the size of the ion source.
На фиг.1 изображен источник ионов, сечение в медианной плоскости электромагнита; на фиг.2 - то же, вертикальный разрез.Figure 1 shows the ion source, the cross section in the median plane of the electromagnet; figure 2 is the same vertical section.
На держателе 1 закреплен распыл емый электрод 2, которьй введен в разр дную камеру 3. В разр дной камере 3 установлен изолированный сборник 4A sputtered electrode 2 is fixed on the holder 1, which is inserted into the discharge chamber 3. An insulated collector 4 is installed in the discharge chamber 3
рабочего вещества, к которому подклю- 20 и распьш емого электрода позвол ет чен положительный полюс регулируемого сконструировать компактный источникthe working substance to which the connected-20 and spreadable electrode allows the positive pole of an adjustable to construct a compact source
выпр мител (на чертеже не показан). На боковой поверхности разр дной камеры 3 закреплена металлическа накладка 5 со щелью. rectifier (not shown). On the side surface of the discharge chamber 3 there is fixed a metal lining 5 with a slit.
Извлекающий электрод 6 установлен напротив щели. Катод 7 и антикатод 8 расположены соосно с разр дной камерой 3 и параллельно оси 9 электромагнита (на чертеже не показан). Векторы магнитного пол В и электрическогоRemoving the electrode 6 is installed opposite the gap. The cathode 7 and anticathode 8 are located coaxially with the discharge chamber 3 and parallel to the axis 9 of the electromagnet (not shown). Vectors of the magnetic field and electric
пол Е задают направление скорости дрейфа плазмы V.the floor E sets the direction of the plasma drift velocity V.
Работа устройства происходит следующим образом.The operation of the device is as follows.
По мере расходовани распыл емого электрода 2, содержащего рабочее вещество , увеличивают положительный потенциал на сборнике 4. В скрещенных Mai HHTHOM поле В и электрическом поле Е, образ тощемс в системе сборник 4 - разр дна камера 3, происходит дрейф плазмы з сторону распыл емого электрода 2 со С к о рос т ью ВAs the sprayed electrode 2 containing the working substance is consumed, the positive potential on collector 4 increases. In the crossed Mai HHTHOM field B and the electric field E formed in the system collector 4 - discharge chamber 3, the plasma drift to the side of the sprayed electrode 2 co rc h
V 5-2 цгV 5-2 kg
На фиг.1 схематически показаны тра- eK iiijijiH liOHOB, бомбардир пощих распыл емый электрод. Таким образом под- д,ерживаетс заданный ток распыл емо- iO электрода и необходимый расход рабочего вещества.Fig. 1 shows schematically a traced eK iiijijiH liOHOB, a scorer of a sprayed electrode. In this way, the specified current of the sputtering of the iO electrode and the necessary flow rate of the working substance is maintained.
В распор жение оператора циклотрона поступает быстрый, в отличие от механического перемещени , способ воздействи иа распыл емьш электрод. Пол- иос1ъю исключаютс ошибочные действи : в ис 1-очкмке с подвижным держа- тр.тем г лектрода при чрезмерной подачеThe cyclotron operator has a fast, as opposed to mechanical movement, method of acting on the sputtered electrode. Errors are excluded from the field: in 1-point shotgun with a moving body of the electrode during an excessive feed
794472794472
электрода в разр д, когда электрод попадает под пучок первичных электронов с катода, он расплавл етс . В предлагаемом устройстве такое положение исключаетс : распьш емый электрод при сборке устанавливаетс на границе пучка первичных электронов, т.е. уровень с проекцией кра катода,electrode into the discharge, when the electrode falls under the beam of primary electrons from the cathode, it melts. In the proposed device, this position is excluded: the spreading electrode is mounted at the assembly on the boundary of the primary electron beam, i.e. level with the projection of the edge of the cathode,
10 а в дальнейшем за счет расходовани рабочего вещества распыл ема грань электрода только удал етс от этой границы.10 and further, due to consumption of the working substance, the sprayed edge of the electrode only moves away from this boundary.
Предлагаемый источник позвол етThe proposed source allows
15 осуществить продолжительную работу в режиме, обеспечивающем стабильный пучок ускоренных многоразр дных ионов твердых веществ (например кобальта ) . Ликвидаци механизма перемещемногозар дных ионоь твердых веществ.15 to carry out continuous operation in a mode that provides a stable beam of accelerated multidischarge solid ions (for example, cobalt). The elimination of the mechanism of translocated ionic solids.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853878880A SU1279447A1 (en) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | Ion source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853878880A SU1279447A1 (en) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | Ion source |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1279447A1 true SU1279447A1 (en) | 1987-08-07 |
Family
ID=21171201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853878880A SU1279447A1 (en) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | Ion source |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1279447A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4202211A1 (en) * | 1992-01-28 | 1993-07-29 | Leybold Ag | Sputter installation - has at least one magnetron cathode and an electrically insulated screen limiting plasma propagation |
-
1985
- 1985-01-11 SU SU853878880A patent/SU1279447A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 637894, кл. Н 01 J 37/34, Н 05 Н 13/00, 1976. Авторское свидетельство СССР № 502422, кл. Н 01 J 37/34, Н 05 Н 13/00, 1976. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4202211A1 (en) * | 1992-01-28 | 1993-07-29 | Leybold Ag | Sputter installation - has at least one magnetron cathode and an electrically insulated screen limiting plasma propagation |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4381453A (en) | System and method for deflecting and focusing a broad ion beam | |
US7872422B2 (en) | Ion source with recess in electrode | |
US6812648B2 (en) | Method of cleaning ion source, and corresponding apparatus/system | |
JPH01234562A (en) | Cathode arc discharge evaporation apparatus | |
US4766320A (en) | Apparatus for ion implantation | |
SU1279447A1 (en) | Ion source | |
CN114752909A (en) | Ion implantation method for improving ionization rate of ions | |
US4471224A (en) | Apparatus and method for generating high current negative ions | |
EP0901149A3 (en) | Secondary electron emission electron shower for an ion implanter | |
US5130607A (en) | Cold-cathode, ion-generating and ion-accelerating universal device | |
JPS57191950A (en) | Charged-particle source | |
AU7433800A (en) | Ion beam vacuum sputtering apparatus and method | |
US20220285123A1 (en) | Ion gun and ion milling machine | |
SU854197A1 (en) | Source of negative ions | |
SU502422A1 (en) | Cyclotron source of multiply charged ions | |
SU1039397A1 (en) | Device for making radioactive diamond indicators | |
KR970009209B1 (en) | In-line type electron gun for crt | |
JPS6323876Y2 (en) | ||
JPS6348931Y2 (en) | ||
JPH04365855A (en) | Ion plating device | |
SU1187623A1 (en) | Ion source | |
JPH0145068Y2 (en) | ||
JPS6455375A (en) | Device for projecting ion beam | |
RU97100232A (en) | DEVICE FOR IMPLANTATION OF IONS | |
US4058667A (en) | Ion protected linear electron beam metal evaporator |