SU1275359A1

SU1275359A1 - Способ коррекции фотошаблона теневой маски дл цветной электронно-лучевой трубки

Info

Publication number: SU1275359A1
Application number: SU853871205A
Authority: SU
Inventors: Игорь Моисеевич Глезер; Валентин Александрович Кулик; Алик Иванович Трикило
Original assignee: Вольногорский Завод Электровакуумного Стекла; Днепродзержинский Ордена Трудового Красного Знамени Индустриальный Институт Им.М.И.Арсеничева
Priority date: 1985-03-18
Filing date: 1985-03-18
Publication date: 1986-12-07

Abstract

Изобретение относитс к фотографии и позвол ет повысить качество фотошаблона путем коррекции его по параметрам убывани прозрачности от центра к периферии. Апертурную теневую маску исследуют по четырем ос м на прозрачность. По замерам стро т графики убывани прозрачности от центра к периферии и сравнивают с теоретическими расчетами. На прозрачном светофильтре с размерами фотошаблона затемн ют области, в которых величина прозрачности выходит за поле допуска. Светофильтр устанавливают на раму, закрыва им оригинал фотошаблона, соприкасающийс с топластиной. При экспонировании разсл личные участки фотопластины засвечиваютс неодинаково. После про влени фотопластину фиксируют, промывают и сушат. 3 ил. ю ел со СП

Description

Изобретение относитс к фотографии , а более конкретно к способам коррекции скрытых фотографических изображений на фотошаблоне при изго товлении теневой маски дл цветной электронно-лучевой трубки, и может найти применение в электронной и радиоэлектронной промышленности. Целью изобретени вл етс повышение качества фотошаблона путем ко рекции его по параметру убывани прозрачности от центра к периферии На фиг. 1 изображены оси направлений производимых замеров прозрач ности; на фиг. 2 - график кривых ра пределени прозрачности теневой мас ки от центра к периферии по оси 0180 ; на фиг. 3 - крива зависимост отклонени прозрачности от величины освещенности. Сущность способа заключаетс в том, что помещением светофильтра, имеющего области затемнени , между источником света и объектом фотоэкспонировани добиваютс изменени размеров скрытого фотографического изображени в зонах отклонени от допустимых параметров, что увеличивает выход годных масок на 0,5-1,0% и повьпнает их качество. Пример. Изготовленную с помощью фотошаблона апертурную теневую маску дл цветного масочного ки нескопа с диагональю экрана 61 см исследуют по ос м 0-180°, 90-270, 54-234°, 126-306° (фиг. 1) на прозрачность с помощью денситометра в следующей последовательности: шаг проводимых замеров 5 мм, диаметр диафрагмы фотопреобразовател 10 мм калибровочное число измерит ьного прибора 1000, разрешающа способность цифрового вольтметра 0,1%. По полученным замерам стро т графики убывани прозрачности от центра к периферии по четьгрем ос м и сравнивают с теоретически рассчитанным по формуле (фиг. 2, кривые 1).. А 1,70162-10 (d - 1,310-Зх «r2) прозрачность маски, л, диаметр отверсти в центре маски (346±10) мкм, рассто ние от центра маски до области, в которой прои вод т замеры, мм. В област х маски.(фотошаблона), отсто щих от центра на г мм, имеютс отклонени от теоретически рассчитанного закона убывани (фиг. 2, крива 2), На прозрачное стекло (светофильтр), имеющее размеры фотошаблона, с помощью аэрографа нанос т полупрозрачный слой черной краски, таким образом затемн вы вленные в результате описанных исследований области, в которых величина прозрачности выходит за поле допуска (фиг. 2, крива 1). Методика и способ определени интенсивности затемнени областей светофильтра следующа . В результате исследований была получена характеристическа крива зависимости прозрачности (как интегральной характеристики изменени размеров элементов структуры эмульсионного фотошаблона) от величины экспозиции . В частном случае дл маски прозрачность - это отношение площади всех отверстий к площади рабочей поверхности маски. Поскольку экспозици определ етс как произведение освещенности на врем освещени Н E«t, то при t const экспозици зависит от освещенности и, следовательно, прозрачность полученного фотошаблона зависит от величины освещенности Е в интересующих нас област х в момент экспозиции. Использу кривую фиг. 3 и зна отклонени прозрачности А в данной области фотошаблона от теоретической, определ ем величину изменени освещенности Е в данной области фотопластины во врем ее экспозиции . ЛА А - А, где л А - величина отклонени прозрачности , %; А - действительна прозрачность в измер емой области, %, А - теоретически рассчитанна прозрачность, %. Под прозрачную стекл нную пластину (светофильтр), совмещенную с оригиналом фотошаблона, устанавливаетс приемник фотометра (наприиер, люксметр Ю-116) и определ етс освещенность данной области. Запыл этот участок светс4)Ш1ьтра полупрозрачным слоем краски, уменьшают освещенность найденную с помощью на величину; фиг. 3. Полученный светофильтр устанавли вают на раму (на рассто нии 40 мм от оригинала), закрыва им оригинал соприкасающийс с фотопластиной, ра личные участки которой в процессе экспонировани засвечиваютс неодинаково . Дал ее фотопластину про вл ю при Т 20 ± 0,5°С в течение 200 с. Затем фотопластину фиксируют, промы вают и подвергают сушке при 120С. В результате получаетс откоррек тированный по параметру убывани прозрачности от центра к периферии фотошаблон. Фотошаблон устанавливают на техн логическую линию дл получени тене вой маски с распределением закона убьшани прозрачности , от. центра к периферии, блиЗКЮ4 к теоретическому фиг. 2, крива 3 .

Ось f26

Ч

к

Ось 30

OcbSfy

/

Claims

Л 94 Формула изобретенн Способ коррекции фотошаблона теневой маски дл цветной электроннолучевой трубки, включающий экспониpoBakiie оригинала через пространст-. венный ркостной светофильтр на. фотопластину и ее последующую фотохимическую обработку, отличающийс тем, что, с целью повьшгени качества фотошаблона путем коррекции его по параметру убывани прозрачности от центра к периферии, при изготовлении пространственного светофильтра измер ют изменение прозрачности теневой от центра к периферии по четьфем ос м, вычисл ют отклонение измеренных значений от теоретически рассчитанных, по по-, лученным значени м с помощью зависимости отклонени прозрачности от величины изменени освещенности определ ют последнюю и затемн ют прозрачную стекл нную пластину на участках отклрнени прозрачности, уменьша освещенность этих участков за фотошаблоном со светофильтром на найденную величину.

IBff

Ось о

23

306

270 Фиг.1 r.HHlSO 135 120 105 3D 75 60 ifS 30

S 6o To т 120 т т .пк

Фиг.З 15 0 15 Jff «J SO 15 30 W5 120 135150 Пмм 9иг.2