SU1247798A1

SU1247798A1 - Способ контрол теплового сопротивлени силового полупроводникового прибора

Info

Publication number: SU1247798A1
Application number: SU853861856A
Authority: SU
Inventors: Залман Савельевич Иоспа; Гундис Вигуртович Лаужа; Валдис Янович Узарс; Валерий Павлович Феоктистов; Олег Георгиевич Чаусов
Original assignee: Рижский Ордена Трудового Красного Знамени Политехнический Институт Им.А.Я.Пельше
Priority date: 1985-02-20
Filing date: 1985-02-20
Publication date: 1986-07-30

Abstract

Изобретение относитс к способам диагностического контрол теплового сопротивлени силового полупроводникового прибора (ПП), которые используютс , например , дл контрол теплопередачи от силового ПП к охладителю. Цель изобретени - повышение достоверности контрол с одновременным упрош,ением выполн емых операций - достигаетс определением сдвига фазы максимальной температуры нагрева по отношению к одному из фронтов импульса силового тока и сравнением полученного сдвига фазы с предельно допустимым значением. Устройство дл реализации способа содержит испытуемый ПП прибор 1, охладитель 2, прижим 3, генератор 4 калиброванного импульса тока, в состав которого вход т источник 5 посто нного тока, силовой ключ 6, реле времени 7 и пускова кнопка 8. Блок измерени температуры выполнен в виде дистанционного термометра (ДТ) 9 воспринимаюшего инфракрасное излучение от определенной точки 10 охладител 2. К выходу ДТ 9 подключен регистрирующий прибор 11. 3 ил. S (Л ю 4 со 00

Description

Изобретение относитс к силовой электропреобразовательной технике, а точнее к способам диагностического контрол теплового сопротивлени силового полупроводникового прибора, которые используютс , например, дл контрол теплопередачи от силового полупроводникового прибора к охладителю .

Цель изобретени - повышение достоверности контрол с одновременным упрощением способа контрол .за счет того, что в качестве параметра, характеризующего теплового сопротивление, используют сдвиг фазы максимальной температуры нагрева охладител по отношению к импульсу силового тока.

На фиг. 1 приведена принципиальна схема устройства дл реализации данного способа; на фиг. 2 - диаграммы электрических и тепловых импульсов при реализации данного способа; на фиг. 3 - схема замещени силового полупроводникового прибора дл тепловых процессов.

Способ реализуетс в схеме (фиг. 1), содержащей испытуемый полупроводниковый прибор 1 с охладителем 2 и прижимным приспособлением 3. Этот прибор своими силовыми электродами подключен к генератору 4 калиброванного импульса тока, в состав которого вход т источник 5 посто нного тока, силовой ключ 6, реле 7 времени и пускова кнопка 8.

Предусмотрен также блок измерени температуры охладител 2 в виде типового дистанционного термометра 9, воспринимающего инфракрасное излучение от определенной точки 10 охладител 2, котора должна быть расположена возможно ближе к прибору 1. К выходу термометра 9 подключено регистрирующее устройство - самописец 11, вход запуска которого соединен с пусковой кнопкой 8.

Предложенный способ реализуетс следующим образомПосле подключени .генератора 4 к прибору 1 и установки на его охладителе 2 термометра 9, ориентировав его на точку 10, нажимают пусковую кнопку 8. При этом включаютс реле 7 времени, силовой ключ 6 и самописец 11. Задержка т реле 7 определ ет длительность замкнутого состо ни ключа 6 и, следовательно, длительность импульса точка I (см. фиг. 2,а). Этот импульс прогревает прибор 1, тепло от его корпуса передаетс охладителю 2, температура которого 9 регистрируетс самописцем 11.

Импульс нагрева охладител имеет треугольную форму со сдвигом по фазе фн относительно переднего фронта импульса тока и фк относительно заднего фронта, причем фн- фк т. Эта величина ф, т.е. фн или (fK, существенно зависит от условий теплопередачи от корпуса прибора 1 к охладителю 2. Это следует из схемы замещени (фиг. 3), где прибор 1 и охладитель 2 представлены в виде цепочек RiCi и R2C2, между которыми включено сопротивление Rnep., имитирующее тепловое сопротивление между корпусом

0 прибора 1 и охладителем 2. При увеличении Rnep. крива 02(1) снижаетс по амплитуде и сдвигаетс вправо, а при уменьшении Rnep. крива 62(1) увеличиваетс по амплитуде и ее максимум сдвигаетс влево .

5 Если на фиг. 2 крива 9i(t) представл ет собой график изменени температуры охладител при нормативном Rnep., то крива

02(1) - при повышенном Rnep.

Данный способ осуществл етс следующим образом.

Вначале снимают кривые 6(1) дл партии приборов с хорошим прижимом полупроводника к охладителю. На основе этих замеров определ ют предельно допустимое зна5 чение фп, например, максимальное, в проконтролированной партии. Затем при текущем контроле каждое полученное значение ф сравниваетс с фп и при ф фп проверенный прибор бракуют, а при ф фп прибор считаетс удовлетворительным.

0 Предложенный способ позвол ет более просто контролировать тепловое сопротивление , а также не предъ вл ютс специальные требовани к измерительной аппаратуре контрол .

35

Claims

Формула изобретени

Способ контрол теплового сопротивлени силового полупроводникового прибора, включающий пропускание через силовой

полупроводниковый прибор импульса силового тока, длительность которого больше тепловой посто нной корпуса прибора и меньше тепловой посто нной охладител , и последующее измерение температуры нагрева охладител , отличающийс тем, что, с

целью повышени достоверности контрол с одновременным упрощением способа контрол , определ ют сдвиг фазы максимальной температуры нагрева охладител по отношению к одному из фронтов импульса силового тока и сравнивают полученный

сдвиг фазы с предельно допустимым значением .

6)

д,{Ь)

Фиег

Фив.З