SU1241943A1 - Способ определени чистоты полупроводниковых кристаллов - Google Patents
Способ определени чистоты полупроводниковых кристалловInfo
- Publication number
- SU1241943A1 SU1241943A1 SU843811587A SU3811587A SU1241943A1 SU 1241943 A1 SU1241943 A1 SU 1241943A1 SU 843811587 A SU843811587 A SU 843811587A SU 3811587 A SU3811587 A SU 3811587A SU 1241943 A1 SU1241943 A1 SU 1241943A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- purity
- semiconductor
- semiconductor crystals
- crystal
- duration
- Prior art date
Links
Landscapes
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Abstract
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОЛУПРОБОДНИКОВЫХ КРИСТАГШОБ, о т- личающийс тем, что, с целью упрощени и сокращени времени, к кристаллу прикладывают импульс напр жени с амплитудой 3-60 кВ и длительностью переднего фронта 1 - 5 НС, наблюдают объемные стримерные разр ды и по их форме суд т о степени чистоты полупроводникового кристалла .
Description
1
kl
со Изобретение относитс к полупроводниковой технике и может быть использовано дл определени чистоты полупроводниковых кристаллов на наличие примесей. Цель изобретени - упрощение и сокращение времени. Изобретение по сн етс чертежом, на котором приведена схема устройства дл реализации способа. Оно содержит полупроводниковую пластину 1, диэлектрическую пластину 2, игловой электрод 3. Пример. Полупроводниковую пластину 1 из кристалла селенида цин ка укрепл ют на диэлектрической плас тинке 2. С помощью иглового электрода 3 на полупроводниковый кристалл подают импульс электрического напр жени . Источником напр жени служит импульсный трансформатор на ферритовом кольце, через первичную обмотку которого разр жают конденсатор емкостью 0,01-0,1 мкФ, зар женный до нескольких сотен вольт. Дл обострени переднего фронта импульса испол зуют жидкостный (или другого типа) разр дник, например, кювету, заполненную силиконовым маслом. Стримерные разр ды возбуждают им пульсами напр жени U 3 кВ с длительностью переднего фронта импульса Стримерные разр ды возбуждают импульсами напр жени U 10 кВ с длительностью переднего фронта импульса 1 НС. Стримерные разр ды возбуждают импульсами напр жени U 60 кВ с длительностью переднего фронта импульса 5 не. В полупроводниковом кристалле селенида цинка с концентрацией примесей 5 1.0 см наблюдаютс стримеры в виде длинных пр молинейных нитей, идущих в объеме полупроводника, на всем прот жении от которьгх отход т более короткие стримеры. В кристалле селенида цинка, с концентрацией примесей 4-10 см нар ду с пр мыми кристаллографически ориентированными стримерами наблюдаютс неориентированные - изогнутые и извилистые разр ды. В кристалле селенида цинка с концентрацией примесей 810 см ориентированные стримеры не наблюдаютс , вместо них наблюдаетс коронный разр д . Продолжительность определени степени чистоты одного кристалла не превьшает 10 с.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU843811587A SU1241943A1 (ru) | 1984-11-10 | 1984-11-10 | Способ определени чистоты полупроводниковых кристаллов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU843811587A SU1241943A1 (ru) | 1984-11-10 | 1984-11-10 | Способ определени чистоты полупроводниковых кристаллов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1241943A1 true SU1241943A1 (ru) | 1986-12-30 |
Family
ID=21146429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU843811587A SU1241943A1 (ru) | 1984-11-10 | 1984-11-10 | Способ определени чистоты полупроводниковых кристаллов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1241943A1 (ru) |
-
1984
- 1984-11-10 SU SU843811587A patent/SU1241943A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Крешков А.П. Основы аналитической химии. М;: Хими , 1970, т. 2, с. 395.Прокофьев Б.К. Фотографические методы количественного спектрального анализа металлов и сплавов. М.-Л.: ГИТТЛ, 1951, 328 с. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE28021T1 (de) | Zuendvorrichtung fuer eine niederdruckentladungslampe. | |
| SU1241943A1 (ru) | Способ определени чистоты полупроводниковых кристаллов | |
| US3630882A (en) | Apparatus for particle separation | |
| JPS57105758A (en) | Direct recording method | |
| Sharbaugh et al. | Review of past work on liquid breakdown | |
| SU1287943A1 (ru) | Устройство дл питани электрофильтров | |
| SU421887A1 (ru) | ||
| SU591702A1 (ru) | Способ дозировани сыпучего материала | |
| JPS5695351A (en) | Electrical dust collector | |
| SU106338A1 (ru) | Способ возбуждени упругих волн в толще земной коры при сейсмической разведке | |
| SU125819A1 (ru) | Низкочастотный генератор импульсов переменного тока | |
| SU481986A1 (ru) | Высоковольтный генератор импульсного напр жени | |
| SU457952A1 (ru) | Устройство дл возбуждени упругих волн | |
| SU428479A1 (ru) | ||
| SU796244A1 (ru) | Устройство дл получени покрытий | |
| SU1404224A1 (ru) | Устройство дл электроискрового легировани | |
| SU1213448A1 (ru) | Устройство дл импульсного намагничивани ферромагнитных материалов | |
| SU1275794A1 (ru) | Нейтрализатор зар дов статического электричества | |
| SU881967A1 (ru) | Кварцевый генератор | |
| SU411315A1 (ru) | ||
| SU1691763A1 (ru) | Способ определени величины высокого напр жени | |
| SU129737A1 (ru) | Двухэлектродный искровой разр дник | |
| SU462148A1 (ru) | Устройство дл испытани коммутационных аппаратов | |
| RU2143950C1 (ru) | Устройство для измельчения использованных автопокрышек | |
| GB970553A (en) | Spectrochemical light sources |