SU1234086A1 - Способ дозировани припо - Google Patents
Способ дозировани припо Download PDFInfo
- Publication number
- SU1234086A1 SU1234086A1 SU843692418A SU3692418A SU1234086A1 SU 1234086 A1 SU1234086 A1 SU 1234086A1 SU 843692418 A SU843692418 A SU 843692418A SU 3692418 A SU3692418 A SU 3692418A SU 1234086 A1 SU1234086 A1 SU 1234086A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- solder
- tinning
- leads
- metering
- vertical plane
- Prior art date
Links
Landscapes
- Molten Solder (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Description
Изобретение относитс к пайке, в частности к подготовке под пайку электрорадиоэлементор (ЭРЭ) с пла- нарными выводами.
Целью изобретени вл етс расширение функциональных возможностей способа.
На фиг. t показано формирование перемычки припо в тот момент, когда выводы микросхемы извлекают из жидкого припо после лужени окунанием; на фиг. 2 - установка микросхемы в держателе устройства дл лужени ; на фиг. 3 - сформированна доза припо в виде перемычки между выводамиJ на фиг. 4 -разрез А-А на фиг. 3.
Способ осуществл ют следующим образом.
Микросхему t устанавливают в держателе , состо щем из корпуса 2 и крышки 3, и окунают ее вьтоды в жид- дсий припой 4, при этом выводы располагают горизонтально в вертикальной плбскости. После вьадержки выводов в припое в течение t-2 с их извлекают из припо . Н фиг, 1 стрелкой показано напйавление извлечени . Благо- дар в зкости припо и силам смачива ни при извлечении выводов 5 на них остаютс излишки припо , которые ст гиваютс силами поверхностного нат жени в капли 6 на середине об- луженных участков выводов. Под действием силы т жести кайли 6 достигают нижних выводов и садами поверхностного нат же.ни формируютс в перемычку 7, в которой затем проис,- ходит кристаллизаци припо .
Скорость извлечени выводов из жикого припо зависит от его в зкости
0
5
0
Q
5
0
5
и должен быть больше скорости ст гивани ПРИПОЯ в каплю, так как в- противном случае капл коснетс не нижележащего вьшода, а зеркала припо и будет сн та с вьшода силами поверхностного нат жени .
Дл предохранени корпуса микросхемы от перегрева и обеспечени необходимой точности лужени держатель устройства дЛ лужени включает кор-. пус 2 и крЫшку 3, снабженные лазами. После установки в паз корпуса 2 микросхемы t крышку 3 поджимают к корпусу 2, наприме), пружиной-(не показана ). Корпус 2 и крышка 3 вьтолнены из теплоизол ционного материала, не смачиваемого припоем, например стеклотекстолита . В зазор 8 между выводами припой при температуре лужени 240-260 С проникнуть не может, так -как этот зазор равен толщине выводов 0,2 мм, а корпус 2 и крышка 3 не смачиваютс припоем. Поэтому на выводах обслуживают только ту их часть, котора выступает из держател .
Предложенный Способ предназначен дл использовани на действующем оборудовании дл лужени выводов ЭРЭ.
Количество припо при заданной температуре лужени регулируют скоростью извлечени выводов.
Испытани ми установлено, что хот количество припо на верхнем и на нижнем выводе различно, но когда на верхнем выводе доза припо достаточна дл выполнени скелетной пайки, доза припо на нижнем выводе также находитс в пределах нормы и не приводит при пайке к образованию перемычек .
Фиг. г
А-А
Фиг,3
Редактор М. Бандура
Составитель В. Белинкий Техред О.Соико
Заказ 2934714Тираж tOOtПодписное
ВИНИЛИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Жт-ЗЗ, Раушска наб., д. 4/5
Производственно- -полиграфнческое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4
ФизЛ
Корректор В.Сшширса
Claims (1)
- СПОСОБ ДОЗИРОВАНИЯ ПРИПОЯ преимущественно радиоэлементов с пла нарными выводами, включающий погружение выводов в припой и извлечение их из припоя при перемещении радиоэлементов в вертикальной плоскости, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа, выводы радиоэлементов перед погружением в припой располагают горизонтально в вертикальной плоскости, а извлекают из припоя со скоростью не менее скорости образования капли припоя.по еле лужения окунанием; установка микросхемы устройства для лужения; сформированная доза при1
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843692418A SU1234086A1 (ru) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | Способ дозировани припо |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843692418A SU1234086A1 (ru) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | Способ дозировани припо |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1234086A1 true SU1234086A1 (ru) | 1986-05-30 |
Family
ID=21100419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843692418A SU1234086A1 (ru) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | Способ дозировани припо |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1234086A1 (ru) |
-
1984
- 1984-01-20 SU SU843692418A patent/SU1234086A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент JP в178,кл.12 В 24, 1965. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6243784B2 (ru) | ||
US4699445A (en) | Electrical terminal assembly for thermistors | |
US5458281A (en) | Method for removing meltable material from a substrate | |
US4439918A (en) | Methods of packaging an electronic device | |
US20170199062A1 (en) | Electrical component, in particular sensor, as well as manufacturing methods therefor | |
ES520960A0 (es) | Un aparato y un metodo para chapar superficies interiores de terminales electricos. | |
SU1234086A1 (ru) | Способ дозировани припо | |
WO2017137325A1 (en) | Sensor chip with electrostatic discharge protection element | |
BR8703027A (pt) | Processo para montar superficies de contacto sobre uma superficie de um substrato;e substrato tendo uma pluralidade de componentes montados | |
EP0111932B1 (en) | Resin-molded semiconductor devices and a process for manufacturing the same | |
RU2002134766A (ru) | Полупроводниковый модуль и способ изготовления полупроводникового модуля | |
KR890010748A (ko) | 지지부상에 전자부품과 그 전기적 커넥션의 설치방법 및 이 방법으로 제조된 제품 | |
JP3288654B2 (ja) | 電気コネクタの製造方法 | |
US2977878A (en) | Detonator | |
US3197844A (en) | Manufacture of thermoelectric devices | |
US2748326A (en) | Semiconductor translators and processing | |
DE3064772D1 (en) | Device for applying solder to the tabs of integrated components | |
EP0178855B1 (en) | Electrical connecting arrangements | |
EP0146207A2 (en) | Improvements in electrical components | |
DE2346340A1 (de) | Verfahren zur herstellung von anschlaegen zur begrenzung der einsetztiefe von steckanschluessen von elektrischen bauelementen | |
US3341938A (en) | Method of producing selenium midget rectifiers | |
CA2121374A1 (en) | Soldering process and apparatus | |
JPS5910298A (ja) | 半導体装置の半田浸漬用治具 | |
JPH0878278A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
SU1432616A1 (ru) | Электропровод ща медна проволока с коррозионно-стойким покрытием |