SU1227606A1 - Method of cleaning glass surface - Google Patents

Method of cleaning glass surface Download PDF

Info

Publication number
SU1227606A1
SU1227606A1 SU833631579A SU3631579A SU1227606A1 SU 1227606 A1 SU1227606 A1 SU 1227606A1 SU 833631579 A SU833631579 A SU 833631579A SU 3631579 A SU3631579 A SU 3631579A SU 1227606 A1 SU1227606 A1 SU 1227606A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
glass
cleaning
glass surface
sodium
potassium
Prior art date
Application number
SU833631579A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Борис Васильевич Абалдуев
Галина Григорьевна Белолипцева
Валентина Васильевна Гредина
Владимир Петрович Севостьянов
Тамара Михайловна Назарова
Саул Хаймович Финкельштейн
Владимир Яковлевич Филипченко
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4468
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4468 filed Critical Предприятие П/Я Г-4468
Priority to SU833631579A priority Critical patent/SU1227606A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1227606A1 publication Critical patent/SU1227606A1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0075Cleaning of glass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Description

Изобретение откоситс  к технологии подготовки поверхности стекл нных пластин и подложек дл  процессов вакуумного нанесени  пленок и может быть использовано в производстве приборов электронной техники, таких как вакуумные люминесцентные индикаторы, жидкогсристаплические индикаторы, фотошаблоны , ипи других изделий, например зеркалThe invention advances to the technology of preparing the surface of glass plates and substrates for vacuum film deposition processes and can be used in the manufacture of electronic devices, such as vacuum luminescent indicators, liquid crystal indicators, photo masks, or other products, such as mirrors.

Целью изобретени   вл етс  повыЕие ние годных изделий«The aim of the invention is the enhancement of suitable products

Исходна  поверхность стекла перед очисткой карактеризуетс  Нсшичием на ней различного рода частиц с размерами 0,1-1,0 мкм, которые по химической природе  вл ютс , главн-ым образом , продуктами взаимодействи  компонент сте сп нной матрицы с адсорбированными из атмосферы газами типа COgJ НjO и дрв При отмьшке в водном растворе с ПАВ частицы и загр зн ющие пленки с поверхности удал ютс  и вы вл етс  поверхность стекла с рыхльт рельефом разрушенного сло . Дальнейша  обработка пластин в актив ной трав 1л,ей среде приводит к растворению разрушенного сло  и образованию бесструктурной поверхности стекл нной матри;цы.The initial surface of the glass before cleaning is characterized by the use of various types of particles with sizes of 0.1-1.0 µm on it, which by chemical nature are mainly the products of interaction of the components of the matrix of a matrix with COgJ НjO adsorbed from the atmosphere and drv. When you remove a surfactant in an aqueous solution with particles and contaminating films from the surface, the glass surface with a loose relief of the destroyed layer is revealed. Further processing of the plates in the active grass of 1 liter, to its medium leads to the dissolution of the destroyed layer and the formation of the structureless surface of the glass matrix;

Кроме того, показателем качества очистки  вл етс  элементный состав поверхностр.In addition, an indicator of the quality of cleaning is the elemental composition of the surface.

При обработгсе в растворах силикатов щелочных ;у ета-ллов за счет равновесных условий протекани : -реакц ли растворени .н близости химической природы растворител  и матрицы на стекле осаждаетс  тонкий с:юй двуоки сн кремни 3 к оторьзй пасс1-1вирует по- зерхностЬр снижа  ее адсорбционную активноетье.When processed in alkali silicate solutions, in ethells, due to the equilibrium flow conditions: -dissolution or dissociation of the proximity of the chemical nature of the solvent and the matrix, thin c is deposited on the glass to remove pass1-1 surface that reduces it adsorption active.

По этой причине нар ду со значительно меньшей скоростью растворени  в щелочко -силикатном растворе н происход т растравливани  г;ефектов поверхности стеклаFor this reason, along with a significantly lower rate of dissolution in the alkali-silicate solution, etching of the glass surface

7.акш4 обра омр щелочно-силикатна обработка позвол ет избежать сепек- тивного травлени  поверхностных дефектов попдожек и5 следовательно3 7.Ax4 Omr Alkali-silicate treatment allows to avoid the sepa- tive etching of surface defects of popdoozhki and 5 therefore 3

7о ()Ь27o () b2

;1,1 ;11анить ее микроморфологию, эффек- тинно очищает поверхность от загр зн ющих элементов и одновременно пассивирует ее и, наконец, полностью удал ет разруи.енный слой и продукты Т идролиза стекла.; 1,1; 11anit its micromorphology, effectively cleans the surface of contaminating elements and at the same time passivates it and, finally, completely removes the damaged layer and the products T and the glass is removed.

OO

ОABOUT

Пример 1 , По;щожки изготовл лись из плоского оконного стекла производства Лисичанского завода следующего состава,%: SiO 72; Al,0j 2; .., 0,2; CaO 6,6; 4; 13,7; КО 1,5, Очистку осуществл ли на полуавтомате химической очистки и сушки стекл нных пластин. Операцию отмьюки в водном растворе ПАВ (моющее средство Прогресс) с концентрацией О ,,5% провод т при 80 С. Суп су подложек провод т центрифугированием при 180°С 5 мин.Example 1, For; Al, 0j 2; .., 0,2; CaO 6.6; four; 13.7; KO 1.5, Cleaning was carried out on a semi-automatic chemical cleaning and drying glass plates. The operation of otmyuki in an aqueous solution of surfactants (detergent Progress) with a concentration of O ,, 5% is carried out at 80 C. The su soup of the substrates is carried out by centrifugation at 180 ° C for 5 minutes.

Критерием качества очистки служит процент выхода годных подложек В, определ емый как В (В, В) 100%, г д.е В, - выход годных плат непосредственно после очистки, оцениваемый оптическигм способом в косом освещении по наличию на поверхности п тен или растравленных дефектов; , В выход годных плат по адгезии пленок, напыл емых в вакууме на установке типа УВН73-П2.The quality criterion of cleaning is the percentage of yield of substrates B, defined as B (B, B) 100%, d e e B, is the yield of cards immediately after cleaning, measured by the optical method in oblique lighting by the presence of spot or etched on the surface defects; , In the output of suitable boards for the adhesion of films deposited in vacuum on an installation of the type UVH73-P2.

Изобретение по сн етс  на конкретных примерах, которые приведены н таблице.The invention is illustrated by specific examples, which are listed in the table.

Таким образом, предложенньш способ позвол ет увеличить процент выхода годньж изделий за счет уменьшени  брака по качеству адгезии ва- хЗ умпонапыленных пленок V-A , а также параметрического брака, св занного с качеством металлизации; удешевить процесс очистки стекл нных подложек за счет использовани  менее дорогосто щих и дефицитных реактивов; существенно уменьшить энергоемкость процесса га счет исключени  операции термообработки подложек .Thus, the proposed method allows an increase in the percentage of the yield of suitable products by reducing the defect in the quality of adhesion of wa-S of deposited V-A films, as well as the parametric defect associated with the quality of metallization; cheapening the process of cleaning glass substrates by using less expensive and scarce reagents; to substantially reduce the energy intensity of the process by eliminating the operation of heat treatment of the substrates.

Эк О1 омический эффект составит 2 5 8 fuHH , руб в год ,Ek O1 ohmic effect will be 2 5 8 fuHH, rubles per year,

Согласно прототипу Раствор жидкого стекла в воде: According to the prototype A solution of liquid glass in water:

калиевого, рН 14potassium, pH 14

натриевого, рН 14sodium, pH 14

калиевого, рН 12potassium, pH 12

натриевого, рН 2sodium pH 2

калиевого, рН 10potassium, pH 10

натриевого, рН 10sodium, pH 10

Смешанный раствор калиевого и натриевого 1(идкого стекла в воде с соотношением компонентов :A mixed solution of potassium and sodium 1 (liquid glass in water with a ratio of components:

же (калиевое) ЖС (натриевое): Н jO 1 :1 : I , рН 14the same (potassium) JS (sodium): H jO 1: 1: I, pH 14

же (калиевое): ЖС (натриевое):same (potassium): ls (sodium):

Н 0 1 :1 : 2, рН 1 2H 0 1: 1: 2, pH 1 2

же (калиевое): ЖС (натриевое):same (potassium): ls (sodium):

- 1 :1 :2,5, рН Ц) - 1: 1: 2.5, pH C)

Редактор Н.ГорватEditor N.Gorvat

Составитель О.Самохина Техред И.ВересCompiled by O. Samokhina Tehred I. Veres

Заказ 2259/25Тираж 457ПодписноеOrder 2259/25 Circulation 457 Subscription

ВНИИ11И Государственного комитета СССРVNII11I State Committee of the USSR

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д.4/5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., 4/5

Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна , 4Production and printing company, Uzhgorod, Projecto st., 4

0,6 0,870.6 0.87

0,83 0,92 0,83 0,92 0,80 0,870.83 0.92 0.83 0.92 0.80 0.87

0,94 0,98 0,94 0,98 0,91 0,950.94 0.98 0.94 0.98 0.91 0.95

5252

78 90 78 90 73 8378 90 78 90 73 83

80 0,90 0,98 9080 0.90 0.98 90

80 0,91 0,98 9080 0.91 0.98 90

80 0,85 0,95 8180 0.85 0.95 81

Корректор Г.РешетникProofreader G. Reshetnik

Claims (1)

СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ СТЕКЛА путем обработки сначала в водном растворе поверхностно-активного вещества, затем в травильном растворе с последующей промывкой в деионизованной воде и сушкой, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий, в качестве травильного раствора используют раствор натриевого и/или калиевого жидкого стекла с pH 10-14,METHOD FOR CLEANING A GLASS SURFACE by first treating a surfactant in an aqueous solution, then in an etching solution, followed by washing in deionized water and drying, characterized in that, in order to increase the yield of products, a solution of sodium and / or potassium water glass with a pH of 10-14,
SU833631579A 1983-08-02 1983-08-02 Method of cleaning glass surface SU1227606A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833631579A SU1227606A1 (en) 1983-08-02 1983-08-02 Method of cleaning glass surface

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833631579A SU1227606A1 (en) 1983-08-02 1983-08-02 Method of cleaning glass surface

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1227606A1 true SU1227606A1 (en) 1986-04-30

Family

ID=21077904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833631579A SU1227606A1 (en) 1983-08-02 1983-08-02 Method of cleaning glass surface

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1227606A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
За вка JP № 50-130973, кл. 21 В 32, опублик. 1975. За вка JP № 52-144020, кл. 21 В 33, опублик. 1977. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3920429B2 (en) Method and apparatus for cleaning phase shift photomask
JP3409849B2 (en) Manufacturing equipment for cleaning liquid for cleaning electronic components
KR100279911B1 (en) Washing Solution of Semiconductor Substrate and Washing Method Using the Same
JP4484980B2 (en) Photomask cleaning method, cleaning apparatus, and photomask cleaning liquid
CN101248514A (en) Silicon surface preparation
JP3296405B2 (en) Cleaning method and cleaning device for electronic component members
EP1084510A1 (en) Post-etching alkaline treatment process
SU1227606A1 (en) Method of cleaning glass surface
JP3332323B2 (en) Cleaning method and cleaning device for electronic component members
JPH03136329A (en) Cleaning method for silicon substrate surface
KR101799282B1 (en) Cleaning composite of semiconductor wafer and display panel and manufacturing method thereof
JPH1129795A (en) Cleaning water for electronic material, its preparation, and cleaning of electronic material
US3793035A (en) Method of developing opaquely coated sensitized matrix with periodate containing solution
JPH04101418A (en) Method of increasing lifetime of si wafer
JP4205106B2 (en) Method and apparatus for cleaning phase shift photomask
JP2001096241A (en) Washing liquid and washing method of precision substrate
JPH07206474A (en) Treatment of transparent glass substrate
KR950005626B1 (en) Aluminum film removal method of braun tube
JPH11186207A (en) Cleaning water for electronic material
KR100228372B1 (en) Wafer cleaning apparatus
SU1033467A1 (en) Method for cleaning glass supports
JPS6314038B2 (en)
RU2079930C1 (en) Method of removal of scale, oxides, rust from metal surfaces of parts
SU1306402A1 (en) Method of regeneration of masks blanks
JPS6395627A (en) Chemicals washing apparatus