SU1224867A1 - Щелева лини - Google Patents

Abstract

Изобретение может использоватьс  в интегральных пассивных и активных элементах тракта СВЧ-техники. Уменьшаютс  вносимые потери. Щелева  лини  содержит подложку 1, на одной стороне которой нанесен полупроводниковый слой (ПС) 2, на котором размещены две полосы 3 и 4 из легированного полупроводника, с размещенными на них двум  металлическими проводниками (МП) 5 и 6. Услови  распространени  СВЧ-сигнала с наименьшими вносимыми потер ми осуществл ютс  при толщине t каждой полосы 3 и 4, составл ющей t(0,02-0,1)T, где Т - толщина подложки 1, и рассто нии S между ближайшими кромками полос 3 и 4, составл ющем S(0,025-0,06), где Я - длина волны. Выбором рассто ни  A- K/k между каждой из ближайших кромок полос 3 и 4 и кромкой соответственно MII5 и 6 обеспечиваетс  отсутствие эффекта про-1 никновени  пол  входного СВЧ-сигнала 2 в область, зан тую МПЗ и 6, за счет чего уменьшаютс  вносимые потери. 1 ил. € (Л to 4 оо а

Description

Изобретение относитс  к технике СВЧ и может быть использовано в интегральных пассивных и активных элементах тракта.

Цель изобретени  - уменьшение вносимых потерь.

На чертеже показана конструкци  щелевой линии.

Щелева  лини  содержит подложку 1,

12248671

щуюс  в направлении полос 3 и 4 и имеющую составл ющую электрического пол  в том же направлении, что и поле напр жени  смеп1ени , благодар  чему осуществл етс  взаимодействие входного СВЧ-сигнала и полупроводникового сло  2. При оговоренных размерах толщины t полос 3 и 4 и рассто ни  S между их ближайшими кромками

на одной стороне которой нанесен полу- О осуществл ютс  услови  распространени  СВЧ-сигнала с наименьшими вносимыми потер ми.

ни  СВЧ-сигнала с наименьшими вносимыми потер ми.

Благодар  выбору рассто ни  d между каждой из ближайших кромок

проводниковый слой 2. На полупроводниковом слое 2 размещены дв-е полосы 3 и 4, выполненные из легированного полупроводника. На полосах 3 и 4 размещены два металлических проводника 5 15 полос 3 и 4 и кромкой металлического

проводника, соответственно 5 и 6 , обеспечиваетс  отсутствие эффекта проникновени  пол  входного СВЧ-сигнала в область, зан тую метал- 20

и 6, Проводимость б легированного проводника Сз 1 (Ом см) , толщина t каждой полосы 3 и 4 t(0,02- )Т, где Т - толщина подложки 1. Рассто ние S между ближайшими кромками полос 3 и 4 S(0,025-0,06), где - длина волны, а рассто ние d между каждой из этих кромок и ближайшей к ней кромкой металлического проводника, соответственно 5 и 6, выбрано не менее четверти длины волны

d гЛ/4.

Щелева  лини  работает следующим образом.

На металлические проводники 5 и 6 подаетс  напр жение смешени  от источника посто нного напр жени  (на чертеже не показан). Поскольку проводимость С полос 3 и 4 значительно выше, чем проводимость полупроводникового сло  2, то подаваемое напр жение смещени  оказываетс  приложенным практически к области полупроводникового сло  2, заключенной между ближайшими кромками полос 3 и 4, расположенных на рассто нии S. В этой области полупроводникового сло  2 создаетс  электрическое поле.

30

лическими проводниками 5 и 6, за счет чего и происходит уменьшение вносимых потерь. Как и в прототипе, дл  дальнейшего уменьшени  вносимых потерь можно использовать металли- 25 ческие экраны. При определенных напр жени х смещени  возможно усиление входного СВЧ-сигнала.

Форм ул а изобретени 

Щелева  лини , содержаща  подложку , на одной стороне которой нанесен полупроводниковый слой, и два металлических проводника, отличающа с  тем, что, с целью уменьшени  вносимьк потерь, на полупроводниковом слое дополнительно размещены две полосы, выполненные из легированного полупроводника, а два металли- 40 ческих проводника размещены на них, при этом проводимость (j легированного полупроводника и 5 1 Ом см , толщина каждой полосы составл ет 0,02-0,1 толщины подложки и рассто 35

превышающее порог отрицательной диф- 45 ние между ближайшими кроМками полос ференциальной проводимости и направленное п ерпендикул рно ближайшим кромкам полос 3 и 4. Входной СВЧ- сигн-ал возбуждает электромагнитную волну щелевого типа, распростран ю- 50

составл ет 0,025-0,06 длины волны, а рассто ние между каждой из этих кромок и ближайшей к ней кромкой металлического проводника выбрано не менее четверти длины волны.

Редактор О.Колесникова

Составитель Б.Алыбин

Техред И.Попович Корректор М.Пожо

Заказ 1957/51 Тираж 597 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г.Ужгород, ул.Проектна , 4

осуществл ютс  услови  распространени  СВЧ-сигнала с наименьшими вносимыми потер ми.

Благодар  выбору рассто ни  d между каждой из ближайших кромок

полос 3 и 4 и кромкой металлического

проводника, соответственно 5 и 6 , обеспечиваетс  отсутствие эффекта проникновени  пол  входного СВЧ-сигнала в область, зан тую метал-

лическими проводниками 5 и 6, за счет чего и происходит уменьшение вносимых потерь. Как и в прототипе, дл  дальнейшего уменьшени  вносимых потерь можно использовать металли- ческие экраны. При определенных напр жени х смещени  возможно усиление входного СВЧ-сигнала.

Форм ул а изобретени 

Щелева  лини , содержаща  подложку , на одной стороне которой нанесен полупроводниковый слой, и два металлических проводника, отличающа с  тем, что, с целью уменьшени  вносимьк потерь, на полупроводниковом слое дополнительно размещены две полосы, выполненные из легированного полупроводника, а два металли- ческих проводника размещены на них, при этом проводимость (j легированного полупроводника и 5 1 Ом см , толщина каждой полосы составл ет 0,02-0,1 толщины подложки и рассто 

ние между ближайшими кроМками полос

составл ет 0,025-0,06 длины волны, а рассто ние между каждой из этих кромок и ближайшей к ней кромкой металлического проводника выбрано не менее четверти длины волны.

Claims (1)

1. Ф о р м ул а изобретения размещены легирование т алл иЩелевая линия, содержащая подложку, на одной стороне которой нанесен полупроводниковый слой, и два металлических проводника, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения вносимых потерь, на полупроводниковом слое дополнительно две полосы, выполненные из ного полупроводника, а два ческих проводника размещены на них, при этом проводимость ύ легированного полупроводника й 5 1 Ом см~* , толщина каждой полосы составляет 0,02-0,1 толщины подложки и расстояние между ближайшими кроМками полос _f составляет 0,025-0,06 длины волны, а расстояние между каждой из этих кромок и ближайшей к ней кромкой металлического проводника выбрано не менее четверти длины волны.