SU1201793A1 - Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal - Google Patents
Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal Download PDFInfo
- Publication number
- SU1201793A1 SU1201793A1 SU833598243A SU3598243A SU1201793A1 SU 1201793 A1 SU1201793 A1 SU 1201793A1 SU 833598243 A SU833598243 A SU 833598243A SU 3598243 A SU3598243 A SU 3598243A SU 1201793 A1 SU1201793 A1 SU 1201793A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- capacitor
- semiconductor layer
- resistor
- image
- read
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО РЕНТГЕНОВСКОГО, В ВИДЕОСИГНАЛ, содержащее оптическую сканирующую систему дл формировани считывающего оптического луча, конденсатор, на одну обкладку которого нанесен полупроводниковый слой, а друга обкладка выполнена прозрачной дп считывающего оптического луча, резистор дл формировани фототока при сканировании , св занный с обкладками конденсатора , систему регистрации фототока , протекающего через резистор, и систему проецировани изображени на полупроводниковый слой, отличающеес тем, что, с целью повьшени качества видеосигнала, оно содержит источник высокого напр жени и коммутатор дл попеременного подключени к обкладкам конденсатора тока высокого напр жени при экспонировании полупровод шкового сло или резистора при сканировании считывающим лучом, при этом промежуток (П между полупроводниковым слоем и прозрачной обкладкой заполнен прозрачным диэлектриком.A DEVICE FOR TRANSFORMING AN IMAGE, PREFERRINGLY A X-RAY AREA, a VCR, containing an optical scanning system for forming a read-out optical beam, a capacitor, on one face of which a semiconductor layer is deposited, and the other plate is made of a transparent pattern, a template for a read-out pattern, a capacitor with a semiconductor layer on it with capacitor plates, a photocurrent detection system flowing through a resistor, and an image projection system onto semiconductors A new layer, characterized in that, in order to improve the quality of the video signal, it contains a high voltage source and a switch for alternately connecting to the plates of a high voltage capacitor when exposing a semiconductor luminous layer or resistor when scanning with a read beam, while the gap (P between the semiconductor layer and the transparent lining is filled with a transparent dielectric.
Description
Изобретение относитс к технической физике и может быть применено в рентгеновской технике при неразрушающем контроле и медицинской диагностике .The invention relates to technical physics and can be applied in X-ray technology with non-destructive testing and medical diagnostics.
Цель изобретени - повьпиение качества видеосигнала.The purpose of the invention is to demonstrate the quality of the video signal.
.На чертеже представлена структурна схема дефектоскопа, в котором использовайд устройство дл преобразовани изображени , преимущественно рентгеновского, в видеосигнал.The drawing shows a structural diagram of a flaw detector, in which a device is used to convert an image, mainly X-ray, into a video signal.
Устройство состоит из конденсатора 1, на обкладку 2 которого нанесен полупроводниковый слой 3, а друга обкладка 4 выполнена прозрачной дп считыван цего оптического луча и электрически св зана через параллельно соединенные источник высокого напр жени 5 и резистор 6, включаемый в цепь системы регистрации фототока 7, с коммутатором 8, подключенным к координатночувствительному датчику 9 оптической сканирующей системы 10 (с источником света 11 и оптическим развертывающим устройством 12) и к обкладке 2 конденсатора 1, на полупроводниковом слое 3 которой формируетс рентгеновское изображение системой 13 проецировани изображени .The device consists of a capacitor 1, on the plate 2 of which a semiconductor layer 3 is applied, and the other plate 4 is made transparent dp read out of this optical beam and electrically connected through a parallel-connected high voltage source 5 and a resistor 6 included in the photocurrent detection system circuit 7, with the switch 8 connected to the coordinate-sensitive sensor 9 of the optical scanning system 10 (with the light source 11 and the optical scanning device 12) and to the plate 2 of the capacitor 1, on a semiconductor slider The third of which forms an x-ray image by the image projection system 13.
На чертеже приведен также электронно-вычислительный комплекс 14 обработки и визуализаци: видеосигнала.The drawing also shows the electronic-computer complex 14 for processing and visualization of: a video signal.
Рентгеновское изображение, сформированное системой 13 проецировани через обкладку 2 конденсатора 1. взаимодействует с полупроводниковым слоем 3. Под действием рентгеновского излучени полупроводниковый слой измен ет сво|о проводимость адекватно распределению интенсивности рентгеновского излучени на его входе. В то е врем коммутатор 8 подключает напр жение от источника 5 к обкладкам 2 и 4 конденсатора 1, в результате чего в конденсаторе 1 вдоль границы диэлектрика 15 и полупроводникового сло 3 образуетс потенциальный рельеф, распределение которого адекватно проводимости полупроводникового сло 3 и, следовательно, распределению интенсивиости рентгеновского излучени в входной плоскоскости полупроводникового сло 3.The x-ray image formed by the projection system 13 through the lining 2 of the capacitor 1. interacts with the semiconductor layer 3. Under the effect of the x-ray radiation, the semiconductor layer changes its conductivity to match the distribution of x-ray intensity at its input. At the same time, the switch 8 connects the voltage from the source 5 to the plates 2 and 4 of the capacitor 1, resulting in a capacitor 1 along the border of the dielectric 15 and the semiconductor layer 3, a potential relief is formed, the distribution of which is adequate to the conductivity of the semiconductor layer 3 and, consequently, the distribution x-ray intensities in the input plane of the semiconductor layer 3.
Далее коммутатор 8 вместо источника 5 напр жени к обкладкам 2 и 4 конденсатора 1 подключает резистор 6. Одновременно включаетс оптическа Next, the switch 8, instead of the voltage source 5, connects the resistor 6 to the plates 2 and 4 of the capacitor 1. At the same time, the optical
сканирующа система 10. Световой луч, сформированный источником света 11 и оптическим развёртывающим устройством 12 сканирующей системы 10, сканирует через оптически прозрачныеscanning system 10. The light beam formed by the light source 11 and the optical unwrapping device 12 of the scanning system 10 scans through optically transparent
обкладку 4 и диэлектрик 15 конденсатора 1 поверхность полупроводникового сло 3.the plate 4 and the dielectric 15 of the capacitor 1 the surface of the semiconductor layer 3.
Под действием светового луча в полупроводниковом слое 3 в месте егоUnder the action of the light beam in the semiconductor layer 3 in its place
взаимодействи с лучом увеличиваетс проводимость, и, следовательно, увеличиваетс ток разр да в цепи резистора 6, образу на нем сигнал, поступающий через систему регистрации фототока 7 в электронно-вычислительный комплекс 14.interaction with the beam increases the conductivity, and, consequently, the discharge current in the resistor 6 circuit increases, forming a signal on it through the photocurrent registration system 7 to the electronic-computer complex 14.
Таким образом, .при сканировании световым лучом поверхности полупроводникового сло 3 на резисторе 6 образуетс последовательность сигналов, соответствующих распределению интенсивности рентгеновского излучени в входной плоскости полупроводниковогоThus, when a light beam is scanning the surface of the semiconductor layer 3 on the resistor 6, a sequence of signals is formed that correspond to the distribution of the x-ray intensity in the input plane of the semiconductor
сло 3 с пространственными координатами , зафиксированными с помощью координатночувствительного датчика 9 сканирующей системы 10 и регистрируемыми электронно-вычислительным комплексом 14.a layer 3 with spatial coordinates fixed by means of a coordinate-sensitive sensor 9 of the scanning system 10 and recorded by the electronic-computer complex 14.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833598243A SU1201793A1 (en) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833598243A SU1201793A1 (en) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1201793A1 true SU1201793A1 (en) | 1985-12-30 |
Family
ID=21065891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU833598243A SU1201793A1 (en) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1201793A1 (en) |
-
1983
- 1983-05-24 SU SU833598243A patent/SU1201793A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Гренишин С.Г. Электрографические процессы. М.: Наука, 1970, с. 252.. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3594583A (en) | Electro-optical devices for detecting images of invisible radiations using interaction of light beams | |
EP0600673A2 (en) | Method and apparatus for imaging radiation beams of different wavelengths | |
US5286968A (en) | Method and device for multichannel analog detection | |
JPS63114455A (en) | Electrostatic image sensor | |
SU1201793A1 (en) | Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal | |
DE3785932T2 (en) | HIGH RESOLUTION OPTICAL IMAGING DEVICE. | |
US4079421A (en) | Image scanning system | |
US3903364A (en) | High resolution line scanner | |
US3676732A (en) | Photo-electronic imaging apparatus | |
EP0376282B1 (en) | Photo-modulation method and system for reproducing charge latent image | |
JPH02143778A (en) | Read system for electric charge latent image | |
US3792259A (en) | Electro-optic device comprising an optic image relay and method of manufacturing same | |
JPS6037582A (en) | Method and apparatus for displaying and reading image | |
US3509276A (en) | Photo-electronic imaging apparatus | |
US3529300A (en) | Method and apparatus for retrieving information stored by persistent internal polarization using a pure optical read out technique | |
JPS564004A (en) | System for detecting minute defects of body | |
SU1022089A1 (en) | Method and apparatus for storing and reproducing latent x-ray image | |
JPS56153228A (en) | Method and device for measurement of stress | |
KR910007703B1 (en) | Measuring method for blooming for a solid photographing element and the apparatus of the same | |
SU430526A1 (en) | PHOTO-ELECTRICAL DEVICE FOR CONTROL BOARDS | |
SU543955A1 (en) | Optoelectronic correlator | |
SU630983A1 (en) | Device for detecting deffects on surface of semiconductor instruments | |
JPH0548461B2 (en) | ||
RU2013820C1 (en) | Method of generation of image of defects of semiconductor plates of large area and device for its implementation | |
SU959015A1 (en) | Image converter |