SU1201793A1 - Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal - Google Patents

Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal Download PDF

Info

Publication number
SU1201793A1
SU1201793A1 SU833598243A SU3598243A SU1201793A1 SU 1201793 A1 SU1201793 A1 SU 1201793A1 SU 833598243 A SU833598243 A SU 833598243A SU 3598243 A SU3598243 A SU 3598243A SU 1201793 A1 SU1201793 A1 SU 1201793A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
capacitor
semiconductor layer
resistor
image
read
Prior art date
Application number
SU833598243A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Эдуард Ильич Вайнберг
Евгений Александрович Гусев
Борис Менделевич Кантер
Original Assignee
Научно-Исследовательский Институт Интроскопии
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-Исследовательский Институт Интроскопии filed Critical Научно-Исследовательский Институт Интроскопии
Priority to SU833598243A priority Critical patent/SU1201793A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1201793A1 publication Critical patent/SU1201793A1/en

Links

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО РЕНТГЕНОВСКОГО, В ВИДЕОСИГНАЛ, содержащее оптическую сканирующую систему дл  формировани  считывающего оптического луча, конденсатор, на одну обкладку которого нанесен полупроводниковый слой, а друга  обкладка выполнена прозрачной дп  считывающего оптического луча, резистор дл  формировани  фототока при сканировании , св занный с обкладками конденсатора , систему регистрации фототока , протекающего через резистор, и систему проецировани  изображени  на полупроводниковый слой, отличающеес  тем, что, с целью повьшени  качества видеосигнала, оно содержит источник высокого напр жени  и коммутатор дл  попеременного подключени  к обкладкам конденсатора тока высокого напр жени  при экспонировании полупровод шкового сло  или резистора при сканировании считывающим лучом, при этом промежуток (П между полупроводниковым слоем и прозрачной обкладкой заполнен прозрачным диэлектриком.A DEVICE FOR TRANSFORMING AN IMAGE, PREFERRINGLY A X-RAY AREA, a VCR, containing an optical scanning system for forming a read-out optical beam, a capacitor, on one face of which a semiconductor layer is deposited, and the other plate is made of a transparent pattern, a template for a read-out pattern, a capacitor with a semiconductor layer on it with capacitor plates, a photocurrent detection system flowing through a resistor, and an image projection system onto semiconductors A new layer, characterized in that, in order to improve the quality of the video signal, it contains a high voltage source and a switch for alternately connecting to the plates of a high voltage capacitor when exposing a semiconductor luminous layer or resistor when scanning with a read beam, while the gap (P between the semiconductor layer and the transparent lining is filled with a transparent dielectric.

Description

Изобретение относитс  к технической физике и может быть применено в рентгеновской технике при неразрушающем контроле и медицинской диагностике .The invention relates to technical physics and can be applied in X-ray technology with non-destructive testing and medical diagnostics.

Цель изобретени  - повьпиение качества видеосигнала.The purpose of the invention is to demonstrate the quality of the video signal.

.На чертеже представлена структурна  схема дефектоскопа, в котором использовайд устройство дл  преобразовани  изображени , преимущественно рентгеновского, в видеосигнал.The drawing shows a structural diagram of a flaw detector, in which a device is used to convert an image, mainly X-ray, into a video signal.

Устройство состоит из конденсатора 1, на обкладку 2 которого нанесен полупроводниковый слой 3, а друга  обкладка 4 выполнена прозрачной дп  считыван цего оптического луча и электрически св зана через параллельно соединенные источник высокого напр жени  5 и резистор 6, включаемый в цепь системы регистрации фототока 7, с коммутатором 8, подключенным к координатночувствительному датчику 9 оптической сканирующей системы 10 (с источником света 11 и оптическим развертывающим устройством 12) и к обкладке 2 конденсатора 1, на полупроводниковом слое 3 которой формируетс  рентгеновское изображение системой 13 проецировани  изображени .The device consists of a capacitor 1, on the plate 2 of which a semiconductor layer 3 is applied, and the other plate 4 is made transparent dp read out of this optical beam and electrically connected through a parallel-connected high voltage source 5 and a resistor 6 included in the photocurrent detection system circuit 7, with the switch 8 connected to the coordinate-sensitive sensor 9 of the optical scanning system 10 (with the light source 11 and the optical scanning device 12) and to the plate 2 of the capacitor 1, on a semiconductor slider The third of which forms an x-ray image by the image projection system 13.

На чертеже приведен также электронно-вычислительный комплекс 14 обработки и визуализаци: видеосигнала.The drawing also shows the electronic-computer complex 14 for processing and visualization of: a video signal.

Рентгеновское изображение, сформированное системой 13 проецировани  через обкладку 2 конденсатора 1. взаимодействует с полупроводниковым слоем 3. Под действием рентгеновского излучени  полупроводниковый слой измен ет сво|о проводимость адекватно распределению интенсивности рентгеновского излучени  на его входе. В то е врем  коммутатор 8 подключает напр жение от источника 5 к обкладкам 2 и 4 конденсатора 1, в результате чего в конденсаторе 1 вдоль границы диэлектрика 15 и полупроводникового сло  3 образуетс  потенциальный рельеф, распределение которого адекватно проводимости полупроводникового сло  3 и, следовательно, распределению интенсивиости рентгеновского излучени  в входной плоскоскости полупроводникового сло  3.The x-ray image formed by the projection system 13 through the lining 2 of the capacitor 1. interacts with the semiconductor layer 3. Under the effect of the x-ray radiation, the semiconductor layer changes its conductivity to match the distribution of x-ray intensity at its input. At the same time, the switch 8 connects the voltage from the source 5 to the plates 2 and 4 of the capacitor 1, resulting in a capacitor 1 along the border of the dielectric 15 and the semiconductor layer 3, a potential relief is formed, the distribution of which is adequate to the conductivity of the semiconductor layer 3 and, consequently, the distribution x-ray intensities in the input plane of the semiconductor layer 3.

Далее коммутатор 8 вместо источника 5 напр жени  к обкладкам 2 и 4 конденсатора 1 подключает резистор 6. Одновременно включаетс  оптическа Next, the switch 8, instead of the voltage source 5, connects the resistor 6 to the plates 2 and 4 of the capacitor 1. At the same time, the optical

сканирующа  система 10. Световой луч, сформированный источником света 11 и оптическим развёртывающим устройством 12 сканирующей системы 10, сканирует через оптически прозрачныеscanning system 10. The light beam formed by the light source 11 and the optical unwrapping device 12 of the scanning system 10 scans through optically transparent

обкладку 4 и диэлектрик 15 конденсатора 1 поверхность полупроводникового сло  3.the plate 4 and the dielectric 15 of the capacitor 1 the surface of the semiconductor layer 3.

Под действием светового луча в полупроводниковом слое 3 в месте егоUnder the action of the light beam in the semiconductor layer 3 in its place

взаимодействи  с лучом увеличиваетс  проводимость, и, следовательно, увеличиваетс  ток разр да в цепи резистора 6, образу  на нем сигнал, поступающий через систему регистрации фототока 7 в электронно-вычислительный комплекс 14.interaction with the beam increases the conductivity, and, consequently, the discharge current in the resistor 6 circuit increases, forming a signal on it through the photocurrent registration system 7 to the electronic-computer complex 14.

Таким образом, .при сканировании световым лучом поверхности полупроводникового сло  3 на резисторе 6 образуетс  последовательность сигналов, соответствующих распределению интенсивности рентгеновского излучени  в входной плоскости полупроводниковогоThus, when a light beam is scanning the surface of the semiconductor layer 3 on the resistor 6, a sequence of signals is formed that correspond to the distribution of the x-ray intensity in the input plane of the semiconductor

сло  3 с пространственными координатами , зафиксированными с помощью координатночувствительного датчика 9 сканирующей системы 10 и регистрируемыми электронно-вычислительным комплексом 14.a layer 3 with spatial coordinates fixed by means of a coordinate-sensitive sensor 9 of the scanning system 10 and recorded by the electronic-computer complex 14.

Claims (1)

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО РЕНТГЕНОВСКОГО, В ВИДЕОСИГНАЛ, содержащее оптическую сканирующую систему для формирования считывающего оптического луча, конденсатор, на одну обкладку которого нанесен полупроводниковый слой, а другая обкладка выполнена прозрачной для считывающего оптического луча, резистор для формирования фототока при сканировании, связанный с обкладками конденсатора, систему регистрации фототока, протекающего через резистор, и систему проецирования изображения на полупроводниковый слой, отличающееся тем, что, с целью повышения качества видеосигнала, оно содержит источник высокого напряжения и коммутатор для попеременного подключения к обкладкам конденсатора тока высокого напряжения при экспонировании полупроводникового слоя или резистора при сканировании считывающим лучом, при этом промежуток между полупроводниковым слоем и прозрачной обкладкой заполнен прозрачным диэлектриком.DEVICE FOR TRANSFORMING AN IMAGE, PREFERREDLY X-RAY, TO A VIDEO SIGNAL, comprising an optical scanning system for generating a read optical beam, a capacitor, on one lining of which a semiconductor layer is deposited, and the other lining is transparent for reading from the optical scan read resistor capacitor plates, a system for registering a photocurrent flowing through a resistor, and a system for projecting an image onto a semiconductor layer d, characterized in that, in order to improve the quality of the video signal, it contains a high voltage source and a switch for alternately connecting the high voltage current capacitor to the plates of the capacitor when exposing the semiconductor layer or resistor when scanning with a read beam, while the gap between the semiconductor layer and the transparent lining is filled transparent dielectric.
SU833598243A 1983-05-24 1983-05-24 Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal SU1201793A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833598243A SU1201793A1 (en) 1983-05-24 1983-05-24 Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833598243A SU1201793A1 (en) 1983-05-24 1983-05-24 Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1201793A1 true SU1201793A1 (en) 1985-12-30

Family

ID=21065891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833598243A SU1201793A1 (en) 1983-05-24 1983-05-24 Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1201793A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Гренишин С.Г. Электрографические процессы. М.: Наука, 1970, с. 252.. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3594583A (en) Electro-optical devices for detecting images of invisible radiations using interaction of light beams
EP0600673A2 (en) Method and apparatus for imaging radiation beams of different wavelengths
US5286968A (en) Method and device for multichannel analog detection
JPS63114455A (en) Electrostatic image sensor
SU1201793A1 (en) Device for converting image,particularly,x-ray image to video signal
DE3785932T2 (en) HIGH RESOLUTION OPTICAL IMAGING DEVICE.
US4079421A (en) Image scanning system
US3903364A (en) High resolution line scanner
US3676732A (en) Photo-electronic imaging apparatus
EP0376282B1 (en) Photo-modulation method and system for reproducing charge latent image
JPH02143778A (en) Read system for electric charge latent image
US3792259A (en) Electro-optic device comprising an optic image relay and method of manufacturing same
JPS6037582A (en) Method and apparatus for displaying and reading image
US3509276A (en) Photo-electronic imaging apparatus
US3529300A (en) Method and apparatus for retrieving information stored by persistent internal polarization using a pure optical read out technique
JPS564004A (en) System for detecting minute defects of body
SU1022089A1 (en) Method and apparatus for storing and reproducing latent x-ray image
JPS56153228A (en) Method and device for measurement of stress
KR910007703B1 (en) Measuring method for blooming for a solid photographing element and the apparatus of the same
SU430526A1 (en) PHOTO-ELECTRICAL DEVICE FOR CONTROL BOARDS
SU543955A1 (en) Optoelectronic correlator
SU630983A1 (en) Device for detecting deffects on surface of semiconductor instruments
JPH0548461B2 (en)
RU2013820C1 (en) Method of generation of image of defects of semiconductor plates of large area and device for its implementation
SU959015A1 (en) Image converter