SU1198423A1 - Method of thermal flaw detection - Google Patents
Method of thermal flaw detection Download PDFInfo
- Publication number
- SU1198423A1 SU1198423A1 SU833676730A SU3676730A SU1198423A1 SU 1198423 A1 SU1198423 A1 SU 1198423A1 SU 833676730 A SU833676730 A SU 833676730A SU 3676730 A SU3676730 A SU 3676730A SU 1198423 A1 SU1198423 A1 SU 1198423A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- heating
- temperature
- probe
- cooling
- flaw detection
- Prior art date
Links
Description
Изобретение относится к измерительной технике в тепловой дефектоскопии и может использоваться при выявлении внутренних дефектов (полости, инородные включения и т.д.) твердых тел.The invention relates to a measuring technique in thermal inspection and can be used to detect internal defects (cavities, foreign matter, etc.) of solids.
Целью изобретения является уменьшение времени измерения и обспечение возможности контроля внутренних дефектов.The aim of the invention is to reduce the measurement time and ensure the possibility of monitoring internal defects.
На фиг.1 приведена кривая нагрева рабочего элемента объект-зонд (где Т - температура; I - время нагрева); на фиг.2 - функциональная схема устройства реализующего способ.Figure 1 shows the heating curve of the working element of the object-probe (where T is the temperature; I is the heating time); figure 2 - functional diagram of the device implements the method.
Способ включает следующую последовательность рабочих операций.The method includes the following sequence of operations.
Объект излучения и зонд тепловой дефектоскопии, выполненные из одного материала, включаются в плечо мостовой схемы. Контактное сопротивление зонд-объект разоревается рабочим током моста, регистрируется значение сопротивления, по которому пересчитывается температура. Переходное контактное сопротивление разогревают до температуры Т., (участок а кривой на фиг.1), меньшей чем максимальная температура переходного процесса нагрева.' При достижении температурыThe radiation object and thermal flaw probe made of the same material are included in the shoulder of the bridge circuit. The contact resistance of the probe object is ruined by the operating current of the bridge, the resistance value is calculated, according to which the temperature is recalculated. The transitional contact resistance is heated to a temperature T., (section a curve in figure 1), less than the maximum temperature of the transition process of heating. When the temperature reaches
скачком изменяют ток, протекающий по цепи объект-зонд. При этом величина тока выбирается меньшей,stepwise change the current flowing through the circuit object probe. In this case, the current value is chosen smaller,
чем в первоначальном режиме. Система зонд—объект охлаждается до температуры Тг. После достижения значения Т2 снова скачком увеличивают токthan in the original mode. Probe-object system is cooled to a temperature T r. After reaching the value of T 2 again abruptly increase the current
5 до величины, соответствующей режиму Τη. Т.е. процедуру нагрев - охлаждение периодически повторяют (участок сГкривой на фиг.1).5 to the value corresponding to the Τη mode. Those. The heating-cooling procedure is periodically repeated (section c of the curve in Fig. 1).
По частоте импульсов нагрева10 охлаждения определяют наличие дефектов в материале и его величину.The frequency of heating pulses10 cooling determine the presence of defects in the material and its value.
Устройство, реализующее способ 'A device that implements the method '
. тепловой дефектоскопии (фиг.2) содержит зонд I, касающийся поверхности. thermal flaw detection (figure 2) contains a probe I, touching the surface
15 контролируемого объекта 2, и составляет плечо моста, остальными плечами которого являются сопротивление 3 и параллельные цепи из сопротивлений 4—7 и ключей 8 и 9. Одна диа—15 of the controlled object 2, and is the shoulder of the bridge, the remaining arms of which are resistance 3 and parallel chains of resistances 4–7 and keys 8 and 9. One diameter
20 гональ мостовой схемы соединена с входом источника питания 10, а вторая - с входом амплитудного ограничителя 11, выход которого соединен с входом диодной схемы 12. ВыходThe 20 gonal bridge circuit is connected to the input of the power source 10, and the second to the input of the amplitude limiter 11, the output of which is connected to the input of the diode circuit 12. The output
25 диодной схемы соединен с управляющими цепями ключей и является рабочим выходом устройства.The diode circuit 25 is connected to the control key circuits and is the working output of the device.
Переключение режима нагрев охлаждение осуществляется автомати30 чески включением дополнительных сопротивлений 6 и 7 в плечи моста. Положение включенных ключей 8 и 9 соответствует режиму нагрева, выключенных — режиму охлаждения.Switching the mode to heating and cooling is carried out automatically by the inclusion of additional resistances 6 and 7 in the shoulders of the bridge. The position of the switched on keys 8 and 9 corresponds to the heating mode, the disabled ones to the cooling mode.
11984231198423
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833676730A SU1198423A1 (en) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | Method of thermal flaw detection |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833676730A SU1198423A1 (en) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | Method of thermal flaw detection |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1198423A1 true SU1198423A1 (en) | 1985-12-15 |
Family
ID=21094407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU833676730A SU1198423A1 (en) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | Method of thermal flaw detection |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1198423A1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5709469A (en) * | 1995-03-13 | 1998-01-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Process for testing integrity of bonds between epoxy patches and aircraft structural materials |
US5733042A (en) * | 1994-12-26 | 1998-03-31 | Commissariat A L'energie Atomique | Device and method for testing an optical element subjected to radiation |
US7083327B1 (en) * | 1999-04-06 | 2006-08-01 | Thermal Wave Imaging, Inc. | Method and apparatus for detecting kissing unbond defects |
-
1983
- 1983-12-22 SU SU833676730A patent/SU1198423A1/en active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5733042A (en) * | 1994-12-26 | 1998-03-31 | Commissariat A L'energie Atomique | Device and method for testing an optical element subjected to radiation |
US5709469A (en) * | 1995-03-13 | 1998-01-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Process for testing integrity of bonds between epoxy patches and aircraft structural materials |
US7083327B1 (en) * | 1999-04-06 | 2006-08-01 | Thermal Wave Imaging, Inc. | Method and apparatus for detecting kissing unbond defects |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4039928A (en) | Electrical operating circuit having semiconductor device junction temperature monitoring | |
US4288854A (en) | Bi-modal temperature controller | |
CA1106027A (en) | Apparatus and method for detecting the presence of a substance on a liquid surface | |
SU1198423A1 (en) | Method of thermal flaw detection | |
EP1522089B1 (en) | Method of protecting semiconductor device and protection apparatus for semiconductor device using the same | |
US3611787A (en) | Apparatus for minimizing thermal gradient in test specimens | |
CA2126649A1 (en) | Method and circuit arrangement for measuring the depletion layer temperature of a gto (gate turn-off) thyristor | |
KR950009262A (en) | Apparatus and method for measuring power consumption of inverter cookers | |
KR970007061A (en) | Heating device | |
JPS57123073A (en) | Fault detecting device of thermal head | |
SU716008A1 (en) | Method of determining overloadability of thyristors | |
SU1471089A1 (en) | Method and apparatus for non-demounting check test of thermoelectric transducer | |
SU817567A1 (en) | Method of the flaw detection of articles | |
SU1377625A1 (en) | Method of determining parameters of heat inertia of thermal resistance converter | |
SU994933A2 (en) | Frequency pulse temperature converter | |
SU1204932A1 (en) | Thermoanemometric transducer | |
Glazov et al. | A Method for Measuring Thermomechanical Characteristics of Semiconductors at High Temperatures | |
JPS60158584A (en) | Device and method for controlling and regulating temperatureof electric heating resistor | |
SU1668887A1 (en) | Method of checking thermal siphons leak-proofness assembled with semiconductor devices | |
SU943754A1 (en) | Squarer | |
SU645088A1 (en) | Thermoanemometric transducer | |
SU1247798A1 (en) | Method of checking thermal resistance of power semiconductor device | |
SU1191757A1 (en) | Method of determining error of thermometers with thermoelectric temperature transducers | |
RU2035738C1 (en) | Device for determining mass fraction of fat and dry skim residue in milk | |
SU432472A1 (en) | TWO-POSITIONAL THERMOREGULATOR |