SU1198423A1 - Method of thermal flaw detection - Google Patents

Method of thermal flaw detection Download PDF

Info

Publication number
SU1198423A1
SU1198423A1 SU833676730A SU3676730A SU1198423A1 SU 1198423 A1 SU1198423 A1 SU 1198423A1 SU 833676730 A SU833676730 A SU 833676730A SU 3676730 A SU3676730 A SU 3676730A SU 1198423 A1 SU1198423 A1 SU 1198423A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
heating
temperature
probe
cooling
flaw detection
Prior art date
Application number
SU833676730A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Anatolij F Romanchenko
Natalya L Timochko
Anatolij N Petrov
Original Assignee
Ufim Mo T I
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ufim Mo T I filed Critical Ufim Mo T I
Priority to SU833676730A priority Critical patent/SU1198423A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1198423A1 publication Critical patent/SU1198423A1/en

Links

Description

Изобретение относится к измерительной технике в тепловой дефектоскопии и может использоваться при выявлении внутренних дефектов (полости, инородные включения и т.д.) твердых тел.The invention relates to a measuring technique in thermal inspection and can be used to detect internal defects (cavities, foreign matter, etc.) of solids.

Целью изобретения является уменьшение времени измерения и обспечение возможности контроля внутренних дефектов.The aim of the invention is to reduce the measurement time and ensure the possibility of monitoring internal defects.

На фиг.1 приведена кривая нагрева рабочего элемента объект-зонд (где Т - температура; I - время нагрева); на фиг.2 - функциональная схема устройства реализующего способ.Figure 1 shows the heating curve of the working element of the object-probe (where T is the temperature; I is the heating time); figure 2 - functional diagram of the device implements the method.

Способ включает следующую последовательность рабочих операций.The method includes the following sequence of operations.

Объект излучения и зонд тепловой дефектоскопии, выполненные из одного материала, включаются в плечо мостовой схемы. Контактное сопротивление зонд-объект разоревается рабочим током моста, регистрируется значение сопротивления, по которому пересчитывается температура. Переходное контактное сопротивление разогревают до температуры Т., (участок а кривой на фиг.1), меньшей чем максимальная температура переходного процесса нагрева.' При достижении температурыThe radiation object and thermal flaw probe made of the same material are included in the shoulder of the bridge circuit. The contact resistance of the probe object is ruined by the operating current of the bridge, the resistance value is calculated, according to which the temperature is recalculated. The transitional contact resistance is heated to a temperature T., (section a curve in figure 1), less than the maximum temperature of the transition process of heating. When the temperature reaches

скачком изменяют ток, протекающий по цепи объект-зонд. При этом величина тока выбирается меньшей,stepwise change the current flowing through the circuit object probe. In this case, the current value is chosen smaller,

чем в первоначальном режиме. Система зонд—объект охлаждается до температуры Тг. После достижения значения Т2 снова скачком увеличивают токthan in the original mode. Probe-object system is cooled to a temperature T r. After reaching the value of T 2 again abruptly increase the current

5 до величины, соответствующей режиму Τη. Т.е. процедуру нагрев - охлаждение периодически повторяют (участок сГкривой на фиг.1).5 to the value corresponding to the Τη mode. Those. The heating-cooling procedure is periodically repeated (section c of the curve in Fig. 1).

По частоте импульсов нагрева10 охлаждения определяют наличие дефектов в материале и его величину.The frequency of heating pulses10 cooling determine the presence of defects in the material and its value.

Устройство, реализующее способ 'A device that implements the method '

. тепловой дефектоскопии (фиг.2) содержит зонд I, касающийся поверхности. thermal flaw detection (figure 2) contains a probe I, touching the surface

15 контролируемого объекта 2, и составляет плечо моста, остальными плечами которого являются сопротивление 3 и параллельные цепи из сопротивлений 4—7 и ключей 8 и 9. Одна диа—15 of the controlled object 2, and is the shoulder of the bridge, the remaining arms of which are resistance 3 and parallel chains of resistances 4–7 and keys 8 and 9. One diameter

20 гональ мостовой схемы соединена с входом источника питания 10, а вторая - с входом амплитудного ограничителя 11, выход которого соединен с входом диодной схемы 12. ВыходThe 20 gonal bridge circuit is connected to the input of the power source 10, and the second to the input of the amplitude limiter 11, the output of which is connected to the input of the diode circuit 12. The output

25 диодной схемы соединен с управляющими цепями ключей и является рабочим выходом устройства.The diode circuit 25 is connected to the control key circuits and is the working output of the device.

Переключение режима нагрев охлаждение осуществляется автомати30 чески включением дополнительных сопротивлений 6 и 7 в плечи моста. Положение включенных ключей 8 и 9 соответствует режиму нагрева, выключенных — режиму охлаждения.Switching the mode to heating and cooling is carried out automatically by the inclusion of additional resistances 6 and 7 in the shoulders of the bridge. The position of the switched on keys 8 and 9 corresponds to the heating mode, the disabled ones to the cooling mode.

11984231198423

Claims (2)

СПОСОБ ТЕПЛОВОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИ, заключающийся в измерении переходного сопротивления системы зонд-объект, выполненных из одногоMETHOD OF HEAT DETECTION, consisting in measuring the transient resistance of the probe-object system, made of one материала, при помощи мостовой измерительной схемы, отличающий с я тем, что, с целью умень—. шения времени измерения и обеспечения возможности контроля внутренних дефектов, переходное сопротивление разогревают до температуры Тп, меньшей, чем максимальная температура То переходного процесса нагрева, затем, изменяя скачком ток, протекающий по цепи объект-зонд, охлаждают систему до температуры , после чего процедуру нагрев-охлаждение периодически повторяют и по частоте импульсов нагрева—охлаждения определяют наличие дефектов в материале.material, with the help of a bridge measuring circuit, which differs from me in that, for the purpose of decreasing. the measurement time and the ability to control internal defects, transient resistance is heated to a temperature T p less than the maximum temperature T o of the transient heating process, then, changing the current flowing through the object probe circuit, cool the system to the temperature, after which the procedure heating-cooling is periodically repeated and the presence of defects in the material is determined by the frequency of the heating-cooling pulses. §§ Фие. 1Phie. one 1 11984231 1198423 22
SU833676730A 1983-12-22 1983-12-22 Method of thermal flaw detection SU1198423A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833676730A SU1198423A1 (en) 1983-12-22 1983-12-22 Method of thermal flaw detection

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833676730A SU1198423A1 (en) 1983-12-22 1983-12-22 Method of thermal flaw detection

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1198423A1 true SU1198423A1 (en) 1985-12-15

Family

ID=21094407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833676730A SU1198423A1 (en) 1983-12-22 1983-12-22 Method of thermal flaw detection

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1198423A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5709469A (en) * 1995-03-13 1998-01-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Process for testing integrity of bonds between epoxy patches and aircraft structural materials
US5733042A (en) * 1994-12-26 1998-03-31 Commissariat A L'energie Atomique Device and method for testing an optical element subjected to radiation
US7083327B1 (en) * 1999-04-06 2006-08-01 Thermal Wave Imaging, Inc. Method and apparatus for detecting kissing unbond defects

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5733042A (en) * 1994-12-26 1998-03-31 Commissariat A L'energie Atomique Device and method for testing an optical element subjected to radiation
US5709469A (en) * 1995-03-13 1998-01-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Process for testing integrity of bonds between epoxy patches and aircraft structural materials
US7083327B1 (en) * 1999-04-06 2006-08-01 Thermal Wave Imaging, Inc. Method and apparatus for detecting kissing unbond defects

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4039928A (en) Electrical operating circuit having semiconductor device junction temperature monitoring
US4288854A (en) Bi-modal temperature controller
CA1106027A (en) Apparatus and method for detecting the presence of a substance on a liquid surface
SU1198423A1 (en) Method of thermal flaw detection
EP1522089B1 (en) Method of protecting semiconductor device and protection apparatus for semiconductor device using the same
US3611787A (en) Apparatus for minimizing thermal gradient in test specimens
CA2126649A1 (en) Method and circuit arrangement for measuring the depletion layer temperature of a gto (gate turn-off) thyristor
KR950009262A (en) Apparatus and method for measuring power consumption of inverter cookers
KR970007061A (en) Heating device
JPS57123073A (en) Fault detecting device of thermal head
SU716008A1 (en) Method of determining overloadability of thyristors
SU1471089A1 (en) Method and apparatus for non-demounting check test of thermoelectric transducer
SU817567A1 (en) Method of the flaw detection of articles
SU1377625A1 (en) Method of determining parameters of heat inertia of thermal resistance converter
SU994933A2 (en) Frequency pulse temperature converter
SU1204932A1 (en) Thermoanemometric transducer
Glazov et al. A Method for Measuring Thermomechanical Characteristics of Semiconductors at High Temperatures
JPS60158584A (en) Device and method for controlling and regulating temperatureof electric heating resistor
SU1668887A1 (en) Method of checking thermal siphons leak-proofness assembled with semiconductor devices
SU943754A1 (en) Squarer
SU645088A1 (en) Thermoanemometric transducer
SU1247798A1 (en) Method of checking thermal resistance of power semiconductor device
SU1191757A1 (en) Method of determining error of thermometers with thermoelectric temperature transducers
RU2035738C1 (en) Device for determining mass fraction of fat and dry skim residue in milk
SU432472A1 (en) TWO-POSITIONAL THERMOREGULATOR