Изобретение относитс к исследо- ванию прочностных свойств материалов , а именно к способам исследова ни ползучести монокристаллов при раст жении. Целью изобретени вл етс пoвь шение информативности исследовани путем оценки вли ни на ползучесть дефектов дисклинационного типа. На чертеже изображена схема осуществлени способа.. Способ осуществл ют следующим об разом. К термопаре 1, св занной с верхним захватом нагружающего устройства (не показаны ), приклеивают , например, керамическим клеем , образец 2 монокристалла. К другому концу образца 2 приклеивают крестовину 3, за счет веса которой образец 2 нагружают раст жением . К крестовине 3 прикреплен зеркальце 4. По повороту крестовины 3 с зеркальцем 4 определ ют угол Ч закручивани образца. Нагрев обра ца осуществл ют нагревательным устройством 5. : О величине угла закручивани суд т по отклонению «Г светового п т на на шкале 6 от луча, посылаемого осветителем 7 и отраженного зеркальцем 4. О величине деформации раст жени суд т по изменению рассто ни между термопарой 1, служащей верхним захватом, и крестовиной 3, служащей нижним захватом. Расчет деформации закручивани производ т по формуле 03 1 где L - рассто ние от зеркальца 4 до шкалы 6; г, j - соответственно радиус и длина образца. При нагружении регистрируют деформацию раст жени , скорость .деформации раст жени , деформацию закручивани и скорость деформации закру- чивани монокристалла. По установленным зависимост м суд т о ползучести монокристалла, и о вли нии на ползучесть деф ектов дисклинационно- го типа, св занных с поворотом крис- таллической решетки. Дл этого определ ют по деформации раст жени составл ющую деформации -закручивани вследствие необратимьгх сдвигов по плоскост х скольжени монокристалла. Затем эту составл ющую вычитают из измеренной деформации закручивани и таким образом определ ют составл ющую де- формации закручивани , обусловленную подвижностью дефектов дисклинацион- ного типа. Пример. Испытывают монокристаллы кремни нитевидной формы длиной 1-10 мм и диаметром 0,01-0,1 мм. Испытание провод т в вакууме при температурах 800-1600 К и раст - гиваюощх напр жени х Па. Полученные результаты показывают, что экспериментальна зависимость деформации закручивани подобна зависимости сигмаидальной полаучести, полученной по измерению удлинени .The invention relates to the study of the strength properties of materials, and specifically to methods for studying the creep of single crystals under stretching. The aim of the invention is to improve the informativeness of the study by assessing the effect on creep of disclination type defects. The drawing shows a scheme for implementing the method. The method is carried out as follows. Thermocouple 1, associated with the upper grip of the loading device (not shown), is glued, for example, with ceramic glue, to sample 2 of the single crystal. The spider 3 is glued to the other end of sample 2, due to the weight of which sample 2 is loaded by stretching. A mirror 4 is attached to the crosspiece 3. By rotating the crosspiece 3 with the mirror 4, the angle зак of the sample twisting is determined. The heating of the specimen is carried out by a heating device 5. thermocouple 1, which serves as the upper grip, and crosspiece 3, which serves as the lower grip. The calculation of the twisting deformation is made according to the formula 03 1 where L is the distance from mirror 4 to scale 6; g, j are the radius and length of the sample, respectively. During loading, the tensile strain, the strain rate of strain, the twist strain, and the rate of twist strain of the single crystal are recorded. According to the established dependences, the creep of a single crystal is judged, and the effect of creep of disclination-type defects associated with the rotation of the crystal lattice. For this purpose, the component of the deformation-twisting due to irreversible shifts along the slip planes of the single crystal is determined from the strain of stretching. This component is then subtracted from the measured twist deformation, and thus the component of the twist deformation due to the mobility of disclination-type defects is determined. Example. Silicon monocrystals of filamentous form with a length of 1-10 mm and a diameter of 0.01-0.1 mm are tested. The test is carried out in vacuum at temperatures of 800-1600 K and tensile stresses Pa. The results obtained show that the experimental dependence of the twisting deformation is similar to the dependence of the sigmaidal creep obtained by measuring the elongation.