SU119176A1 - Способ получени кристаллического кремни - Google Patents

Способ получени кристаллического кремни

Info

Publication number
SU119176A1
SU119176A1 SU599561A SU599561A SU119176A1 SU 119176 A1 SU119176 A1 SU 119176A1 SU 599561 A SU599561 A SU 599561A SU 599561 A SU599561 A SU 599561A SU 119176 A1 SU119176 A1 SU 119176A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
crystalline silicon
obtaining crystalline
pure
silicon
quartz
Prior art date
Application number
SU599561A
Other languages
English (en)
Inventor
В.А. Кравченко
С.А. Моргулев
Original Assignee
В.А. Кравченко
С.А. Моргулев
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В.А. Кравченко, С.А. Моргулев filed Critical В.А. Кравченко
Priority to SU599561A priority Critical patent/SU119176A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU119176A1 publication Critical patent/SU119176A1/ru

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Description

Известно МНОГО способо-в получени  чистого кристаллического кремни , Б ТОМ числе и путем восстановительной плавки кварца или чистого кварцевого песка с углеродистым материалом в дуговой электропечи, но они обладают р дом недостатков, в частности пе обеспечивают необходимой ЧИСТОТЫ конечного продукта и требуют высоких температур, пор дка 1700°.
Описываемый способ заключаетс  в том, что процесс восстановлени  ведут при температуре до 1400° под вакуумом.
Предлагаемый способ экономичнее известных, так как процесс провод т при более низкой температуре, в результате чего получают конечный продукт наиболее чистый.
Способ осуществл ют следующим образом. Измельченпый карбид кремни  смешивают с мелким чистым кварцевым песком или с измельченным кварцем в стехиометрическом соотношении по реакции;
2SiC-f SiO2 3Si + 2CO
После перемешивани  шихту брикетируют, загружают в вакуумную электропечь и нагревают до 1400° при разрежении пор дка 1 мм рт. СТ. При ЭТОМ получают кристаллический кремний, который можно примен ть дл  металлургических целей, или после последующей обработки дл  специальных электротехнических и других целей. Дл  получени  особо ЧИСТОГО кремни , идущего дл  изготовлени  кремниевых полупроводников , необходимо примен ть особо чистые шихтовые материалы .
Предмет изобретени 
Способ получени  кристаллического кремни  путем восстановлени  кварца или чистого кварцевого песка карбидом кремни  при нагреве брикетированной шихты, отличающийс  тем, что процесс восстановлени  ведут при температуре до 1400° под вакуумом.
SU599561A 1958-05-14 1958-05-14 Способ получени кристаллического кремни SU119176A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU599561A SU119176A1 (ru) 1958-05-14 1958-05-14 Способ получени кристаллического кремни

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU599561A SU119176A1 (ru) 1958-05-14 1958-05-14 Способ получени кристаллического кремни

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU119176A1 true SU119176A1 (ru) 1958-11-30

Family

ID=48391146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU599561A SU119176A1 (ru) 1958-05-14 1958-05-14 Способ получени кристаллического кремни

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU119176A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4981668A (en) * 1986-04-29 1991-01-01 Dow Corning Corporation Silicon carbide as a raw material for silicon production
RU2570153C1 (ru) * 2014-08-29 2015-12-10 Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр" Способ выплавки технического кремния

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4981668A (en) * 1986-04-29 1991-01-01 Dow Corning Corporation Silicon carbide as a raw material for silicon production
RU2570153C1 (ru) * 2014-08-29 2015-12-10 Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр" Способ выплавки технического кремния

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU119176A1 (ru) Способ получени кристаллического кремни
ES400833A2 (es) Un procedimiento mejorado para la produccion en horno de arco electrico de silicio por reduccion carbotermica de si- lice.
ES8600702A1 (es) Procedimiento para preparar silicio a partir de una materia prima de cuarzo en un horno electrico de cuba baja
US2957754A (en) Method of making metal borides
US1785464A (en) Process of preparing pure alumina
US2619406A (en) Method for the solid phase production of a disilicide
ES8201216A1 (es) Procedimiento para fabricar piezas moldeadas de materias primas que contienen silicio y carbono para la produccion desilicio o aleaciones de silicio
US3728436A (en) Method of obtaining silicon monoxide
CH609093A5 (en) Process for treating metallurgical slags and dross
SU675085A1 (ru) Шихта дл получени комплексного сплава-раскислител ферроалюмосиликокальци
US3056658A (en) Process for producing molybdenum disilicide
US732410A (en) Manufacture of silicon and aluminium from silicates of alumina.
GB689824A (en) Electro-melting process for the extraction of precious metals from ashes or industrial residues
RU2810161C1 (ru) Способ получения карбида кремния
SU118812A1 (ru) Способ получени карбида кремни
SU206608A1 (ru)
US1311568A (en) Pbocess akd appabattts eob producing nubogeni compounds
SU133470A1 (ru) Способ получени моносульфида цери
JPS6144804B2 (ru)
ES396520A1 (es) Un metodo para fundir ferrosilicio de alta calidad.
SU1604738A1 (ru) Способ получени кремни
SU408936A1 (ru) Огнеупорный материал
SU149798A1 (ru) Способ рафинировани жидкого ферросилици
GB903862A (en) Production of silicon or aluminium-silicon alloys
SU137126A1 (ru) Способ получени безуглеродистого феррохрома