SU1188621A2 - Способ контрол дефектов слоев материалов - Google Patents
Способ контрол дефектов слоев материалов Download PDFInfo
- Publication number
- SU1188621A2 SU1188621A2 SU843788747A SU3788747A SU1188621A2 SU 1188621 A2 SU1188621 A2 SU 1188621A2 SU 843788747 A SU843788747 A SU 843788747A SU 3788747 A SU3788747 A SU 3788747A SU 1188621 A2 SU1188621 A2 SU 1188621A2
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- voltage
- material layers
- defects
- materials
- samples
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ СЛОЕВ МАТЕРИАЛОВ по авт.св.№360599, отличающийс тем, что, с целью увеличени чувствительности контрол материалов с микроструктурой , существенно не измен ющей электропроводность и диэлектрическую проницаемость, к образцам исследуемых материалов предварительно прикладывают переменное электрическое напр жение, величина которого состав л ет 0,8-0,95 пробивного напр жени исследуемого материала. AM
Description
Изобретение относитс к дефектоскопии слоев диэлектрических материалов , может быть использовано в машиностроении, приборостроении и микроэлектронике и вл етс усовершенствованием способа контрол дефектов слоев материалов по авт.св. 360599. Цель изобретени - увеличение чувствительности контрол материало с микроструктурой, существенно не измен ющей электропроводность и диэлектрическую проницаемость. Применение переменного напр жени необходимо дл равномерного пробо слабых мест исследуемого сло , поскольку приложение посто нного напр жени ведет к пробою слабого места, шунтирзпощего затем остальные места возможного пробо . Выбор рабочего напр жени обусло лен тем, что при U р,8 0,8 Uup Upag 0,95 (Jnp , происходит быстрое накопление дефектов из-за по влени пробойных ,на участках материала имеющих уменьшенную толщину. Способ контрол дефектов слоев материалов осуществл етс следующим образом. К образцам исследуемых материало прикладывают .переменное напр жение амплитудой О,8-0,95 п1юбивного. Затем образцы контролируютс известным способом (режим контрол подбир етс экспериментально, так как он зад)1сит от толащны исследуемого ма териала и типа регистрнрзпоцего материала ). После этого фотоэмульсион ный слой про вл ют, фиксируют, промывают и сушат. П р и м е р. Слои феыолфо1 1альде гидной СМ01Ш толщиной 5, 10, 20 и 30 мкм на подложке из сплава Д-16 облучали ультрафиолетовым излучением мощностью 2 Вт/см 30 мин. Затем каждый образец накрывали лавсановой пленкой толциной 30 мкм и устанавливали на нее стальной плоский электрод, закрывающий половину образца. Между электродом и подложкой прикладывали электрическое напр жение амплитудой до 10 кВ, частотой 200 Гц в течение 10 с. После этого электрод и лавсановую пленку снимали, образцы накладывали на эмульсионный слой фотопленки ФТ-41, лежащей на плоском электроде и прикладывали между подложкой и электродом напр жение 8 кВ в течение 40 с. про влени , фиксировани и сушки фотопланки на полученных изображени х (электротопограммах ) определ ли среднюю плотность дефектов отдельно дл предва рительно подвергнутой действию переменного напр жени половины и дл контрольной половины. Результаты приведены на чертеже, где N t плотность дефектов; А - амплитуда переменного напр жени ; 1, 2, 3, 4 - кривые дл образцов с толщиной сло фенолформальдегидной смолы 5, 10, 20 и 30 мкм соответственно; О р - пробивное напр жение. На каждой кривой, отражшоцей рост плотности дефектов в зависимости от амплитуды приложенного переменного напр жени , можно вьщелить два участка: 1- - начальный, на котором вскрываютс локальные нарушени микроструктуры материала и крива имеет характер наовщени } 2-й - на котором происходит накопЖ ние дефектов за счет пробо сло и крива имеет характер монотонного возрастани . Участок, на котором происходит изменение харак- ера кривой дп всех образцов, практически соответствует интервалу напр жени 0,8-0,95 UM . На этом участке плотность дефе1ггов почти не зависит от величины приложенного переменного напр жени , так как все локальные нарупени микроструктуры уже вы влены, но пробой материала еще не наступил. Поэтому данный интервал амплитуд переменного напр жени был выбран в качестве рабочего при реализации предлагаемого метода контрол дефектов слоев материалов . Повторение этого же эксперимента , на частотах 50 Гц, 1 кГц, 10 кГц и 100 кГц показало, что результаты практически не завис т от частоты приложенного напр жени . Применение изобретени повышает точность контрол локальных нарушений микроструктуры, существенно не измен ницих электропроводность и диэлектрическую проницаемость материалов , увеличить чувствительность контрол дефектов, а также использовать более удобный регистрирующий материал - фотопленку вместо
3t1886214
фотопластинок, поскольку практическш мыми контрастными слабочувствительвсе дефекты станов тс сквозными ными фототехническими фотопленками проколами материала, легко вы вл е- на высокоомной лавсановой подложке.
Claims (1)
- СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ СЛОЕВ МАТЕРИАЛОВ по авт.св.№360599, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности контроля материалов с микроструктурой, существенно не изменяющей электропроводность и диэлектрическую проницаемость, к образцам исследуемых материалов предварительно прикладывают переменное электрическое напряжение, величина которого составляет 0,8-0,95 пробивного напряже-
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843788747A SU1188621A2 (ru) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | Способ контрол дефектов слоев материалов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843788747A SU1188621A2 (ru) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | Способ контрол дефектов слоев материалов |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU360599 Addition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1188621A2 true SU1188621A2 (ru) | 1985-10-30 |
Family
ID=21137784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843788747A SU1188621A2 (ru) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | Способ контрол дефектов слоев материалов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1188621A2 (ru) |
-
1984
- 1984-03-05 SU SU843788747A patent/SU1188621A2/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство 360599, кл. G 01 N 27/24, о 1 (54) * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3583048D1 (de) | Verfahren und apparaturen zum untersuchen von photoempfindlichen materialien mittels mikrowellen. | |
Ugur et al. | Neural networks to analyze surface tracking on solid insulators | |
SU1188621A2 (ru) | Способ контрол дефектов слоев материалов | |
US4443764A (en) | Method for non-destructive detection and characterization of flaws | |
RU2731030C1 (ru) | Способ резистивного неразрушающего контроля | |
JP2965176B2 (ja) | 静電チャックの過渡特性評価方法 | |
RU2237890C2 (ru) | Способ контроля сплошности покрытия из диэлектрических материалов на электропроводной основе | |
JPH10293107A (ja) | 積層セラミックコンデンサの内部欠陥検査方法 | |
US4326417A (en) | Nondestructive acoustic electric field probe apparatus and method | |
JPS6113638A (ja) | 半導体装置の表面形状検査方法 | |
JP3246679B2 (ja) | 絶縁体の絶縁特性測定装置 | |
SU947733A1 (ru) | Способ контрол дефектности структуры полимерных материалов | |
RU2086995C1 (ru) | Способ определения электрической прочности твердых диэлектриков | |
RU2555493C1 (ru) | Способ выявления металлических и воздушных включений в изделиях из полимерных материалов | |
RU93036701A (ru) | Способ оценки годности проводящих пленок | |
SU966584A1 (ru) | Способ определени стойкости пленочных и листовых диэлектриков к действию частичных разр дов | |
US3926034A (en) | Device for measuring laser beam penetration time | |
SU1177778A1 (ru) | Способ определени координат дефектов в электроизол ционных материалах | |
SU1147936A1 (ru) | Способ обнаружени дефектов в диэлектрических пленках | |
RU2247974C1 (ru) | Способ контроля сшивки полиэтиленовой кабельной изоляции | |
SU957070A1 (ru) | Способ определени прочности пленок или покрытий,нанесенных на подложки | |
SU949484A1 (ru) | Способ неразрушающего контрол | |
RU2107894C1 (ru) | Способ измерения толщины покрытия на подложке | |
SU828057A1 (ru) | Способ контрол качества диэлектри-чЕСКиХ плЕНОК | |
SU763767A1 (ru) | Способ контрол дефектов |