SU1188621A2 - Способ контрол дефектов слоев материалов - Google Patents

Способ контрол дефектов слоев материалов Download PDF

Info

Publication number
SU1188621A2
SU1188621A2 SU843788747A SU3788747A SU1188621A2 SU 1188621 A2 SU1188621 A2 SU 1188621A2 SU 843788747 A SU843788747 A SU 843788747A SU 3788747 A SU3788747 A SU 3788747A SU 1188621 A2 SU1188621 A2 SU 1188621A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
voltage
material layers
defects
materials
samples
Prior art date
Application number
SU843788747A
Other languages
English (en)
Inventor
Геннадий Викторович Жуков
Владимир Дмитриевич Леонов
Владимир Петрович Никитский
Александр Евгеньевич Кравцов
Виталий Вадимович Пермяков
Михаил Абрамович Резников
Original Assignee
Предприятие П/Я В-2572
Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро Физического Приборостроения С Оптическим Производством Ан Усср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-2572, Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро Физического Приборостроения С Оптическим Производством Ан Усср filed Critical Предприятие П/Я В-2572
Priority to SU843788747A priority Critical patent/SU1188621A2/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1188621A2 publication Critical patent/SU1188621A2/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ СЛОЕВ МАТЕРИАЛОВ по авт.св.№360599, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  чувствительности контрол  материалов с микроструктурой , существенно не измен ющей электропроводность и диэлектрическую проницаемость, к образцам исследуемых материалов предварительно прикладывают переменное электрическое напр жение, величина которого состав л ет 0,8-0,95 пробивного напр жени  исследуемого материала. AM

Description

Изобретение относитс  к дефектоскопии слоев диэлектрических материалов , может быть использовано в машиностроении, приборостроении и микроэлектронике и  вл етс  усовершенствованием способа контрол  дефектов слоев материалов по авт.св. 360599. Цель изобретени  - увеличение чувствительности контрол  материало с микроструктурой, существенно не измен ющей электропроводность и диэлектрическую проницаемость. Применение переменного напр жени  необходимо дл  равномерного пробо  слабых мест исследуемого сло , поскольку приложение посто нного напр жени  ведет к пробою слабого места, шунтирзпощего затем остальные места возможного пробо . Выбор рабочего напр жени  обусло лен тем, что при U р,8 0,8 Uup Upag 0,95 (Jnp , происходит быстрое накопление дефектов из-за по влени  пробойных ,на участках материала имеющих уменьшенную толщину. Способ контрол  дефектов слоев материалов осуществл етс  следующим образом. К образцам исследуемых материало прикладывают .переменное напр жение амплитудой О,8-0,95 п1юбивного. Затем образцы контролируютс  известным способом (режим контрол  подбир етс  экспериментально, так как он зад)1сит от толащны исследуемого ма териала и типа регистрнрзпоцего материала ). После этого фотоэмульсион ный слой про вл ют, фиксируют, промывают и сушат. П р и м е р. Слои феыолфо1 1альде гидной СМ01Ш толщиной 5, 10, 20 и 30 мкм на подложке из сплава Д-16 облучали ультрафиолетовым излучением мощностью 2 Вт/см 30 мин. Затем каждый образец накрывали лавсановой пленкой толциной 30 мкм и устанавливали на нее стальной плоский электрод, закрывающий половину образца. Между электродом и подложкой прикладывали электрическое напр жение амплитудой до 10 кВ, частотой 200 Гц в течение 10 с. После этого электрод и лавсановую пленку снимали, образцы накладывали на эмульсионный слой фотопленки ФТ-41, лежащей на плоском электроде и прикладывали между подложкой и электродом напр жение 8 кВ в течение 40 с. про влени , фиксировани  и сушки фотопланки на полученных изображени х (электротопограммах ) определ ли среднюю плотность дефектов отдельно дл  предва рительно подвергнутой действию переменного напр жени  половины и дл  контрольной половины. Результаты приведены на чертеже, где N t плотность дефектов; А - амплитуда переменного напр жени ; 1, 2, 3, 4 - кривые дл  образцов с толщиной сло  фенолформальдегидной смолы 5, 10, 20 и 30 мкм соответственно; О р - пробивное напр жение. На каждой кривой, отражшоцей рост плотности дефектов в зависимости от амплитуды приложенного переменного напр жени , можно вьщелить два участка: 1- - начальный, на котором вскрываютс  локальные нарушени  микроструктуры материала и крива  имеет характер наовщени } 2-й - на котором происходит накопЖ ние дефектов за счет пробо  сло  и крива  имеет характер монотонного возрастани . Участок, на котором происходит изменение харак- ера кривой дп  всех образцов, практически соответствует интервалу напр жени  0,8-0,95 UM . На этом участке плотность дефе1ггов почти не зависит от величины приложенного переменного напр жени , так как все локальные нарупени  микроструктуры уже вы влены, но пробой материала еще не наступил. Поэтому данный интервал амплитуд переменного напр жени  был выбран в качестве рабочего при реализации предлагаемого метода контрол  дефектов слоев материалов . Повторение этого же эксперимента , на частотах 50 Гц, 1 кГц, 10 кГц и 100 кГц показало, что результаты практически не завис т от частоты приложенного напр жени . Применение изобретени  повышает точность контрол  локальных нарушений микроструктуры, существенно не измен ницих электропроводность и диэлектрическую проницаемость материалов , увеличить чувствительность контрол  дефектов, а также использовать более удобный регистрирующий материал - фотопленку вместо
3t1886214
фотопластинок, поскольку практическш мыми контрастными слабочувствительвсе дефекты станов тс  сквозными ными фототехническими фотопленками проколами материала, легко вы вл е- на высокоомной лавсановой подложке.

Claims (1)

  1. СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ СЛОЕВ МАТЕРИАЛОВ по авт.св.№360599, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности контроля материалов с микроструктурой, существенно не изменяющей электропроводность и диэлектрическую проницаемость, к образцам исследуемых материалов предварительно прикладывают переменное электрическое напряжение, величина которого составляет 0,8-0,95 пробивного напряже-
SU843788747A 1984-03-05 1984-03-05 Способ контрол дефектов слоев материалов SU1188621A2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843788747A SU1188621A2 (ru) 1984-03-05 1984-03-05 Способ контрол дефектов слоев материалов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843788747A SU1188621A2 (ru) 1984-03-05 1984-03-05 Способ контрол дефектов слоев материалов

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU360599 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1188621A2 true SU1188621A2 (ru) 1985-10-30

Family

ID=21137784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843788747A SU1188621A2 (ru) 1984-03-05 1984-03-05 Способ контрол дефектов слоев материалов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1188621A2 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство 360599, кл. G 01 N 27/24, о 1 (54) *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3583048D1 (de) Verfahren und apparaturen zum untersuchen von photoempfindlichen materialien mittels mikrowellen.
Ugur et al. Neural networks to analyze surface tracking on solid insulators
SU1188621A2 (ru) Способ контрол дефектов слоев материалов
US4443764A (en) Method for non-destructive detection and characterization of flaws
RU2731030C1 (ru) Способ резистивного неразрушающего контроля
JP2965176B2 (ja) 静電チャックの過渡特性評価方法
RU2237890C2 (ru) Способ контроля сплошности покрытия из диэлектрических материалов на электропроводной основе
JPH10293107A (ja) 積層セラミックコンデンサの内部欠陥検査方法
US4326417A (en) Nondestructive acoustic electric field probe apparatus and method
JPS6113638A (ja) 半導体装置の表面形状検査方法
JP3246679B2 (ja) 絶縁体の絶縁特性測定装置
SU947733A1 (ru) Способ контрол дефектности структуры полимерных материалов
RU2086995C1 (ru) Способ определения электрической прочности твердых диэлектриков
RU2555493C1 (ru) Способ выявления металлических и воздушных включений в изделиях из полимерных материалов
RU93036701A (ru) Способ оценки годности проводящих пленок
SU966584A1 (ru) Способ определени стойкости пленочных и листовых диэлектриков к действию частичных разр дов
US3926034A (en) Device for measuring laser beam penetration time
SU1177778A1 (ru) Способ определени координат дефектов в электроизол ционных материалах
SU1147936A1 (ru) Способ обнаружени дефектов в диэлектрических пленках
RU2247974C1 (ru) Способ контроля сшивки полиэтиленовой кабельной изоляции
SU957070A1 (ru) Способ определени прочности пленок или покрытий,нанесенных на подложки
SU949484A1 (ru) Способ неразрушающего контрол
RU2107894C1 (ru) Способ измерения толщины покрытия на подложке
SU828057A1 (ru) Способ контрол качества диэлектри-чЕСКиХ плЕНОК
SU763767A1 (ru) Способ контрол дефектов