SU1169045A1 - Photodetecting device - Google Patents

Photodetecting device Download PDF

Info

Publication number
SU1169045A1
SU1169045A1 SU833612987A SU3612987A SU1169045A1 SU 1169045 A1 SU1169045 A1 SU 1169045A1 SU 833612987 A SU833612987 A SU 833612987A SU 3612987 A SU3612987 A SU 3612987A SU 1169045 A1 SU1169045 A1 SU 1169045A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
photosensitive element
junction
output device
photodetecting device
capacity
Prior art date
Application number
SU833612987A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Yurij G Kononenko
Konstantin M Krolevets
Nikolaj M Krolevets
Dmitrij P Lazarev
Viktor P Lisejkin
Valentina I Palamarchuk
Evgenij A Salkov
Igor I Taubkin
Mikhail A Trishenkov
Oleg S Frolov
Original Assignee
Yurij G Kononenko
Konstantin M Krolevets
Nikolaj M Krolevets
Dmitrij P Lazarev
Viktor P Lisejkin
Palamarchuk Valentina
Evgenij A Salkov
Taubkin Igor
Mikhail A Trishenkov
Oleg S Frolov
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yurij G Kononenko, Konstantin M Krolevets, Nikolaj M Krolevets, Dmitrij P Lazarev, Viktor P Lisejkin, Palamarchuk Valentina, Evgenij A Salkov, Taubkin Igor, Mikhail A Trishenkov, Oleg S Frolov filed Critical Yurij G Kononenko
Priority to SU833612987A priority Critical patent/SU1169045A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1169045A1 publication Critical patent/SU1169045A1/en

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

Изобретение относится к полупроводниковой фотоэлектронике и предназначено для регистрации светового излучения.The invention relates to semiconductor photoelectronics and is intended to register light radiation.

Цель изобретения — повышение обнаружительной способности. 5The purpose of the invention is to increase the detectability. five

На чертеже приведено фотоприемное устройство.The drawing shows a photodetector.

Устройство содержит полупроводниковую подложку 1, фоточувствительный элемент 2, например фотодиод, два проводящих затво- 1 ра 3 и 4, выходное устройство, содержащее р-п-переход 5, затвор 6 и сток 7 восстанавливающего транзистора и предусилитель 8.The device contains a semiconductor substrate 1, a photosensitive element 2, for example a photodiode, two conductive gates 1 and 4, an output device containing a pn-junction 5, a gate 6 and a drain 7 of the restoring transistor and a preamplifier 8.

Проводящие затворы 3 и 4 осуществляют зарядовую смесь фоточувствительного элемента 2 с выходным устройством. 1Conductive valves 3 and 4 carry out the charge mixture of the photosensitive element 2 with the output device. one

Фотоносители, возникшие в результате воздействия источника излучения в области фоточувствительного элемента 2, с помощью зарядовой связи посредством затворов 3 и 4, на которые поданы импульсное напряжение от генератора тактовых импульсов и постоянное напряжение, соответственно, переносятся из фоточувствительной областиPhotocarriers resulting from exposure to a radiation source in the region of the photosensitive element 2, using charge coupling by means of gates 3 and 4, to which the pulse voltage from the clock generator and the DC voltage, respectively, are transferred from the photosensitive region

в область р-п-перехода 5. Затвор 4 обеспечивает экранировку р-п-перехода 5 малой площади от наводок генератора тактовых импульсов.in the region of the pn junction 5. Shutter 4 provides shielding of the pn junction 5 of a small area from pickup of the clock generator.

Восстановление исходного значения потенциала на р-п-переходе 5 осуществляется подачей импульсного напряжения на затвор 6 восстанавливающего транзистора.The restoration of the initial potential value at the pn-junction 5 is carried out by applying a pulsed voltage to the gate 6 of the reducing transistor.

Выходной сигнал снимается с подложки 1 и р-п-перехода 5 и регистрируется предусилителем 8.The output signal is removed from the substrate 1 and pn-junction 5 and recorded by the preamplifier 8.

Генератор тактовых импульсов (не показан) работает на частотах, превышающих полосу частот предварительного усилителя.A clock pulse generator (not shown) operates at frequencies exceeding the frequency band of the pre-amplifier.

Так как емкость р-п-перехода 5 мала (на несколько порядков меньше емкости фоточувствительного элемента 2) ограничения обнаружительной способности фоточувствительного элемента, связанные с ЭДС щупа предварительного усилителя и выходным импедансом фоточувствительного элемента, устраняются.Since the capacity of the pn-junction 5 is small (several orders of magnitude less than the capacity of the photosensitive element 2), the limitations of the detecting ability of the photosensitive element associated with the EMF of the preamplifier probe and the output impedance of the photosensitive element are eliminated.

Claims (1)

ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО, содержащее расположенные на одной подложке фоточувствительный элемент и выходное устройство, зарядово-связанные между собой, усилитель с первым каскадом, соединенным с выходным устройством, отличающееся тем, что, с целью повышения обнаружительной способности, емкость выходного устройства по крайней мере на порядок меньше емкости фоточувствительного элемента.A PHOTOPARKABLE DEVICE, containing a photosensitive element located on one substrate and an output device, charge-coupled to each other, an amplifier with a first stage connected to an output device, characterized in that, in order to increase the detectability, the output device capacity is at least an order of magnitude less capacity of the photosensitive element. 5five 11690451169045
SU833612987A 1983-07-01 1983-07-01 Photodetecting device SU1169045A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833612987A SU1169045A1 (en) 1983-07-01 1983-07-01 Photodetecting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833612987A SU1169045A1 (en) 1983-07-01 1983-07-01 Photodetecting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1169045A1 true SU1169045A1 (en) 1985-07-23

Family

ID=21071188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833612987A SU1169045A1 (en) 1983-07-01 1983-07-01 Photodetecting device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1169045A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4215027A1 (en) * 1991-05-07 1992-11-12 Olympus Optical Co SOLID BODY IMAGING DEVICE
US5502488A (en) * 1991-05-07 1996-03-26 Olympus Optical Co., Ltd. Solid-state imaging device having a low impedance structure

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4215027A1 (en) * 1991-05-07 1992-11-12 Olympus Optical Co SOLID BODY IMAGING DEVICE
US5502488A (en) * 1991-05-07 1996-03-26 Olympus Optical Co., Ltd. Solid-state imaging device having a low impedance structure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chamberlain et al. A novel wide dynamic range silicon photodetector and linear imaging array
JP5309284B2 (en) Optical test equipment for measuring charge transfer efficiency
JPS6329425B2 (en)
GB1153259A (en) Improvements in Storage Mode Photodetector with Electronic Shutter Action
SU1169045A1 (en) Photodetecting device
KR930022571A (en) Charge Transfer Device and Solid State Imaging Device
JPS62214781A (en) Signal recovery apparatus
JPS5575275A (en) Solid state image pickup device
JPS58125951A (en) Signal processing circuit of original reader
JPS55104174A (en) Solidstate pick up unit
JPH0443428B2 (en)
JPS61142874A (en) Image pickup device
JPH0414510B2 (en)
JPS5799086A (en) Solid-state image sensor
Ito et al. a-Si: H TFT driven linear image sensor
US3713031A (en) Bootstrapped charge-sensitive low noise amplifier
JPH0629567A (en) Light-receiving circuit
JPS5687379A (en) Solid image pickup device
Yamasaki et al. Optical multiplication in solid-state imaging devices with an inherent MNOS memory gate
JPS6344135A (en) Array infrared rays detector
JPS6045056A (en) Photo detector
JPS60254903A (en) Mos analog amplifier circuit
JPS5935119A (en) Pyroelectric type infrared ray detector
JPS6121891Y2 (en)
JP2996318B2 (en) Charge-coupled device