SU1169045A1 - Photodetecting device - Google Patents
Photodetecting device Download PDFInfo
- Publication number
- SU1169045A1 SU1169045A1 SU833612987A SU3612987A SU1169045A1 SU 1169045 A1 SU1169045 A1 SU 1169045A1 SU 833612987 A SU833612987 A SU 833612987A SU 3612987 A SU3612987 A SU 3612987A SU 1169045 A1 SU1169045 A1 SU 1169045A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- photosensitive element
- junction
- output device
- photodetecting device
- capacity
- Prior art date
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
Изобретение относится к полупроводниковой фотоэлектронике и предназначено для регистрации светового излучения.The invention relates to semiconductor photoelectronics and is intended to register light radiation.
Цель изобретения — повышение обнаружительной способности. 5The purpose of the invention is to increase the detectability. five
На чертеже приведено фотоприемное устройство.The drawing shows a photodetector.
Устройство содержит полупроводниковую подложку 1, фоточувствительный элемент 2, например фотодиод, два проводящих затво- 1 ра 3 и 4, выходное устройство, содержащее р-п-переход 5, затвор 6 и сток 7 восстанавливающего транзистора и предусилитель 8.The device contains a semiconductor substrate 1, a photosensitive element 2, for example a photodiode, two conductive gates 1 and 4, an output device containing a pn-junction 5, a gate 6 and a drain 7 of the restoring transistor and a preamplifier 8.
Проводящие затворы 3 и 4 осуществляют зарядовую смесь фоточувствительного элемента 2 с выходным устройством. 1Conductive valves 3 and 4 carry out the charge mixture of the photosensitive element 2 with the output device. one
Фотоносители, возникшие в результате воздействия источника излучения в области фоточувствительного элемента 2, с помощью зарядовой связи посредством затворов 3 и 4, на которые поданы импульсное напряжение от генератора тактовых импульсов и постоянное напряжение, соответственно, переносятся из фоточувствительной областиPhotocarriers resulting from exposure to a radiation source in the region of the photosensitive element 2, using charge coupling by means of gates 3 and 4, to which the pulse voltage from the clock generator and the DC voltage, respectively, are transferred from the photosensitive region
в область р-п-перехода 5. Затвор 4 обеспечивает экранировку р-п-перехода 5 малой площади от наводок генератора тактовых импульсов.in the region of the pn junction 5. Shutter 4 provides shielding of the pn junction 5 of a small area from pickup of the clock generator.
Восстановление исходного значения потенциала на р-п-переходе 5 осуществляется подачей импульсного напряжения на затвор 6 восстанавливающего транзистора.The restoration of the initial potential value at the pn-junction 5 is carried out by applying a pulsed voltage to the gate 6 of the reducing transistor.
Выходной сигнал снимается с подложки 1 и р-п-перехода 5 и регистрируется предусилителем 8.The output signal is removed from the substrate 1 and pn-junction 5 and recorded by the preamplifier 8.
Генератор тактовых импульсов (не показан) работает на частотах, превышающих полосу частот предварительного усилителя.A clock pulse generator (not shown) operates at frequencies exceeding the frequency band of the pre-amplifier.
Так как емкость р-п-перехода 5 мала (на несколько порядков меньше емкости фоточувствительного элемента 2) ограничения обнаружительной способности фоточувствительного элемента, связанные с ЭДС щупа предварительного усилителя и выходным импедансом фоточувствительного элемента, устраняются.Since the capacity of the pn-junction 5 is small (several orders of magnitude less than the capacity of the photosensitive element 2), the limitations of the detecting ability of the photosensitive element associated with the EMF of the preamplifier probe and the output impedance of the photosensitive element are eliminated.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833612987A SU1169045A1 (en) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | Photodetecting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833612987A SU1169045A1 (en) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | Photodetecting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1169045A1 true SU1169045A1 (en) | 1985-07-23 |
Family
ID=21071188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU833612987A SU1169045A1 (en) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | Photodetecting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1169045A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4215027A1 (en) * | 1991-05-07 | 1992-11-12 | Olympus Optical Co | SOLID BODY IMAGING DEVICE |
US5502488A (en) * | 1991-05-07 | 1996-03-26 | Olympus Optical Co., Ltd. | Solid-state imaging device having a low impedance structure |
-
1983
- 1983-07-01 SU SU833612987A patent/SU1169045A1/en active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4215027A1 (en) * | 1991-05-07 | 1992-11-12 | Olympus Optical Co | SOLID BODY IMAGING DEVICE |
US5502488A (en) * | 1991-05-07 | 1996-03-26 | Olympus Optical Co., Ltd. | Solid-state imaging device having a low impedance structure |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Chamberlain et al. | A novel wide dynamic range silicon photodetector and linear imaging array | |
JP5309284B2 (en) | Optical test equipment for measuring charge transfer efficiency | |
JPS6329425B2 (en) | ||
GB1153259A (en) | Improvements in Storage Mode Photodetector with Electronic Shutter Action | |
SU1169045A1 (en) | Photodetecting device | |
KR930022571A (en) | Charge Transfer Device and Solid State Imaging Device | |
JPS62214781A (en) | Signal recovery apparatus | |
JPS5575275A (en) | Solid state image pickup device | |
JPS58125951A (en) | Signal processing circuit of original reader | |
JPS55104174A (en) | Solidstate pick up unit | |
JPH0443428B2 (en) | ||
JPS61142874A (en) | Image pickup device | |
JPH0414510B2 (en) | ||
JPS5799086A (en) | Solid-state image sensor | |
Ito et al. | a-Si: H TFT driven linear image sensor | |
US3713031A (en) | Bootstrapped charge-sensitive low noise amplifier | |
JPH0629567A (en) | Light-receiving circuit | |
JPS5687379A (en) | Solid image pickup device | |
Yamasaki et al. | Optical multiplication in solid-state imaging devices with an inherent MNOS memory gate | |
JPS6344135A (en) | Array infrared rays detector | |
JPS6045056A (en) | Photo detector | |
JPS60254903A (en) | Mos analog amplifier circuit | |
JPS5935119A (en) | Pyroelectric type infrared ray detector | |
JPS6121891Y2 (en) | ||
JP2996318B2 (en) | Charge-coupled device |