Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использовано при построении мощных инверторов, в частности мостовых инверторов, работающих в классе «Д с повышенным напр жением питани . Известен транзисторный ключ, содержащий первый и второй транзисторы, первый и второй резисторы, конденсатор и диод, первую и вторую выходные шины, причем эмиттер первого транзистора подключен к первому выводу первого резистора, перва выходна шина соединена с коллектором первого транзистора, а также первый и второй трансформаторы, первичные обмотки которых соответственно подключены к источнику запирающего и опирающего напр жений , первый и второй дополнительные диоды, причем эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером второго транзистора, база которого подключена к первому выводу второго резистора и через диод к второму выводу первого резистора и первому выводу вторичной обмотки второго трансформатора, второй вывод которой через первый дополнительный диод соединен с базой первого транзистора и первыми выводами второго дополнительного диода и концентратора, второй вывод второго резистора подключен к коллектору второго транзистора и второму выводу конденсатора, второй вывод второго дополнительного диода через вторичную обмотку первого трансформатора соединен с коллектором второго транзистора 1. Недостатком известного транзисторного ключа вл етс низка надежность. Известен транзисторный ключ, содержащий первый и второй транзисторы, первый и второй резисторы, конденсатор и диод, первую и вторую выходные шины, эмиттер первого транзистора подключен к первому выводу первого резистора и через конденсатор к эмиттеру второго транзистора к первому выводу диода, второй вывод которого соединен с вторым выводом первого резистора и первой входной шиной, коллектор второго транзистора подключен к базе первого транзистора и через второй резистор - к второй входной шине, перва выходна шина соединена с коллектором первого транзистора и кроме того, база второго транзистора через третий резистор подключена к первой входной шине 2. Недостаток известного транзисторного ключа - низка надежность. Цель изобретени - повышение надежности транзисторного ключа. Поставленна цель достигаетс тем, что в транзисторный ключ, содержащий первый и второй транзисторы, первый и второй резисторы , конденсатор и диод, первую и вторую выходные шины, причем эмиттер первого транзистора подключен к первому выводу первого резистора и через конденсатор - к эмиттеру второго транзистора и первому выводу диода, второй вывод которого соединен с вторым выводом первого резистора и первой входной шиной, коллектор второго транзистора подключен к базе первого транзистора и через второй резистор - к второй входной шине, перва выходна шина соединена с коллектором первого транзистора, введены третий транзистор и дроссель, причем база третьего транзистора подключена к эмиттеру первого транзистора и первому выводу дроссел , второй вывод которого соединен с эмиттером третьего транзистора и второй выходной шиной, база первого транзистора подключена к коллектору третьего транзистора. На чертеже представлена схема транзисторного ключа. Транзисторный ключ содержит первый 1 второй 2 и третий 3 транзисторы, первый 4 и второй 5 резисторы, конденсатор 6, диод 7, дроссель 8, первую 9 и вторую 10 выходные шины, причем эмиттер первого транзистора 1 подключен к первому выводу первого резистора 4 и через конденсатор 6 - к эмиттеру второго транзистора 2 и 1 ервому выводу диода 7, второй вывод которого соединен с вторым выводом первого резистора 4 и первой входной шиной 11, коллектор второго транзистора 2 подключен к базе первого транзистора 1 и через второй резистор 5- к второй входной шине 12, перва выходна шина 9 соединена с коллектором первого транзистора 1, база третьего транзистора 3 подключена к эмиттеру первого транзистора 1 и первому выводу дроссел 8, второй вывод которого соединен с эмиттером третьего транзистора 3 и второй выходной шиной 10, база первого транзистора 1 подключена к коллектору третьего транзистора 3. Транзисторный ключ работает следующим образом. При поступлении на входные шины 11 и 12 импульса напр жени с пол рностью открывающей транзистор 1, на дросселе 8 находитс ЭДС самоиндукции, противодействующа возникновению тока (пол рность ЭДС показана на чертеже без скобок). Эта ЭДС вызывает открытие транзистора 3, который шунтирует базо-эмиттерный переход транзистора 1. В результате имеет место уменьшение скорости нарастани тока в коллекторной и эмиттерной цеп х транзистора 1. По мере открыти транзистора 1 происходит зар д конденсатора 6 по цепи: входна шина 12, резистор 5, переход база-эмиттер транзистора 1, конденсатор 6, диод 7, входна шина 1 1. При поступлении на входные шины 11 и 12 импульса напр жени с пол рностью, закрывающей транзистор 1, на дросселе 8 наводитс ЭДС (пол рность ЭДС показана
на чертеже в скобках), котора вызывает открытие транзистора 2 по цепи: вывод дроссел 8, базо-эмиттерный переход транзистора 2, диод 7, резистор 4, вывод дроссел 8.
Транзистор 2, открыва сь, обеспечивает быстрый разр д конденсатора 6 через базоэмиттерный переход транзистора 1, форсированное закрытие последнего и отключение ключа.
Надежность предлагаемого транзисторного ключа выше, чем у известных за счет уменьшени скорости нарастани коллекторного тока и использовани всей накопленной энергии конденсатора на форсированное запирание силового транзистора.