SU1164679A1

SU1164679A1 - Гибридно-пленочный микротермостат

Info

Publication number: SU1164679A1
Application number: SU833592766A
Authority: SU
Inventors: Николай Владимирович Панин; Владимир Владимирович Панин
Original assignee: Томский Институт Автоматизированных Систем Управления И Радиоэлектроники
Priority date: 1983-05-19
Filing date: 1983-05-19
Publication date: 1985-06-30

Abstract

1. ГИБРИДНО-ПЛЕНОЧНЫЙ МИКРОТЕРМОСТАТ , содержащий корпус, на основании которого через теплоизол ционную подставку установлена перва термостабилизируема подложка, о т личающийс тем, что, с целью повышени точности, он содержит вторую термостабилизируемую подложку , установленную на первой термостабилизируемой подложке через теплоизолирующий элемент, причем термоста- -ируемые элементы размещены между первой и второй термостабилизируемыми подложками. 2. Микротермостат по п.1, о т лич ающийс тем, что выводы с второй термостабштизируемой подложки на выходы в корпусе микротермостата осуществлены через распайку на первой термостабилизируемой подложке.

Description

Изфбретение относитс к радиоэлек тронике и может быть использовано в устройствах с жесткими требовани ми по температурной стабильности, например в источниках опорного посто н ного напр жени , задающих генератора измерительных усилител х посто нного тока. Известно устройство дл стабилиза ции температуры подложки микрюсхемы Q . Недостатками данного устройства вл ютс низка технологичность и относительно высока потребл ема мощность. Наиболее близким к предлаг-аемому вл етс гибридно-пленочный микротермостат , содержащий корпус с размещенной в нем на теплоизол ционной подставке термостабилизируемой подложкой , на которой расположен нагреватель , датчик температуры и термостатируемые элементы 21. Данный микротермостат потребл ет малую мощность и обладает высокой технологичностью, так как полностью выполнен по широко распространенной гибридно-пленочной технологии. Недостатком микротермостата вл етс сравнительно низка точность поддержани температуры термостатируемьтх элементов. Действительно погрешность поддержани температуры статировани складываетс из погрешности регул тора ti погрешности, обус лавливаемой конструкцией микротермостата . Точность поддержани температуры в точке расположени датчика температуры в основном определ етс точностью регул тора и даже при использовании простейшего пропорционал него регул тора составл ет 0.05 К и меньше. Цель изобретени - повьшение точности поддержани температуры термостатируемых элементов. Поставленна цель достигаетс тем что в гнбрвдно-пленочный микротермостат , содержащий корпус, на основаНИИ которого через теплоизол ционную подставку установлена перва термост билизируема подложка, введена втора термостабилизируема подложка, установленна на первой термостабилизируемой подложке через теплоизолирующий элемент, причем термостатируемые элементы размещены между первой и второй термрстабилизируемыми подложками . Кроме того, вьгеоды с второй термостабилизируемой подложки на вьшоды в корпусе микротермостата осуществлены через распайку на первой термостабилизируемой подложке. На. чертеже схематически представлен гибридно-пленочный микротермостат . Микротермостат содержит корпус 1, первую термостабилизируемую подложку 2, установленную на основание 3 корпуса 1 через теплоизол ционную подставку 4, вторую термостабилизируемую .подложку 5, установленную на первую через теплоизол ционньш элемент 6, термостатируемые элементы 7, :установленные на поверхности второй термостабилизируемой подложки 5, обращенной к подложке 2, при этом выводы с подложки 5 распа ны на подложку 2. Микротермостат работает следующим образом. Значение температуры статировани второй подложки 5 задаетс на несколько градусов больше, чем температура статировани подложки 2. Таким образом, после включени микротермостата и выхода его на режим установ тс следующие температуры {,2 const; i conts. Следовательно, и ut 2 const. . При этом величина мощности потерь через вьшоды с подложки 5 составл ет Р R вывода а ее изменение при изменении температуры окружающей среды определ етс величиной погрешности поддержани разности д-t, т.е. iP.i. 6. Аналогичным выражением описьтаютс потери непосредственно через термостатируемый элемент. Различие состоит в том, что вместо R- „ . сле ,иыводсл дует подставить значение теплового сопротивлени участка между подложками 2 и 5. Таким образом, изменение температуры в зоне присоединени вывода к подложке 5 составл ет

bUi)

R.

p

ВЫвоДс(

rfleRo - тепловое сопротивление участка-подложки между точкой расположени датчика температуры схемы регулировани и точкой присоединени вывода. Изменение температуры в зоне р- П перехода термостатируемого элемента при изменении температуры окружающей среды вследствие потерь ; непосредственно через термостатируемь злемент составл ет

&(t.i)

«.-2

n-n у

гдеК

тепловое сопротивление

Р-п между термостабилизированной подложкой и р-п переходом термостатируемого элемента.

Следовательно, при прочих равных услови х точность поддержани температуры термостатируемых элементов определ етс величиной & (ut) а Не

изменением температуры среды itее

ор

как у прототипа. Изменение температуры среды превышает 1ООК (например, от -60 до ), а величина A(utl определ етс погрешност ми статировани подложек и составл ет А(.

Таким образом, (&i) (более чем в 100 раз) и во .столько же раз повышаетс точность поддержани .температуры термостатируемых элементов.

Предлагаемое устройство имеет малую потребл емую мощность, работает с простейшими регул торами пропорционального типа, что обуславливает высокую надежность, изготавливаетс ,

на основе гибрццно-пленочной технологии , получившей широкое распрост- . ранение. При этом вследствие введени второй термостабилизированной подложки точность поддержани .температуры

термостатируемых элементов возростает с 0,8 до 0,1К.

Использование предлагаемого гибридно-пленочного микротермостата в разjrjH4Hbix устройствах радиоэлектроники,

например в источниках опорного посто нного напр жени , задающих генераторах и т.д., позвол ет повысить точность работы и другие техникоэкономические показатели этих устройств .

Claims

. 1. ГИБРИДНО-ПЛЕНОЧНЫЙ МИКРОТЕРМОСТАТ, содержащий корпус, на основании которого через теплоизоляционную подставку установлена первая термостабилизируемая подложка, о т лич ающийс я тем, что, с целью повышения точности, _чон содержит вторую термостабилизируемую подложку, установленную на первой термостабилизируемой подложке через теплоизолирующий элемент, причем термостаТируемые элементы размещены между первой и второй термостабилизируемьгми подложками.
2. Микротермостат по п.1, о т лич ающийс я тем, что выводы с второй термостабилизируемой подложки на выходы в корпусе микротермостата осуществлены через распайку на первой термостабилизируемой подложке.