Изобретение относитс к составам дл полировани полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковой технологии . Цель изобретени - улучшение качества полированной поверхности арсенида галли , фосфида галли ,гер мани и повьшение производительност процесса полировки. Состав готов т следующим образом В серийный золь кремнекислоты, содержащий около 30% твердого рещес ва, ввод т при перемешивании алкамо ОС-2 в виде 0 01%-го водного раство ра. Затем добавл ют водньй раствор соли аммони , перемешивают и после образовани однородного тиксотропно гел прибавл ют водный раствор окис лител , добавл ют Bohy до 100%. В к честве окислител используют калий железосинеродистый или перекись водорода, в качестве соли аммони углекислый , хлористый или фтористый аммоний. Полученную композицию используют дл полировани образцов арсенида галли ,фосфида галли , а также германи . Производительность процесса поли вани оценивают по съему материала в единицу времени, степень чистоты полируемой поверхности определ ют путем измерени микронеровностей поверхности при помощи профилометра профилографа-252. Пример 1. Готовили компози цию состава, мас.%: Золь двуокиси кремни (силиказоль) 4,3 Карбонат аммони 1 3 Калий железосинеродистый8 ,4 Алкамон ОС-2 (метилметилдизтиламмоний бензосульфонат) , .0,04 Вода85,96 Композицию использовали дл полировки поверхности образцов арсенида галли . Скорость съема составл ла 1,0-1,5 мкм/мин, микронеровности не привышали 0,5 мкм, что соответствует 14 классу точности. Пример 2. Готовили композицию состава, мас.%: Силиказоль78 Фторид аммони 6,3 Перекись водорода 12 Алкамон ОС-2О,16 Вода3,24 Композицию использовали дл полировани образцов германи с высокой степенью легировани . Скорость съема составл ла 0,4-0,6 мкм/мин. Пример 3, Готовили композицию состава, мас.%: Силиказоль33 Хлорид аммони 4,0 Калий железосинеродистый16 Алкамон ОС-2 . 0,067 Вода 46,933 Композицию использовали дл полировани ббразцов фосфида галли . Скорость съема составл ла 0,2-0,35 мкм/ мин. Сравнительные данные по производительности процесса полировани и степени чистоты обработанной поверхности представлены в таблице. Как видно из таблицы, производительность процесса полировани , определ ема скоростью съема полируемого материала в единицу времени, по предлагаемому способу в 10 и более раз превьшает скорость съема аналогичных полупроводниковых материалов по известному способу. Достигаемый при этом класс точности обработанной поверхности в 3-4 ед. вьше, чем при обработке по известному способу. Скорость съема материала, мкм/мин 0,04-0,06 0,01-0,03 ;Класс точности I исходной поверхiности , усл.ед. Класс точности обработанной поверхности, усл.ед. Врем обработки, мин , 0-U5 0,4-0,6 0,2-0,35The invention relates to compositions for polishing semiconductor materials and can be used in semiconductor technology. The purpose of the invention is to improve the quality of the polished surface of gallium arsenide, gallium phosphide, gerium, and an increase in the productivity of the polishing process. The composition is prepared as follows. To the serial silica sol containing about 30% solids, is introduced with stirring alkamo OC-2 in the form of a 0.01% aqueous solution. Then, a water solution of the ammonium salt is added, mixed, and after the formation of a homogeneous thixotropic gel, an aqueous solution of the oxide is added, and Bohy is added to 100%. As an oxidizing agent, potassium ferrosynergide or hydrogen peroxide is used, and ammonium carbonate, chloride or ammonium fluoride is used as the ammonium salt. The resulting composition is used to polish samples of gallium arsenide, gallium phosphide, and germanium. The productivity of the polishing process is estimated by removing the material per unit of time, the degree of purity of the polished surface is determined by measuring the surface microscopic irregularities using a profilograph-252 profilometer. Example 1. Composition composition was prepared, wt.%: Silicon dioxide sol (silica sol) 4.3 Ammonium carbonate 1 3 Potassium ferrosynergist 8, 4 Alcamone OC-2 (methylmethyldithyl ammonium benzosulphonate), .04.04 Water85.96 The composition was used to polish the surface samples of gallium arsenide. The removal rate was 1.0-1.5 µm / min, microscopic irregularities did not exceed 0.5 µm, which corresponds to the 14th accuracy class. Example 2. Composition composition was prepared, wt%: Silica sol 78 Ammonium fluoride 6.3 Hydrogen peroxide 12 Alcamon OC-2O, 16 Water 3.24 The composition was used to polish germanium samples with a high degree of doping. The removal rate was 0.4-0.6 µm / min. Example 3, Composition composition was prepared, wt.%: Silikazol33 Ammonium Chloride 4.0 Potassium ferrosynergist 16 Alcamon OS-2. 0.067 Water. 46,933 Composition used to polish gallium phosphide samples. The removal rate was 0.2-0.35 µm / min. Comparative data on the performance of the polishing process and the degree of purity of the treated surface are presented in the table. As can be seen from the table, the productivity of the polishing process, determined by the removal rate of the polished material per unit of time, according to the proposed method, exceeds the removal rate of similar semiconductor materials by a known method by a factor of 10 or more. The class of accuracy of the processed surface reached at the same time in 3-4 units. more than when processing by a known method. The removal rate of the material, micron / min 0.04-0.06 0.01-0.03; Class I accuracy of the original surface, used units. Accuracy class of the treated surface, used Processing time, min, 0-U5 0.4-0.6 0.2-0.35
Съем материала настолько мал, что не профилометра-профилографа-252. определ етс при помощи Eating material is so small that it is not a profilometer-252 profilometer. determined by