SU115462A1

SU115462A1 - Method of making electrical resistances

Info

Publication number: SU115462A1
Application number: SU592464A
Authority: SU
Inventors: О.Д. Елпатьевская; О.Д. Елпатьевска
Original assignee: О.Д. Елпатьевская; О.Д. Елпатьевска
Priority date: 1958-02-17
Filing date: 1958-02-17
Publication date: 1958-11-30

Description

У наилзчших по температурным характеристикам пленочных сопротивлений , представл ющих- собой тонкий слой провод щего материала , нанесенного на изолирующую фарфоровую трубку, область с минимальным температурным коэффициентом сопротивлени лежит в сравнительно узком температурнол интервале 20-50° Taivi, где температурный коэффициент мен ет свой знак. В области повышенных температур (50-100°) этот коэффициент составл ет 0,0002 , а при температурах ниже нул мен ет знак и измен етс по абсолютной величине до 0,0006 .For the most temperature-resistant film resistances, which are a thin layer of conductive material deposited on an insulating porcelain tube, the region with the minimum temperature coefficient of resistance lies in a relatively narrow temperature range of 20-50 ° Taivi, where the temperature coefficient changes its sign. At elevated temperatures (50-100 °), this coefficient is 0.0002, and at temperatures below zero, changes sign and changes in absolute value to 0.0006.

С целью расширени диапазона стабильнЬсти температурного коэффициента сопротивлепи , предлагаетс в качестве материала сопротивлени применить селенид ртути (HgSe) и наносить его в виде тонкой пленки на нагретое изолирующее основание методом термического испарени с последующим отжигом в вакууме.In order to extend the stability range of the temperature coefficient of resistance, it is proposed to use mercury selenide (HgSe) as a resistance material and apply it in the form of a thin film on a heated insulating base by thermal evaporation followed by annealing in vacuum.

Применение селенидов дл изготовлени электрических сопротивлений само по себе известпо. ОднакоThe use of selenides for the manufacture of electrical resistances is known per se. but

литые образцы селенида ртути имеют температурный коэффициент сопротивлени а 0,009 град, т. е., примерно вдвое больщий, чем у обычных металлов.Cast samples of mercury selenide have a temperature coefficient of resistance of 0.009 degrees, i.e., approximately twice as large as that of conventional metals.

Изменение сопротивлени с температурой в литых образцах HgSe обусловлено изменением подвижности носителей электрического тока с температурой.The change in resistance with temperature in the HgSe cast samples is due to the change in the mobility of the current carriers with temperature.

В пленках HgSe с мелкодисперсной кристаллической структурой путем подбора режима их изготовлени - нанесени в виде тонкой пленки на нагретое (до 120-140°) изолирующее основание методом термического испарени с последующим отжигом в вакууме - можно создать такие услови , что подвижность электронов будет остаатьс посто нной в интервале темератур от 190 до 50-100°. Постонство подвижности обеспечивает ысокую стабильность сопротивлений из пленок HgSe в значительном интервале температур.In HgSe films with a finely dispersed crystal structure by selecting the mode of their manufacture — deposition in the form of a thin film on a heated (up to 120–140 °) insulating base by thermal evaporation followed by annealing in vacuum — it is possible to create such conditions that the electron mobility will remain constant in the temperature range from 190 to 50-100 °. The postonality of mobility provides a high stability of resistance from HgSe films in a considerable temperature range.

Предмет изобретени Subject invention

Способ изготовлени электричеческих сопротивлений на основе се№ 115462- 2 -A method of manufacturing electrical resistances based on se # 115462-2 -

ленидов, отличающийс тем,ют селенид ртути, который нанос тlendides, characterized in that they are mercury selenide

что, с целью расширени диапазонав виде тонкой пленки на нагретоеthat, in order to expand the range in the form of a thin film on the heated

стабильности темпе атурного коэф-изолирующее основание методомstability tempo aturic coefficient-insulating base method

фициента сопротивлени , в качестветермического испарени с последуюматериала сопротивлени примен -щим отжигом в вакууме.of the resistance, as a thermal evaporation with the subsequent material of the resistance by applying annealing in vacuum.