Изобретение относитс к испытательной технике, а именно к способам определени дефектов в соединен х. Известен способ определени дефектов клеевого соединени -, заключающийс в том, что соединение вакуумирутот при температуре, превышающей на 100 температуру стекловани кле , охлаждают соедииение до исходной температуры и фикси ют места выпучивани , по которым суд т о наличии дефектов в соедине-нии П . Недостатком этого способа вл ет с ограниченность его использовани из-за короблени соединени после его нагрева и ох.лаждеки . Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату вл етс способ оп ределени дефектов в соединении, вы полненном в виде подложки и нанесенной на ее поверхность пленки, заключающийс в том, что ввод т по пленку газ под давлением и определ ют места вздутий пленки, по которым суд т о нг1лиш1и дефектов в соединении . Газ ввод т с помощью шприца прокалыванием пленки в различных ее местах 21 , Недостатком этого способа вл ет с низка надежность определени дефектов, поскольку прокалывание пл ки шприцем нарушает ее целостность к тому же возмошю прокалывание в стороне от дефектного участка. Цель изобретени - повышение надежности определени дефектов в соединен11 х с металлическими пленка ми путем исключени повреждени це стности пленки. Дл достижени поставленной цели согласно способу определени дефектов в соединении, выполненном в виде подложки и нанесенной на ее поверкность пленки, заключающемус в том, что ввод т под пленку газ под давлением и определ ют места вздути пленки, по которым суд т о наличии дефектов в соединении, используют атомарный газ, а введение его под пленку осуществл ют диффузией. При этом в качестве атомарного газа используют водород, Способ осуществл ют следующим об разом: . На поверхность по,п;пожки нанос т одним из известных способов металлическую пленку. Со стороны металлической пленйи на соединение воздействуют под давлением атомарным водородом , который диффундирует по всей поверхности меташлической пленки и проникает под нее на границу раздела металлической пленки с подложкой. Атомарный водород обладает повышенной проникающей способностью через поры металлических материалов без их разрушени . В местах дефектов соединени пленки с подложкой атомарньи водород накапливаетс и рекомбинирует в молекул рный. При этом парциальное давление атомарного водорода остаетс низким, а накопение молекул рного водорода в местах дефектов соединени вызывает вздути пленки. Определ ют места вздутий по всей поверхности металлической пленки и по ним суд т о наличии дефектов в соединении. При отсутствии дефектов в соединении атомарный водород не рекомбинирует в молекул рный и не вызывает вздутий пленки, что указывает .на хорошее соединение металлической пленки с подложкой. I Пример .На поверхность кремниевой подложки нанос т методом термического вакуумного напылени слой медной пленки, толщиной 1 мкм. Подложку с пленкой устанавливают в стекл нную камеру и воздействуют на пленку атомарным водородом под парциальным давлением 3 Па. Атомарный водород получают диссоциацией молекул рного водорода в электрическом разр де с помощью генератора высокой частоты ГВЧ-66, максимальна моищость которого составл ет 70 Вт, а рабоча частота 40 МГц, Диапазон рабочих давлений в установке определ етс возможностью получени высокочастотного разр да, в котором происходит диссоциаци молекул рного водорода,он составл ет 30 Па, Дл -отделени атомов водорода от зар женных частиц рассто ние от разр дника до рабочего объема, в котором размещаетс подложка с пленкой , составл ет 0,2 м. Соединение выдерживают в атмосфере атомарного водорода в течение 5 мин. После воздействи атомарного водорода на медную пленку и его диффузии под пленку определ ют места вздутий плен31126846 4 The invention relates to a testing technique, and specifically to methods for determining defects in joints. A known method for determining defects in an adhesive compound, which means that the vacuum mixture at a temperature exceeding 100 the glass transition temperature of the adhesive, cools the mixture to the initial temperature and records the places of bulging that are judged to indicate the presence of defects in compound II. The disadvantage of this method is its limited use due to distortion of the compound after its heating and cooling. The closest to the invention in its technical essence and the achieved result is a method for determining defects in a compound made in the form of a substrate and a film deposited on its surface, which consists in introducing gas under pressure through the film and determining the locations of film blisters on which to judge ng1l1i1 defects in the compound. The gas is injected with a syringe by puncturing a film in its various places. 21 The disadvantage of this method is the low reliability of the detection of defects, since piercing the core with a syringe breaks its integrity to the same extent piercing away from the defective area. The purpose of the invention is to increase the reliability of detecting defects in joints with metal films by eliminating damage to the film. To achieve this goal, according to the method for detecting defects in a joint, made in the form of a substrate and a film deposited on its surface, which consists in introducing gas under pressure under the film and determining the locations of the inflation film, which are judged on the presence of defects in the joint Atomic gas is used, and its introduction under the film is carried out by diffusion. Here, hydrogen is used as the atomic gas. The method is carried out as follows:. On the surface of p, p; pozhki applied one of the known methods of the metal film. From the side of metal plenium, the compound is affected under pressure by atomic hydrogen, which diffuses over the entire surface of the metascale film and penetrates under the interface of the metal film with the substrate. Atomic hydrogen has a high penetrating power through the pores of metallic materials without their destruction. At the places of defects in the connection of the film with the substrate, atomic hydrogen accumulates and recombines into molecular. At the same time, the partial pressure of atomic hydrogen remains low, and the accumulation of molecular hydrogen in the places of defects of the compound causes the films to swell. Blister spots are detected over the entire surface of the metal film and the presence of defects in the joint is judged by them. In the absence of defects in the compound, atomic hydrogen does not recombine into molecular and does not cause film blistering, which indicates a good connection of the metal film with the substrate. I Example. A layer of a copper film with a thickness of 1 µm was deposited onto the surface of a silicon substrate by thermal vacuum spraying. The substrate with the film is placed in a glass chamber and is applied to the film with atomic hydrogen under a partial pressure of 3 Pa. Atomic hydrogen is produced by dissociating molecular hydrogen in electrical discharge using a high-frequency generator GHF-66, the maximum power of which is 70 W, and an operating frequency of 40 MHz. The operating pressure range in the installation is determined by the possibility of obtaining high-frequency discharge in which dissociation of molecular hydrogen, it is 30 Pa. For the separation of hydrogen atoms from charged particles, the distance from the discharge to the working volume in which the film substrate is placed is 0.2 m. The compound is maintained in an atmosphere of atomic hydrogen for 5 minutes. After the action of atomic hydrogen on the copper film and its diffusion under the film, the spots of blisters are fixed. 31126846 4
ки, по которым суд т о наличии путем обеспечени ввода атомарнофектов в соединении.го газа под пленку по всей ее поИзобретение позвол ет повыситьцелостности пленки за счет диффузионнадежность определени дефектов вj ного проникновени атомарного газаki, which are judged on the presence by providing the input of atomic-defects in a compound of its gas under the film throughout its invention. It improves the integrity of the film due to the diffusion reliability of the determination of defects in the penetration of atomic gas.
соединени х с металлическими плен-через поры пленки. верхности и исключени повреждени compounds with metal foil-through film pores. surface and damage