SU1125291A2

SU1125291A2 - Устройство дл нанесени покрытий

Info

Publication number: SU1125291A2
Application number: SU782593106A
Authority: SU
Inventors: Александр Иосифович Григоров; Андрей Михайлович Дороднов; Александр Тимофеевич Калинин; Михаил Данилович Киселев; Юрий Алексеевич Перекатов; Борис Львович Таубкин
Original assignee: МВТУ им.Н.Э.Баумана
Priority date: 1978-03-30
Filing date: 1978-03-30
Publication date: 1984-11-23

Abstract

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ по авт. св. № 796248, о тл к ч а ю щ е е с тем, что, с целью повышени качества покрытий, газовый коллектор жестко закреплен на внешней боковой поверхности подложкодержател , а в части стенки подложкодержател , ограниченной газовым коллектором, вьшолнены отверсти .

Description

Изобретение относитс к нанесенвдо износостойких и специальных покрытий в вакууме.

По основному авт. св. № 796248, известно устройство дл нанесени покрытий, содержащее вакзгумную камеру с соосно размещенными в ней источником ускоренных ионов, газовым коллектором и подложкодержателем с подложками , наход щиес под отрицательным потенциалом. При этом подложкодержатель выполнен в виде полого незамкнутого тела, внутри которого размещены подложки и элементы их Фиксации Я .

Недостатком известного устройства вл етс то что реактивный газ, поступающий из коллектора, наход щегос под плавающим потенциалом, ионизирован слабо. Практически в поток металлической плазмы он поступает слабо и неионизированным, а это снижает эффективность протекани плазмохимического процесса.

Цель изобретени - повьшение качества покрытий. .

Эта цель достигаетс тем, что в устройстве дл нанесени покрытий, содержащем вакуумнзпо камеру с соосно размещенными в ней источником ускоренных ионов, газовым коллектороМ-и подхгожкодержателем с подложками , наход щими под отрицательным потенциалом и выполненным в виде полого незамкнутого тела, внутри которого размещены подложки и элементы их фиксации, газовый коллектор жестко закреплен на внешней боковой поверхности подложкодержател , а в части стенки подложкодержател , ограниченной газовым коллектором, выполнены отверсти .

Ца чертеже представлена схема устройства.

Устройство содержит источник ускоренных ионов металла покрыти , включающий цилиндрический катод 1 с торцовой рабочей поверхностью, выполненный из испар емого материала,, например титана, соосно установленньй с катодом кольцевой анод 2 и магнитную катушку 3, расположенную коаксиально с катодом 1, .а также источник 4 электропитани дугового разр да . Соосно с катодом установлен подложкодержатель 5 подложек 6, представл ющий собой полое незамкнутое тело, на заднем торце которого выполнены отверсти дл креплени подложки (метчиков, сверл и т.д.); Подложкодерждтель 5 соединен с источником 7 создани отрицательного смешени напр жени на подложкодержателе . На внешней боковой поверности подложкодержател жестко закреплен газовый коллектор 8, соединенный с системой подачи реактивног газа (не показана). Отверсти 9 дл подачи реактивного газа из коллектора в полость подложкодержател 5 выполнены в стенке последнего, ограниченной газовым коллектором, и расположены равномерно по кольцу. Все элементы устройства наход тс в вакуумной камере.

Устройство работает.следующим образом.

Между катодом 1, материал которого поступает в межэлектродное пространство ускорител , и анодом 2 зажигаетс разр д, питаемый от основного источника 4.. Благодар взаимодействию токов разр да с магнитным полем, создаваемым катушкой 3, плазма ускор етс и направл етс на подложкодержатель 5 с подложками 6. Плазменный поток поступает внутрь подложкодержател . В последующей плазме зажигаетс разр д с полым катодом , в котором электроны плазмы совершают осцилл цию. Это ведет к увеличению срока их жизни в разр дном объеме, к повышению ионизирующей способности и вызьшает эффек-: . тивную ионизацию плазменного потока внутри подложкодержател 5 осциллирующими электронами, что способствует увеличению скорости и полноты протекани плазмохимической реакции на поверхности подложек и в объеме , непосредственно премыкающем к ней. При этом газовый коллектор 8, закрепленный на подложкодержателе 5, сам вл етс дополнител.ным полым катодом, внутри которого происходит эффективна ионизаци реактивного газа (азота, ацетилена кислорода и др.) осциллирующими электронами . Ионизированный реактивный газ поступает через отверсти 9 непосредственно в полость основного полого катода - подложкодержател 5 подложек 6, в котором происходит эффективное перемешивание газовой и металлической плазм. При этом полнота и скорость плазмохимической ре3 акции еще более возрастают. Покрыва емые подложки, например метчики, сверла и прот жки, креп тс с зазором друг относительно друга к задней торцовой стенке подложкодержател и электрически соединены с ним образу в совокупности много чеистый полый- катод. Подложки, подлежащие напылению располагают в подложкодержателе сле дующим образом. 14 При диаметре напыл емых изделий 5-14 мм рассто ние между их ос ми составл ет 7 мм, а при диаметре 1А мм и выше - величину, равную двум диаметрам напыл емого издели . Предлагаемое устройство значительно повышает качество покрытий. Стойкость резцов и сверл увеличиваетс в 1,2 раза, а стойкость метчиков - в 1,5 раза.

Claims

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ по авт. св. № 796248, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества покрытий, газовый коллектор жестко закреплен на внешней боковой поверхности под- * ложкодержателя, а в части стенки подложкодержателя, ограниченной газовым коллектором, выполнены отверстия.

СО