SU1122982A1 - Способ определени потенциала диэлектрического сло - Google Patents
Способ определени потенциала диэлектрического сло Download PDFInfo
- Publication number
- SU1122982A1 SU1122982A1 SU792858905A SU2858905A SU1122982A1 SU 1122982 A1 SU1122982 A1 SU 1122982A1 SU 792858905 A SU792858905 A SU 792858905A SU 2858905 A SU2858905 A SU 2858905A SU 1122982 A1 SU1122982 A1 SU 1122982A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- dielectric layer
- capacitor
- potential
- charge
- metallized base
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ путем зар да конденсатора известной емкости, отличающийс тем, что, с целью расширени функциональных возможностей за счет определени потенциала диэлектрического сло на металлизированной основе, измер ют величину зар да конденсатора при подключении его только к металлизированной основе, измер ют величину зар да конденсатора при подключении его к металлизированной основе при наличии на ней диэлектрического сло и по разности измеренных за р дов и емкости конденсатора определ ют потен- циал диэлектрического сло . % л «JL. ND N9 ip/ ;о $ 1 F 30 S5
Description
Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано прц определении потенциала заряжаемых коронным разрядом тонких диэлектрических пленок и 5 фотополупроводниковых слоев.
Известен способ определения потенциала путем измерения заряда конденсатора известной емкости [ij .
Известный способ не* используется для измерения потенциала диэлектрического слоя на металлизированной основе. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей известно- 15 го способа за счет определения потенциала диэлектрического слоя на металлизированной основе.
Указанная цель достигается тем, что согласно способу определения по- 20 тенциала диэлектрического слоя путем заряда конденсатора известной ёмкости, измеряют величину заряда конденсатора при подключении его только, к металлизированной основе, измеряют 25 величину заряда конденсатора при подключении его к металлизированной основе при наличии на ней диэлектрического слоя и по разности измерен ных зарядов и емкости конденсатора зо определяют потенциал диэлектрического слоя.
На чертеже изображена схема устройства, реализующего способ.
'Устройство включает в себя коро- 35 нирующий электрод 1, окруженный металлическим экраном 2 с кадровым окном 3, в котором устанавливается диэлектрический слой 4 на металлизированной основе 5. Экран заземля- 4θ ется через резистор 6. Между осно·* вой диэлектрического слоя 4 и землей . · подключены последовательно включенные конденсатор 7 и электрометр 8, закороченные с помощью нормально 45 замкнутых контактов 9 и 10.коммутирующего устройства (не показано/. Высокое напряжение на коронирующий электрод 1 подается с источника 11 высокого напряжения. 50
Для измерения потенциала диэлектрического слоя вначале определяют величину заряда при подключении конденсатора 7 к только металлизирован ной основе. С этой целью вместо.слоя на металлизированной основе 5 устанавливается металлическая пластина и включается источник 11 высокого напряжения. По истечении определенного времени, задаваемого с помощью коммутирующего устройства, размыкаются нормально замкнутые контакты 9 и 10, и начинается заряд конденсатора 7 до отсечки коронного тока, текущего на пластину. Одновременно электрометром 8 измеряется за-, ряд , пошедший на зарядку конденсатора 7 до момента отсечки. Источник 11 высокого напряжения отключается, контакты 9 и 10 замыкаются.
Затем вместо металлической пластины вводится исследуемый диэлектрический слой 4 на металлизированной основе 5 и повторно включается источник 11 высокого напряжения.
В момент .измерения,, задаваемый коммутирующим (устройством, размыкаются нормально замкнутые контакты 9 и 10, и начинается зарядка конденсатора 7 до отсечки коронного тока, текущего на слой 4. Одновременно электрометром 8 измеряется заряд пошедший на зарядку конденсатора 7 до момента отсечки.
Потенциал диэлектрического слоя определяется по формуле где VCH - потенциал диэлектрического . слоя 4J
С - емкость конденсатора 7. ί Резистор 6, через который заземляется экран 2, обеспечивает подачу на него оптимального напряжения смещения, при котором достигается наиболее равномерная зарядка слоя 4 по кадру и тем самым обеспечивается минимальная погрешность измерений потенциала, обусловленная указанной неравномерностью.
Предлагаемый способ может быть использован для контроля за процессом коронной зарядки ксерографических, фотопластических и светочувствительных полупроводниковых слоёв й исследования их электрофизических свойств. ·
ВНЙИПИ Заказ 8)33/37 Тираж .710. Подписное
Филиал ШШ Патент, г.Ужгород, ул.Проектная, 4
Claims (1)
- СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ путем заряда конденсатора известной емкости, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет определения потенциала диэлектрического слоя на металлизированной основе, измеряют величину заряда конденсатора при подключении его только к металлизированной основе, измеряют величину заряда конденсатора при подключении его к металлизированной основе прй наличии на ней диэлектрического слоя и по разности измеренных зарядов и емкости конденсатора определяют потен-j циал диэлектрического слоя1 1122982 2
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792858905A SU1122982A1 (ru) | 1979-12-21 | 1979-12-21 | Способ определени потенциала диэлектрического сло |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792858905A SU1122982A1 (ru) | 1979-12-21 | 1979-12-21 | Способ определени потенциала диэлектрического сло |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1122982A1 true SU1122982A1 (ru) | 1984-11-07 |
Family
ID=20867607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU792858905A SU1122982A1 (ru) | 1979-12-21 | 1979-12-21 | Способ определени потенциала диэлектрического сло |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1122982A1 (ru) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5485091A (en) * | 1995-05-12 | 1996-01-16 | International Business Machines Corporation | Contactless electrical thin oxide measurements |
| US5644223A (en) * | 1995-05-12 | 1997-07-01 | International Business Machines Corporation | Uniform density charge deposit source |
| US5767693A (en) * | 1996-09-04 | 1998-06-16 | Smithley Instruments, Inc. | Method and apparatus for measurement of mobile charges with a corona screen gun |
| US6060709A (en) * | 1997-12-31 | 2000-05-09 | Verkuil; Roger L. | Apparatus and method for depositing uniform charge on a thin oxide semiconductor wafer |
-
1979
- 1979-12-21 SU SU792858905A patent/SU1122982A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Авторское свидетельство. СССР № 118897, кл. G 01 R 29/12, 10.03.58 (прототип). * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5485091A (en) * | 1995-05-12 | 1996-01-16 | International Business Machines Corporation | Contactless electrical thin oxide measurements |
| US5644223A (en) * | 1995-05-12 | 1997-07-01 | International Business Machines Corporation | Uniform density charge deposit source |
| US5767693A (en) * | 1996-09-04 | 1998-06-16 | Smithley Instruments, Inc. | Method and apparatus for measurement of mobile charges with a corona screen gun |
| US6060709A (en) * | 1997-12-31 | 2000-05-09 | Verkuil; Roger L. | Apparatus and method for depositing uniform charge on a thin oxide semiconductor wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0635997B2 (ja) | 静電容量測定回路 | |
| US6172368B1 (en) | Method of monitoring radiation using a floating gate field effect transistor dosimeter, and dosimeter for use therein | |
| US3944354A (en) | Voltage measurement apparatus | |
| US4284344A (en) | Electrophotographic density control | |
| US3373353A (en) | Electron beam scanning system for quality control of materials | |
| JPH0634688A (ja) | 電気信号生成装置 | |
| EP0040691B1 (en) | Apparatus for measuring semiconductor surface potential and impurity concentration | |
| US3943442A (en) | Method and apparatus for measurement of trap density and energy distribution in dielectric films | |
| US3934141A (en) | Apparatus for automatically regulating the amount of charge applied to an insulating surface | |
| SU1122982A1 (ru) | Способ определени потенциала диэлектрического сло | |
| US3652932A (en) | Method and apparatus for measurement of surface charge of an electret | |
| US4197493A (en) | Electrostatic voltmeter | |
| US4194828A (en) | Process and apparatus for developing an electrostatic latent image | |
| US3852668A (en) | Electrometer system | |
| US4673885A (en) | Devices for reading the quantities of electrical charges borne by a dielectric | |
| US7202675B2 (en) | Device and method for measuring toner current | |
| JPH0452467B2 (ru) | ||
| JP3039931B2 (ja) | オフセット電圧を補償するために増幅器を補正する装置 | |
| US5040021A (en) | Transmission densitometer by using differential comparison of electrostatic voltage signals | |
| JPH01107179A (ja) | 静電記録装置の表面電位計較正装置 | |
| US5138173A (en) | Charge detector for semiconductor substrates | |
| SU1109677A1 (ru) | Способ измерени напр женности электрического пол | |
| JP3247396B2 (ja) | 半導体装置の評価方法 | |
| Shew | Measurement of Photoinduced Discharge Currents and Voltages | |
| SU1112318A1 (ru) | Устройство дл измерени электростатических зар дов материалов |