SU1109578A2 - Способ измерени толщины полупроводниковых слоев материала - Google Patents
Способ измерени толщины полупроводниковых слоев материала Download PDFInfo
- Publication number
- SU1109578A2 SU1109578A2 SU802939005A SU2939005A SU1109578A2 SU 1109578 A2 SU1109578 A2 SU 1109578A2 SU 802939005 A SU802939005 A SU 802939005A SU 2939005 A SU2939005 A SU 2939005A SU 1109578 A2 SU1109578 A2 SU 1109578A2
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- thickness
- semiconductor layers
- electrode
- layers
- measuring thickness
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ МАТЕРИАЛА ПО авт.св. О 697801, отличающийс Тем, что, с целью повышени точности и расширени пределов измерени толщины многослойных материалов , на исследуемом материале под жидкостньал электродом создают косой срез и после пропускани импульса электрического тока между материалом и жидкостным электродом измер ют рассто ни между границами, соответствующими област м выброса вещества различных слоев.
Description
9
:о сл
00 Изобретение относитс к измерительной технике и может быть исполь зовано дл контрол параметров полупроводниковых материалов при их изготовлении. По авт.ев, № 697801 известен спо соб измерени толщины полупроводник вых слоев материала, заключающийс в том, что пропускают импульс элект рического тока между материалом и жидкостным выпр мл ющим электродом и измер ют глубину микроскола, вызванного локальным тепловым выбросом вещества ClJ. Недостатком известного способа вл ютс недостаточно высокие точность и предел измерени . . Целью изобретени вл етс повышение точности и расширение предело измерени толщины многослойных материалов . Поставленна цель достигаетс тем, что согласно способу на исследуемом материале под жидкостным эле тродом создают косой срез и после пропускани импульса электрического тока между материалом и жидкостным электродом измер ют рассто ни межд границами, соответствующими област выброса вещества различных слоев. Способ осуществл етс следующим образом. На кромке измер емой пластины изготавливают микроскопический косой срез, например, погружением образца в химический травитель. На поверхности косого среза устаь авливают жидкостной выпр мл ющий электрод, вспомогательный электрод устанавливают в произвольной точке образца. Через электрод на срезе пропускают импульсный ток (например, 1-3 импульса) в запирающей контакт пол рности (например , отрицательна пол рность при электронной проводимости полупроводника ) и с разностью потенциалов, превышающей напр жение пробо полупроводника . Пропусканием тока через полупроводниковые слои в площади электрода создают резкий градиент температуры, направленный к поверхности среза, который пропорционален электропроводности слоев. Наличие теплового градиента, , вызванного лавинным током, приводит к локальной возгонке вещества в виде множества микросколов и с плотностью, пропорциональной электропроводности слоев, что обеспечивает формирование в площади контакта светового контраста , обозначающего геометрические размеры слоев.
Claims (1)
- СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ МАТЕРИАЛА ПО авт.св. № 697801, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения пределов измерения толщины многослойных материалов, на исследуемом материале под жидкостным электродом создают косой срез и после пропускания импульса электрического тока между материалом и жидкостным электродом измеряют расстояния между границами, соответствующими областям выброса вещества различных слоев.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU802939005A SU1109578A2 (ru) | 1980-06-09 | 1980-06-09 | Способ измерени толщины полупроводниковых слоев материала |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU802939005A SU1109578A2 (ru) | 1980-06-09 | 1980-06-09 | Способ измерени толщины полупроводниковых слоев материала |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU697801 Addition |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1109578A2 true SU1109578A2 (ru) | 1984-08-23 |
Family
ID=20901425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU802939005A SU1109578A2 (ru) | 1980-06-09 | 1980-06-09 | Способ измерени толщины полупроводниковых слоев материала |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1109578A2 (ru) |
-
1980
- 1980-06-09 SU SU802939005A patent/SU1109578A2/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Авторское свидетельство СССР кл. G 01 В 7/06, 1978 (про№ 697801, тотип) . * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0155225A3 (en) | Microwave measuring method and device for the contactless and non-destructive testing of photosensitive materials | |
| Zimmermann | Measurement of spatial variations of the carrier lifetime in silicon power devices | |
| US3416078A (en) | Method of determining resistivity of a thin layer | |
| SU1109578A2 (ru) | Способ измерени толщины полупроводниковых слоев материала | |
| Lakshmi et al. | Interface-state characteristics of GaN/GaAs MIS capacitors | |
| JPS6219707A (ja) | 膜厚の測定方法 | |
| Yau et al. | Thermal emission rates and activation energies of electrons and holes at silver centers in silicon | |
| JPS5775438A (en) | Semiconductor element | |
| Li et al. | The use of spatially-dependent carrier capture rates for deep-level-defect transient studies | |
| Sittig | Doping inhomogeneities in semiconductors measured by electroreflectance | |
| RU2616876C1 (ru) | СПОСОБ КОНТРОЛЯ НАЛИЧИЯ ГЛУБОКИХ ДЕФЕКТОВ МАТРИЦЫ GaAs, СВЯЗАННЫХ С ВСТРАИВАНИЕМ В НЕЁ СЛОЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs | |
| SU697801A1 (ru) | Способ измерени толщины полупроводниковых слоев материала | |
| JPS61101045A (ja) | 半導体評価方法 | |
| SU642639A1 (ru) | Датчик влажности | |
| Catsimpoolas et al. | Transient state isoelectric focusing: Measurement of minimal focusing time | |
| Cote et al. | Factors Affecting Laser‐Trim Stability of Thick Film Resistors | |
| SU1668858A1 (ru) | Способ измерени толщины тонких пленок | |
| SU669430A1 (ru) | Зондова головка | |
| SU1613946A1 (ru) | Способ неразрушающего контрол материалов | |
| JPS5543880A (en) | Non-contact measurement of semiconductor carrier concentration and conductivity by capacitance-coupling | |
| Köseoğlu et al. | THz probe studies of MBE grown epitaxial GaAs | |
| Carroll et al. | Separation of surface and bulk minority‐carrier lifetimes in silicon | |
| SU550882A1 (ru) | Способ определени эффективной температуры гор чих носителей тока в полупроводнике | |
| SU1420548A1 (ru) | Способ измерени удельного сопротивлени | |
| SU875208A1 (ru) | Способ определени площади шероховатой поверхности электропроводных изделий |