Изобретение относитс к промьпи- . ленной электронике и может использоватьс -в управл емых источниках эталониьп; сигналов в качестве преобразо вател напр жени в ток. Известен преобразователь напр жени в ток, содержащий первый и вто рой взводные транзисторы, эмиттеры ко торых соединены с объединенными эмит терами транзисторов соответственно первого и второго отражателей тока, входы которых соединены между собой через нормирующее сопротивление, а также первый и второй генераторы ток включенные между шиной источника пит ни и базами соответственно первого и второго выходных транзисторов, эмиттеры которых подключены к соответствующим выводам нормирующего сопротивлени , а базы - к выходам соот ветственно первого и второго отражателей тока СП. Однако данного преобразовател напр жени в ток недостаточна точнос коэффициента передачи, обусловленна погрешност ми генераторов тока. Наиболее близким к изобретению по технической сущности вл етс дифференциальный усилитель, содержащий входной дифференциальный каскад на первом и втором транзисторах одной структуры, объединенные эмиттеры кот рых через первый генератор тока соединены с одной шиной первого источни ка питани , коллектор первого транзистора - с одной шиной второго исто ника питани , первый регулирующий транзистор, коллектор которого вл етс выходом дифференциального усилител и соединен с первым выводом второго генератора тока, а эмиттер с первым выводом первого резистора, второй регулирующий транзистор, второй и третий резисторы, третий генер тор тока t21. Однако в известном устройстве недостаточна точность коэффициента передачи обусловлена погрешност ми второго генератора д-ока и первого ис точника питани . Цель изобретени - повышение точности коэффициента передачи. Поставленна цель достигаетс тем что в дифференциальный усилитель, содержащий входной дифференциальный кйскад на первом и втором транзистор одной структуры, объединенные эмитте ры которых через первый генератор тока соединены с одной шиной первого источника питани , коллектор первого транзистора - с одной шиной второго источника , первый регулирующий транзистор, коллектор которого вл етс выходом дифференциального усилител и соединен с первым выходом второго генератора тока, а эмиттер с первым выходом первого резистора, второй, регулирующий транзистор, второй и третий резисторы, третий генератор тока, введены дополнительный дифференциальный каскад на третьем и четвертом транзисторах и дополнительный источник питани , при этом второй транзистор выполнен двухколлекторным , а структура первого и второго регулирующих транзисторов, третьего и четвертого транзисторов противоположна структуре первого и второго транзисторов, причем эмиттеры третьего и четвертого транзисторов объединены и через третий генератор тока соединены с одной шиной дополнительного источника питани , коллекторы - с соответствующими коллекторами второго транзистора и с базами соответственно второго и первого регулирующих транзисторов, эмиттер второго регулирующего транзистора соединен с базой третьего транзистора и через второй резистор - с одной шиной второго источника питани , к которой подключен второй вывод первого резистора, а Коллектор второго регулирующего транзистора соединен с базой первого транзистора и через третий резистор - с общей шиной, при этом база четвертого транзистора соединена с эмиттером первого регулирующего транзистора, база второго транзистора - с источником входного напр жени , а второй вьгоод второго генератора тока - с одной шиной первого источника питани , причем другие шины всех источников питани подключены к общей шине. На чертеже представлена принципиальна электрическа схема дифференциального усилител . Г1 Дифференицальный усилитель содержит входной дифференциальный каскад 1 ни первом и втором транзисторах 2 и 3, дополнительный дифференциальный каскад 4 на третьем и четвертом транзисторах 5 и 6, первый и второй регулирующие транзисторы 7 и 8, первый, второй и третий генераторы 9-11 тока. первый, второй и третий резисторы 12-1 А, первый второй и дополнительны источники 15-17 питани , источник 18 входного напр жени , нагрузка 19. /.дифференциальный усилитель работа 2Т следующим образом. В одной из схем реализации величи на тока первого генератора 9 тока в два раза больше величины тока третье го генератора 11 тока, величина напр жени .второго источника 16 питани меньше величины напр жени дополните ного источника 17 питани . В качеств двухколлекторного второго транзистора 3 входного дифференциального каск да 1 используемс транзистор, коллек торные области которого имеют одинаковые геометрические размеры. В ка .честве первого и второго регулирующих транзисторов 7 и 8 используютс составные транзисторы. В цел х упрощени пренебрегаем ве личинами базовых токов транзисторов в силу их малости. Так как токи, про текающие через третий и четвертый тр-анзисторы S и 6 пополнительного дифференциального каскада 4 равны коллекторным токам лвухколлекторного второго транзистора 3 входного дифференциального каскада 1, а коллекто ные токи второго транзистора 3 в силу .одинаковости геометрических раз меров его коллекторных областей равны друг другу, то токи, протекающие через третий и четвертый транзистор 5 и 6 дополнительного дифференциального каскада 4, равны друг другу, а следовательно напр жени на базах третьего и четвертого транзисторов 5 и 6 также равны друг другу. Ввиду того, что эмиттерный ток второго тра зистора 3 равен сумме коллекторных токов второго транзистора 3, а сумма упом нутых коллекторных токов равна сумме эмитттерных токов третьего и четвертого транзисторов 5 и 6, котора , в свою очередь, равна току, третьего генератора 11 тока, то эмиттерный ток второго транзистора 3 также равен току третьего генератора 11 тока. Учитыва вьшеизложенное и то, что ток первого генератора 9 тока, подключенного к эмиттерам первого и второго транзисторов 2 и 3 в два раза больше тока третьего генератора 11 тока, приходим к выводу о равенстве эмиттеоных токов первого и второго транзисторов 2 и 3. Так как змит- . терные токи первого и второго тран .зисторов 2 и 3 входного дифференциал .ного каскада 1 равны друг другу, то напр жени на базах упом нутых транзисторов также равны друг другу. Следовательно напр жение, прикладываемое к третьему резистору 1А, равно напр жению источника 18 входного напр жени . В итоге, величина тока, протекающего через третий резистор 14, пр мо пропорциональна величине напр жени источника 18 входного напр жени и обратно пропорциональна сопротивлению третьего резистора 14. Второй регулирующий транзистор И включен в контур отрицательной обратной св зи входного дифференциального каскада 1. Ток, протекающий через третий резистор 14, суммируетс на базе первого транзистора 2 с коллекторным током второго регулирующего транзистора 8. Напр жение на базе второго регулирующего транзистора 8 мен етс таким образом, чтобы выравнить указанные токи. В результате ток, протекающий через третий резистор 14, равен коллекторному току второго регулирующего транзистора 8. Коллкторный ток второго регулирующего транзистора 8 с учетом величин базовых токов транзисторов равен его эмиттерному току, а следовательно току , протекающему через второй резистор 13. Падение напр жени на втором резисторе 13, вызванное протеканием тока, с учетом сделанного замечани о равенстве напр жений на базах третьего и четвертого транзисторов 5 и 6 дополнительного дифференциального каскада 4, равно падению напр жени на первом резисторе 12. В результате , величина тока, протекающего через первый резистор 12, пропорциональна току, протекакицему через второй резистор 13. Коллекторный ток первого регулирующего транзистора 7, равный току, протекающему через первый резистор 12, суммируетс на нагрузке 19 с током второго генератора 10 тока. Величина выходного тока, протекаюего через нагрузку 19, определ е- с оотношением .;32.