SU109994A1 - The method of obtaining a silicon-aluminum alloy transition - Google Patents
The method of obtaining a silicon-aluminum alloy transitionInfo
- Publication number
- SU109994A1 SU109994A1 SU571236A SU571236A SU109994A1 SU 109994 A1 SU109994 A1 SU 109994A1 SU 571236 A SU571236 A SU 571236A SU 571236 A SU571236 A SU 571236A SU 109994 A1 SU109994 A1 SU 109994A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- silicon
- obtaining
- aluminum alloy
- aluminum
- alloy transition
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Изобретение предстаг л ет собой способ получени cn.iciBHOiO The invention provides a method for producing cn.iciBHOiO
типа „11 или перехода кремни R известных „р с алюминием, способах получени сплавного iieрехода у кремни с иснользоваимем алюмини как type 11 or silicon transition R known as p with aluminum, methods for obtaining a alloyed silicon transition using silicon as aluminum
акиепторноakieptorno
припайка к п р и м е с и 3 ат р у д н е н аsoldering to p p i m e s and 3 atr u d n e n a
алюминию внегннего вывода и проведение химическ-ого травлени нолученной структуры, так как алюминий бурно реагирует со nve,лочами .to aluminum of external output and carrying out chemical etching of the obtained structure, since aluminum reacts violently with nve, lochami.
В описываемом способе указанные недостатки устранены тем, что алюминиевую полоску поменаают между кристаллом кремни и пластинкой сплава на олов нистой пли свинцовой основе п полученную композицию помещают в печь и подвергают в течение 1-2 мин. термообработке при температуре пор дка 700 в неокисл юп1 ,ей среде. При этом алюминий сплавл етс с кремнием, образу сплав типа силумин, а олово прочно сплавл етс с образовавHJHMCH силумином и к нему легко припаиваетс внешний вывод. Вместо о.юва может быть использован о.юв но-свинцовый сп.чав или любой д)уго11, сплавл ющийс с силумином. При этом ироцесс транлени сун1ественно об.тегчаетс , так как алюминий не будет иметь непосредственного контакта с электролитом.In the described method, these drawbacks are eliminated by the fact that an aluminum strip is swapped between a silicon crystal and an alloy plate on a tin-pure or lead-based base and the resulting composition is placed in a furnace and subjected to it for 1-2 minutes. heat treatment at a temperature of about 700 in neo-acid jup1, its environment. At the same time, aluminum is fused with silicon to form a silumin-type alloy, and tin is firmly fused with the HHMCH silumin to form and an external lead is easily soldered to it. Instead o.Syuva, o.v. nov-lead sp.chav or any e) alloy 11, fused with silumin, can be used. In this case, the process of translation is naturally objectified, since aluminum will not have direct contact with the electrolyte.
П р е д м е т п з о б р с т с п и P re D m ete p z o b c p e c i n
(люсоб получени сплавного перехода кремний-алюмнний, о тл и ч а ю и ii с тем, что, с целью облегчени п)мнайк 1 внешнего вывода к переходу п у.гучп1ени процесса гравлепи перехода, алю- 1 ниевую нолоску помеп1ают между кристаллом кремни тппа „п или „/ н пластинкой сплава на олов нисЮ или свирщовоГ основе , полученную композицию помещают в печь и подвергают термообработке в неокисл юп1ей среде .(for the formation of a silicon-aluminum alloy transition, about t and h and ii with the fact that, in order to facilitate n) the 1 is the external withdrawal to the junction with the guaranty of the engraving transition process, between the silicon crystal A “p” or “/ n plate of an alloy on a tin on a downward or curved basis, the resulting composition is placed in a furnace and subjected to heat treatment in neo-acidic medium.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU571236A SU109994A1 (en) | 1957-04-10 | 1957-04-10 | The method of obtaining a silicon-aluminum alloy transition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU571236A SU109994A1 (en) | 1957-04-10 | 1957-04-10 | The method of obtaining a silicon-aluminum alloy transition |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU109994A1 true SU109994A1 (en) | 1957-11-30 |
Family
ID=48382982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU571236A SU109994A1 (en) | 1957-04-10 | 1957-04-10 | The method of obtaining a silicon-aluminum alloy transition |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU109994A1 (en) |
-
1957
- 1957-04-10 SU SU571236A patent/SU109994A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE7411342L (en) | DEVICE FOR DETECTING WHEAT | |
CH618835B (en) | VIBREUR PIEZOELECTRIQUE. | |
SU109994A1 (en) | The method of obtaining a silicon-aluminum alloy transition | |
FR2321193A1 (en) | PROCESS FOR ATTACHING A CONDUCTOR TO A SEMICONDUCTOR DEVICE AND RESULTING PRODUCT | |
SU436473A3 (en) | ||
SE7613531L (en) | METHOD OF PRODUCING AN ELECTRODE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE | |
JPS54100257A (en) | Lead frame | |
JPS5249094A (en) | Gas detecting device | |
GB1010698A (en) | Soldering connecting wires to semiconductor bodies | |
GB753136A (en) | Improvements in or relating to light cells or rectifiers | |
SU123395A1 (en) | Soldering method using triple alloy thermocouples on flax | |
HARUYAMA | On the Surface Diffusion of Adsorbed Atoms in Eiectrolytic Deposition of Metals | |
SU120610A1 (en) | Method for detecting electron-hole transition in semiconductors | |
SU102105A1 (en) | Method of making high voltage selenium rectifying elements | |
SU102692A1 (en) | Thermocouple | |
GB851978A (en) | Improvements in or relating to processes for the production of electrodes on semi-conductor bodies | |
DE3218974A1 (en) | Interconnection layer for semiconductor devices and method of producing it | |
GB895652A (en) | Improvements in or relating to semiconductor valves | |
SU104210A1 (en) | Method of soldering tungsten and molybdenum parts | |
GB898119A (en) | A process for use in the production of a semi-conductor device | |
DE417099C (en) | Thermocouple cathode tubes | |
Ellis et al. | New etches for germanium | |
SU113810A1 (en) | Soldering method of boride cathodes with current leads | |
ES383940A1 (en) | Reduction of cuprous cyanide with hydrogen in a liquid medium | |
SU445857A1 (en) | Thermocouple for measuring low temperatures |