SU102105A1

SU102105A1 - Method of making high voltage selenium rectifying elements

Info

Publication number: SU102105A1
Application number: SU451235A
Authority: SU
Inventors: Л.Ю. Беленкова; И.Х. Геллер; Д.Н. Наследов; Ф.М. Тартаковская; Ф.М. Тартаковска
Original assignee: Л.Ю. Беленкова; И.Х. Геллер; Д.Н. Наследов; Ф.М. Тартаковская; Ф.М. Тартаковска
Priority date: 1954-06-08
Filing date: 1954-06-08
Publication date: 1954-11-30

Description

Обычна тс.1(). ог11 изготовлени селеновых выпр мительных элементов включает операцию пх осерпени после вто)юи крпсталл11;)ацпи. Основна масса элементов, которые ироизво1д тс по этому способу, допускает об1)агноб напр женно в среднем 18 в. Сам способ вл етс достаточнг) сложным и дорогим.Normal ts.1 (). Og11 of the manufacture of selenium rectifying elements includes the operation nx of imprint after wto ui krpstall 11;) atspi. The main mass of elements that are irotized by this method allows about 1) agnob stress on average 18 in. The method itself is sufficient) complex and expensive.

Преп тствием к получен1ию селеновых выпр мнтельных элементов, рассчитанных на работу а болев высоких нанр женн х , вл етс несовершенный контакт между иоверхностыо н противоэлектродом .The obstacle to obtaining selenium rectifying elements designed for operation of high-density nanoparticles is the imperfect contact between the surface and the counter-electrode.

С целью улучшени электрических параметров атих элементов, достигаемого иутем повышени качества указанного контакта, предлагаетс обрабатывать се- леновые элеме: 1ты до намерени противоэлектрода электрическим током -на катоде в органичегком электролите.In order to improve the electrical parameters of these elements, which is achieved by improving the quality of this contact, it is proposed to process the selenium elements: 1 t before the counter-electrode is electrically operated on the cathode in organic electrolyte.

Под деГктпием элсктрнческог о тока, ПРОХОДЯИ1СГО от погруженного в ограннuecKiiii эл1м;т)1олит (например, этиловыИ снирт) плюминиевого диска, служащего анодом, к обрабатываемому элементу, вл юшемус катодом, электролит разлагаетс с выделением на поверхности селена атомарного водорода. Последний реагирует с селеном с образованием селенистого водорода. Селенистый водород, вл сь газообразным веществом, удал етс с поверхности селеиа, химический же состав селена, оставшегос «а элементе после обработки, ничем не отличаетс отUnder the current of the current passing from the immersed elm elm; t) 1 litol (for example, ethyl and reduced) plum disc, which serves as an anode, to the treated element, is a shamy cathode, the electrolyte decomposes with an atom on the surface of the selenium. The latter reacts with selenium to form selenous hydrogen. Selenium hydrogen, being a gaseous substance, is removed from the surface of the selenium, the chemical composition of selenium remaining "and the element after treatment is no different from

химического состава селена, имевшегос на элементе до обработКИ.chemical composition of selenium, which was present on the element before processing.

Селелистый водород образуетс , глав-ным образом, в тех местах поверхиости се-тена, где илотность тока больше, т. е. на выпуклост х этой поверхности. Интенсивноо образоваиие селенистого водорода в местах, соответствующих выиукло :т м поверхности селена, способствует сглаживанию этой поверхности. В слабых в механическом отношении N ecTax поверхности селена селенистый водород, получающ|ИЙс в ироцессе ирохождени тока, вызывает раздробление поверхности селена, что делает ео более активной д.т реакции с кадмием протиг оэл 1;трод:1.Seleted hydrogen is formed, mainly, in those places on the surface of the network where the current density is greater, i.e., on the convexity of this surface. Intensive formation of selenous hydrogen in the places corresponding to the convex: t m of the surface of selenium contributes to the smoothing of this surface. In the mechanically weak N ecTax of the selenium surface, selenous hydrogen, producing | ICIs in the process and current flow, causes fragmentation of the selenium surface, which makes it more active in reacting with cadmium Protigel 1; trod: 1.

Указанные изменени иоверхност селена способствуют обра; ованию в процозсо формовки более совершенного сло селеннда кадми на гра ице се,1ена и верхнего иротивоэлектрода, чем это имгет место в элементах серийного нроилвидства .These changes and selenium surfaces contribute to the pattern; In the process of forming a more perfect layer of selenium cadmium on gray, 1en and upper and counter electrodes, this is the case in the elements of serial liquidity.

. Так как слон электронного полупроводника CdSe играет существенную н)ль и процессе выпр млени , то результатом его улучшени вл етс повышение обратных нанр жени селеновых элементов с 18 до 30 в. эффективных, с сохранением 1гр мых падений напр жение в интервале 0,4-0,5 п. среднего значени .. Since the elephant electronic CdSe semiconductor plays an essential role in the straightening process, the result of its improvement is an increase in the reverse of the selenium elements from 18 to 30 in. effective, with the retention of 1 g of mym drops, the voltage in the range of 0.4-0.5 p. of average value.

В качестве электролита могут быть непользованы раз.жчные органические растворители . Так, например, б-тагоири тные результаты по пр мым и обратнымOrganic electrolyte may not be used as electrolyte. So, for example, the b-tagged results on direct and reverse

л 10ЛОГ)- 2-l 10LOG) - 2-

х;п)пкто1)1к-гик;1М щет 111)имснснир ка- лрм№та нутом спадании болоп, гпворшгНчестие тк-ктрплита 0,0002о/о-нпгп ацг-кого к.жтакта можду imu-i.XHuCThM cricТОН01ШП ) i)acTi Oii;i бромистого кадми .ла и прптинп.члсктродпм, сглснпиыи .м П род мет нзооретенп рабатываю злс-ктричсскпм током на каСпособ изготовлени высоковольтныхтодс в органическом электролите с тгм,x; p) pkto1) 1k-gik; 1M brush 111) impersnir karrmNta chuyu decay of the bolpus; a) acTi Oii; i methyl cadmium and pdint.plcctrodpm, sglsnpiyi.

селеновых выпр мительных элементов,чтобы иолучаю1ци1 1с в Hpt n-jcc-s прохожотл и чающийс тем, что, с цельюдени тока селенистый водород спссобулучшони электричесКЛХ параметровствовал сглаживанию поверхности селена.selenium rectifying elements in order to get 1 1 s in Hpt n-jcc-s, which is due to the fact that, for the purpose of current, selenous hydrogen with a thermal shock of the ELISA parameter has smoothed the surface of selenium.

мент до наиссснп противпэлсма-рп а ndMent up to the nationals vs palsma-rn a nd