SU1091136A1 - Устройство дл регулировани температуры - Google Patents

Abstract

1, УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГУЛИРОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащее терморезистор, последовательно соединенные нагреватель и коммутирующий тиристор , соединенные последовательно и включенные между анодом и катодом коммутиг ff-uto- рующего тиристора диод, резистор и накопительный конденсатор, формирующий элемент , включенный между точкой соединени  резистора и накопительного конденсатора и управл ющим электродом коммутирующего тиристора, отличающеес  тем, что, с целью повыщени  точности, надежности и упрощени  устройства, оно содержит два транзистора р-п-р- и п-р-п-проводимости, эмиттер каждого из которых подключен к соответствующим обкладкам накопительного конденсатора и через гас щие резисторы к коллектору другого транзистора и к собственной базе, причем терморезистор включен между базами транзисторов. 2. Устройство по п. 1, отличающеес  тем, что формирующий элемент выполнен в виде динистора. (Л

Description

тсо

f

00 Gi

4 .

1 Изобретение относитс  к устройствам регулировани  температуры, предназначенным дл  использовани  в радиотехнической и приборостроительной промышленности. Известно устройство дл  регулировани  температуры, содержащее тиристор, включенный в цепь нагревательного элемента, диод, делитель напр жени , состо щий из резистора и терморезистора с параллельно соединенным конденсатором. К средней точке делител  напр жени  подключен динистор , катод которого соединен с управл ющим электродом тиристора 1. Недостатком устройства  вл етс  низка  надежность. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому  вл етс  устройство, содержащее последовательно соединенные нагреватель и коммутирующий тиристор, управл ющий электрод которого через динистор подключен к средней точке термочувствительного диодно-резистивного делител  напр жени , термочувствительное плечо, которое содержит транзистор, между базой и коллектором которого включен терморезистор 2. Недостатками устройства  вл ютс  низка  точность, надежность и сложность. Цель изобретени  - повышение точности , надежности и упрощение устройства. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в устройство дл  регулировани  температуры , содержащее терморезистор, последовательно соединенные нагреватель и коммутирующий тиристор, соединенные последовательно и включенные между анодом и катодом коммутирующего тиристора, диод, резистор и накопительный конденсатор, фор мирующий элемент, включенньш между точкой соединени  резистора и накопительного конденсатора и управл ющим электродом коммутирующего тиристора, содержит пару транзисторов р-п-р- и п-р-п- проводимости, подключенных эмиттерами к обкладкам накопительного конденсатора и через гас щие резисторы - к коллекторам, друг друга и к собственным базам, причем терморезистор включен между базами пары транзисторов . Формирующий элемент выполнен в виде динистора. На чертеже изображена схема устройстна дл  регулировани  температуры Устройство дл  регулировани  температуры содержит коммутирующий тиристор 1, включенный последовательно с нагревателем 2. Параллельно аноду и катоду тиристора подключен делитель напр жени , состо щий из последовательно соединенных диода 3, резистора 4 и пары транзисторов 5 и 6 р-п-р и п-р-п проводимости с параллельно соединенным накопительным 7 конденсатором . К средней точке делител  напр жен   подключен анодом динистор 8, катод которого соединен с управл ющим электродом тиристора 1. Транзисторы 5 и 6 эмиттерами соединены между анодом динистора 8 и катодом тиристора 1. База транзистора 5 соединена с коллектором транзистора 6, база которого соединена с коллектором транзистора 5. Между базой и эмиттером транзистора 5 включен гас щий резистор 9, а между базой и эмиттером транзистора 6 - гас щий резистор 10. Терморезистор 11 включен между базами транзисторов 5 и 6 и установлен в рабочем объеме нагревател  2. В случае использовани  терморезистора с положительным температурным коэффициентом он включаетс  между эмиттером и базой транзистора 5 либо 6, а между базами транзисторов 5 и 6 включаетс  резистор . Устройство дл  регулировани  температуры работает следующим образом. При подключении к источнику питани  переменного напр жени  через диод 3, резистор 4 и накопительный конденсатор 7 протекает ток. Происходит зар д конденсатора 7. Транзисторы 5 и 6 образуют транзисторный пороговый элемент с регулируемым порогом. Причем его пороговое напр жение зависит от сопротивлени  терморезистора 11. В начальный период сопротивление терморезистора большое, и пороговое напр жение транзисторного порогового элемента больще, чем пороговое напр жение динистора 8. Поэтому при достижении на конденсаторе напр жени  включени  динистора , он включаетс , и через управл ющий электрод тиристора 1 разр жаетс  конденсатор 7. Включаетс  тиристор 1, причем тиристор 1 включаетс  в начальный момент перехода напр жени  сети через нуль. Напр жение между анодом и катодом тиристора 1 становитс  равным нулю и через терморезистор 11 не протекает ток управлени . Терморезистор не подвергаетс  тепловым перегрузкам. При протекании тока на нагревателе 2 происходит выделение тепловой мощности под действием которой повышаетс  температура в рабочем объеме. Сопротивление терморезистора 11 начинает уменьшатьс . Процесс повтор етс  до тех пор, пока температура в рабочем объеме становитс  равной температуре стабилизации. При этом пороговое напр жение транзисторного порогового элемента, определ емое сопротивлением терморезистора 11 становитс  меньше напр жени  включени  динистора 8, через транзисторы 5 и б протекает ток, разр жаетс  конденсатор 7 и напр жение между анодом и катодом становитс  равным нулю. Тиристор 1 не включаетс . Ток через транзисторы протекает до тех пор, пока напр жение питани  не переходит через нуль. На нагревателе 2 теплова  мощность не выдел етс .

Процесс повтор етс  до тех пор, пока температура в рабочем объеме не станет ниже температуры стабилизации. При этом цикл повтор етс  сначала.

Как видно температура стабилизации устройства зависит от напр жени  включени  динистора 8 и порогового напр жени  транзисторного порогового элемента на транзисторах 5, б и не зависит от напр жени  сети. Поэтому при колебани х и отклонени х напр жени  сети от номинального, а также при включении устройства в сеть с другим значением номинального напр жени  не измен етс  температура стабилизации . Это существенно повышает точность и расшир ет область применени  устрой ства .

Кроме того, в предложенном устройстве дл  регулировани  температуры тиристоры включаютс  только в начальный момент перехода напр жени  сети через нуль. Угол включени  тиристора определ етс  только

напр жением включени  динистора. При этом скорость нарастани  тока через тиристор имеет максимальное значение, безопасное дл  тиристора. Это повышает надежность устройства.

Форма тока, протекающего через нагреватель соответствует форме приложенного синусоидального напр жени . Поэтому устройство не потребл ет реактивной мощности , что значительно снижает потери, повышаетс  качество электрической . энергии в сети, исключаетс  генераци  высших гармоник , которые создают помехи к теле- и радиоприему.

Введение в. устройство транзисторного порогового элемента практически не вли ет

на стоимость устройства. Кроме того, предложенна  схема соединени  транзисторов позвол ет их интегральное исполнение.

Устройство просто в исполнении и малогабаритно . Испытание устройства показало высокую точность регулировани  температуры и его надежность.

Claims (2)

1, УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГУЛИРОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащее терморезистор, последовательно соединенные нагреватель и коммутирующий тиристор, соединенные последовательно и включенные между анодом и катодом коммути рующего тиристора диод, резистор и накопительный конденсатор, формирующий элемент, включенный между точкой соединения резистора и накопительного конденсатора и управляющим электродом коммутирующего тиристора, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, надежности и упрощения устройства, оно содержит два транзистора р-п-р- и п-р-п-проводимости, эмиттер каждого из которых подключен к соответствующим обкладкам накопительного конденсатора и через гасящие резисторы к коллектору другого транзистора и к собственной базе, причем терморезистор включен между базами транзисторов.

2. Устройство по π. 1, отличающееся тем, что формирующий элемент выполнен в виде динистора. <g