SU1045201A1 - Способ изготовлени пропускающей измерительной фазовой диффракционной решетки - Google Patents

Способ изготовлени пропускающей измерительной фазовой диффракционной решетки Download PDF

Info

Publication number
SU1045201A1
SU1045201A1 SU823461997A SU3461997A SU1045201A1 SU 1045201 A1 SU1045201 A1 SU 1045201A1 SU 823461997 A SU823461997 A SU 823461997A SU 3461997 A SU3461997 A SU 3461997A SU 1045201 A1 SU1045201 A1 SU 1045201A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
strokes
phase
layer
lattice
formation
Prior art date
Application number
SU823461997A
Other languages
English (en)
Inventor
Владлен Владимирович Куинджи
Степан Александрович Стрежнев
Николай Михайлович Балясников
Юрий Петрович Стрельников
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4671
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4671 filed Critical Предприятие П/Я Г-4671
Priority to SU823461997A priority Critical patent/SU1045201A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1045201A1 publication Critical patent/SU1045201A1/ru

Links

Landscapes

  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОПУС КАЮЩЕЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ ФАЗОВОЙ ДИФРАК ЦИОННОЙ РЕШЕТКИ, основанный на формировании в плоскости решетки матри цы двух идентичных систем штрихов, смещенных друг относительно друга по фазе, и на последующем копироваf « НИИ с полученной решетки ее реплики, отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности фазового соотношени  между смещенными системами штрихов, в процессе указанного формировани  осуществл ют нарезание единой системы штрихов симметричного двугранного профил , затем экранируют нарезанную систему штрихов на половину их длины и путем вакуумного испарени  нанос т на открытую половину одной из граней штрихов слой материала, который обладает высокой адгезией к подложке, ориентиру  при этом направление испарени  параллельно непокрываемой грани штрихов, после чего экранируют вторую половину системы штрихов и нанос т слой такой же толщины на о.ктрытую половину другой грани штрихов. П

Description

Изобретение относитс  к оптичесKojviy приборостроению, конкретнее к технологии изготовлени  прозрачнь решеток-индексов, которые совместно с отражательными решетками-шкалами используютс  дл  измерени  точных линейных перемещений по муаровым полосам, в частности, в след щих системах дл  управлени  процессами изготовлени  спектроскопических дифракционных решеток с числом штрихов от 100 до 2400 на один миллимет И метрологических линеек к станкам с программным управлением.
Известен способ изготовлени  параллельных линейных амплитудных растров, в соответствии с которым предварительно графическим путем выполн ют изображение растра, состо щего из двух систем штрихов, смещенных по фазе, с границей раздела, перпендикул рной направлению штрихов , а затем получают его уменьшенную пропускающую фотокопию Г .
Недостатком способа  вл етс  то, что фотографическим путем можно изготовить только низкочастотные ампл . тудные растры, качество которых к тому же невысокое из-за рассеивани  света в слое фотоэмульсий. Фазовые измерительные дифракционные решетки Изготовить невозможно.
Наиболее близок к предлагаемому по технической сущности способ изготовлени  пропускающей измерительной фазовой дифракционной решетки, основанный на фор 4ировании в плоскости решетки-матрицы двух идентичных систем штрихов, смещенных друг, относительно друга по фазе, и последующем копировании с полученной решетки ее прозрачной реплики. И-зготовление фазовых решеток-матриц осуществл ют путем нарезани  двух систем штрихов. Разовый раздел при этом параллелен их направлению и создаетс  благодар  смещению одной системы штрихов относительно другой путем внесени  ошибки делени  заданГо1
ной величины 2 ,
Недостатком такого способа  вл етс  нарушение фазового соотношени  между нарезанными системами штрихов решетки, что обусловлено износом резца в процессе нарезани , всле,дствие чего профиль штрихов одной системы отличаетс  от профил  штрихов другой. Кроме того, сказываетс  наличие прогрессивных ошибок делени . В конечном счете вли ние этих факторов существенно снижает точность измерен1-;  линейных перемещений.
Цель изобретени  - повышение точности фазового соотношени  между смещенными системами штрихов.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что согласно способу изготовлени  пропускающей измерительной фазовой дифракционной решетки, оснс-ваннo y На формировании в плоскости решетки-матрицы двух идентичных систем штрихов, смещенных друг относительно друга по фазе, и последующем копировсшии с полученной реодетхк ее реплики, в процессе укаэанкото формировани  осуществ л ют нарезание единой системы штрихов симметричного двугранного профил , затем экранируют нарезанную систем штрихов на половину их длины и путем вакуумного испарени  нанос т на открытую гюловину одной из граней штрихов слой материала, который обладает высокой адгезией к подложке, ориентир ;- при этом направление испарени  парал1;ельно непокрываемой грани штрихов, после чего экранируют вторую поповину системы штрихов и н,анос т слой такой же толщины на открытую половину другой грани штрихов.
На чертелсе показано последователь нов видоизменение структуры решеткиматрицы в процессе ее изготовлеки .
Предлагаемый способ реализуетс  следующим образом,
В слое 1 металла, например, алюrv1ини , который был предварительно нанесён на стекл нную подложку 2,алмазным резцом нарезают единую сие ;тему штрихов симметричного двугранного профил . При этом грани 3 и 4 нарезанных штрихов составл ют с поверхностью решетки угол с . Затем экрс1Нируют участок 5; поверхности „ матрицы примерно наполовину длины штрихов и путем вакуумного испарени  Нанос т на открытую половину грани 3, соответствующую незаэкраниpoвaннo -1y участку б поверхности, слой 7 материала, который обладает высокой адгезией к слою 1 . Е качестве такого материала может использоьатьс , наприме р, двуокись кремни . При этом Иоправление испарени  (на чертеже показано стрелками) орпетгтируют ПоЧаллельно непокрываемой грани 4 штрихов. Дл  обеспечени  заданного фазового смещени  между Форг-лкруемыми системам - штрихов толщина h наносимого сло  7 должна быть равна
Ь si п
где - заданна  величина относительно линейного смещени  систем штрихов друг относительно друга.
После этого экранируют вторую половину 6. поверхности штрихов и нанос т на открытую половину грани 4, соответствующую незаэкранирован0 ыому участку 5 поверх юсти,. слой 8, толщина которого также определ етс  приведенной зависимостью. При этом направление испарени  (на чертеже показано стрелками) ориентируют па5 паллельно ;)епо};рываемой грани 3 штрихов, в результате этих операций формируютс  две системы штрихов с относительным смещением , причем граница 9 фазового раздела в этом случае перпендикул рна к штрихам. После изготовлени  решетки-матрицы с нее копируют прозрачную реплику. При формировании штрихов алмазны резцом как и в прототипе имеет мест его износ. Однако, поскольку этот износ на длине каждого .штриха очень мал, а граница фазового раздела меж ду двум  системами штрихов проходит перпендикул рно их направлению, ошибки в относительном смещении сис тем не наблюдаетс . Вследствие этого повышаетс  точность фазового соотношени  между участками решетки и соответственно точность измерений Пример. Необходимо изготови пропускающую измерительную фазовую дифракционную решетку-индекс со следующими параметрами: количество штрихов на 1 мм 500, рабочие пор дки спектра О, + 1, угол наклона оС граней штрихов к поверхности решетк 30, величина фазового смещени  одного участка решетки относительно другого 180°. Решетка используетс  с шкалой, имеющей 250 штрихов на 1мм, рабочие пор дки спектра + 1Г и угол наклона граней штрихов к поверхности решетки 14°40. Цена муар вой полосы измерительного комплекта из прозрачной решетки-индекса и .отражательной решетки-шкалы равна одномумикрометру. На стекл нной подложке со слоем алюмини  на специальной делительной машине алмазным резцом формируют штрихи с посто нной решетки равной 2мкм и с углом наклона граней штри ха к поверхности заготовки равным Устанавливают решетку под углом в ЗО к направлению потока испа р емой двуокиси кремни . В вакуумной камере экранируют один участок решет ки примерно на. 0,5 длины штрихов и накос т слой двуокиси кремни  толщиной h . Поскольку штрихи частей решетки должны быть смещены по фазе на ХбО, относительн.ое смещение штрихов должно равн тьс  0,5 мкм. Подставл   данные oi и Б вышеуказанную зависимость , получают h 0,25 мкм. Затем поворачивают решетку вокруг оси, параллельной штрихам, на 120° так, чтобы она составила с направлением испарени  двуокиси кремни  угол -30, Экранируют другой участок решетки и Нанос т слой двуокиси кремни  толщиной равной 0,25 мкм. После чего с решетки-матрицы копируют прозрачную реплику на слое смолы ПГМФ и получают пропускающую фазовую дифракционную решетку. По предлагаемому способу изготовлена пропускающа  измерительна  фазова  дифракционна  решетка-индекс с количеством штрихов на миллиметр равным 500 ДЛЯ комплекта с целой полосы 1 мкм. Комплект измерительных решеток установлен на специальной точной делительной машине и позвол ет повысить точность делени  и надежность работы комплекта с фотоэлектрической системой управлени  делением. Таким образом, использование решеток , изготовленных на предлож.енно-. му способу, позвол ет повысить точность измерени  линейных перемещений на 5-8% по сравнению с прототипом ,что важно при использовании измерительных комплектов в делительных мгилинах дл  нарезани  дифракционных решеток в станках с программным управлением, измерительных микроскопах и т.д.

Claims (1)

  1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОПУСКАЮЩЕЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ ФАЗОВОЙ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКИ, основанный на формировании в плоскости решетки матрицы двух идентичных систем штрихов, смещенных друг относительно друга по фазе, й на последующем копирова- нии с.полученной решетки ее реплики, отличающийся тем, что, с целью повышения точности фазового соотношения между смещенными системами штрихов, в процессе указанного формирования осуществляют нарезание единой системы штрихов симметричного двугранного профиля, затем экранируют нарезанную систему штрихов на половину их длины и путем вакуумного испарения наносят на открытую половину одной из граней штрихов слой материала, который обладает высокой адгезией к подложке, ориентируя при этом направление испарения параллельно непокрываемой грани штрихов, после чего экранируют вторую половину системы штрихов и наносят слой такой же толщины на о.ктрытую половину другой грани штрихов.
    104-52Ш i 1.0
SU823461997A 1982-07-05 1982-07-05 Способ изготовлени пропускающей измерительной фазовой диффракционной решетки SU1045201A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823461997A SU1045201A1 (ru) 1982-07-05 1982-07-05 Способ изготовлени пропускающей измерительной фазовой диффракционной решетки

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823461997A SU1045201A1 (ru) 1982-07-05 1982-07-05 Способ изготовлени пропускающей измерительной фазовой диффракционной решетки

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1045201A1 true SU1045201A1 (ru) 1983-09-30

Family

ID=21019660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823461997A SU1045201A1 (ru) 1982-07-05 1982-07-05 Способ изготовлени пропускающей измерительной фазовой диффракционной решетки

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1045201A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2615020C1 (ru) * 2015-11-30 2017-04-03 Акционерное общество "ЛОМО" Способ изготовления дифракционной решетки

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Мироненко А.В. Фотоэлектрические измерительные системы. М., Энерги , 1967, с. 27. 2. Авторское свидетельство СССР № 165903, кл. G 01 В 11/02, 22.07.6 (прототип). *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2615020C1 (ru) * 2015-11-30 2017-04-03 Акционерное общество "ЛОМО" Способ изготовления дифракционной решетки

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69011918T3 (de) Kodiereinrichtung.
DE602005000684T2 (de) Photoelektrischer Positionsgeber und Verfahren zur Herstellung von Gittern
DE69904338T2 (de) Vorricthung zum messen von translation,rotation oder geschwindigkeit durch interferenz von lichtstrahlen
DE3923768C2 (ru)
DE68928192T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Positionsdetektion
DE3706277C2 (de) Drehungsmeßgeber
US3728117A (en) Optical diffraction grid
DE3855532T2 (de) Polarisierendes optisches Element und Einrichtung unter Benutzung desselben
DE4031637A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum messen einer verschiebung zwischen zwei objekten sowie eines spaltabstands zwischen den beiden objekten
DE69214375T2 (de) Kodierer und Antriebssystem
CN1168982A (zh) 在光波导中形成光栅的方法
US4452534A (en) Method of determining geometric parameters of object's surface and device therefor
EP0323242A2 (en) Method and apparatus for aligning two objects, and method and apparatus for providing a desired gap between two objects
DE69836938T2 (de) Apparat zum Erfassung von Verschiebungsinformation
US4715670A (en) Apparatus for copying holographic diffraction gratings
US4386849A (en) Method of moire-metrical testing of optical imaging systems
DE3412980A1 (de) Auflichtphasengitter und verfahren zur herstellung eines auflichtphasengitters
SU1045201A1 (ru) Способ изготовлени пропускающей измерительной фазовой диффракционной решетки
CN1700101A (zh) 用于投影光刻机的调焦调平传感器
DE69029644T2 (de) Kodierer
CN101295553B (zh) X射线全息衍射光栅分束器
DE68916742T2 (de) Multimoden-Halbleiterlaser-Interferometer.
US3819274A (en) Method of reading and interpolation for a precision rule and apparatus for carrying it out
EP1417519A1 (de) Optische positions- oder längenbestimmung
DE2720195A1 (de) Vorrichtung zum messen von groesse und richtung einer bewegung