SU1042109A1 - Method of manufacturing screens for light sources - Google Patents
Method of manufacturing screens for light sources Download PDFInfo
- Publication number
- SU1042109A1 SU1042109A1 SU813338388A SU3338388A SU1042109A1 SU 1042109 A1 SU1042109 A1 SU 1042109A1 SU 813338388 A SU813338388 A SU 813338388A SU 3338388 A SU3338388 A SU 3338388A SU 1042109 A1 SU1042109 A1 SU 1042109A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- coating
- light sources
- screens
- cermet
- transparent
- Prior art date
Links
Landscapes
- Overhead Projectors And Projection Screens (AREA)
Description
NN
toto
Изобретение относитс к электротвз{ничвской промышленности и может Найти применение при создании ламп накаливани с покрыти ми или экранами , отражающими ИК-излучение.The invention relates to electric power industry and can be used in the manufacture of incandescent lamps with coatings or screens that reflect IR radiation.
В производстве источников света дл увеличени световой отдачи и экономии подводимой энергии используют ИК-излучение, отражающие экраны типа: защитное покрытие - отражающий металлический слой - защитное 10 покрытие. Способ изготовлени таких экранов заключаетс в нанесении на прозрачную подложку защитного покрыти инертного к материалу следующего металлического покрыти , затем 15 нанос т верхнее защитное покрытиеIn the production of light sources, to increase light output and to save energy, infrared radiation is used, reflecting screens of the following type: protective coating — reflective metal layer — protective coating 10. A method of manufacturing such screens consists in applying a protective coating inert to the material of the next metal coating on a transparent substrate, then a top protective coating is applied 15.
Однако так как в качестве ИКготражающего сло используетс сплош-. HOS полупрозрачное покрытие, то значительна часть видимого излучени jQ .(20-50%) не проходит, что снижает увеличение световой отдачи ламп. Уменьшение толщины металла не обеспечивает достаточное отражение ИКизлучени , и эконо№1Я подводимой ; 25 энергии падает. Дл увеличени светоотдачи ламп в 3-10 раз необходимо создавать металлический слой в виде сетки с размером чеек 0,1-1,5 мкм.However, as a continuous layer is used as the IR trapping layer. HOS translucent coating, a significant part of the visible radiation jQ. (20-50%) does not pass, which reduces the increase in luminous efficiency of the lamps. Reducing the thickness of the metal does not provide sufficient reflection of the infrared radiation, and the efficiency of the input; 25 energy falls. To increase the light output of lamps by 3–10 times, it is necessary to create a metal layer in the form of a grid with a cell size of 0.1–1.5 µm.
Известны способы изготовлени экранов дл источников света, согасно которым на прозрачную подложку последовательно нанос т защитные покрыти из материала инертного по тношению к расположенному между ними покрытию, отражающему инфра - 35 красное и пропускающему видимое изучение , и формируют прозрачные участки в указанном отражающем покрытии .There are known methods for producing screens for light sources, according to which, protective coatings are successively applied to a transparent substrate from a material that is inert to the infrared-35 coating between them, which transmits visible light, and forms transparent portions in the specified reflective coating.
Недостатком такого способаиз- 40 готовлени экранов вл етс сложность технологии, так как формирование проэрачнь|х участков осуществл ют . методом фотолитографии, который включает изготовление фотошаблонов, на- д несение фоторезиста, его засветку, про вление и последующее удаление.Кроме того, оборудование дл фотолитографии сложное и дорогое. Такой способ реализуетс на плоских под- д ложках и практически невозможно создание экрана на сферических и цилинд рических колбах из-за значительного усложнени технологии.The disadvantage of such a method of preparing screens is the complexity of the technology, since the formation of transparent areas is carried out. photolithography method, which includes the manufacture of photo masks, deposition of photoresist, its illumination, development and subsequent removal. In addition, the equipment for photolithography is complex and expensive. This method is implemented on flat substrates and it is almost impossible to create a screen on spherical and cylindrical flasks due to the considerable complexity of the technology.
Цель изобретени - упрощение тех- нологии изготов; ени источников 55 света.The purpose of the invention is to simplify the fabrication technology; It comes from 55 light sources.
Дп достижени поставленной цели согласно способу изготовлени экранов дл источников света на прозрач- . ную подложку последовательно нанос т 60 з-а1цитные покрыти из материала, инертного по отношению к расположенному между ними покрытию, отражающему инфракрасное и пропускс1ющему видимое излучение, и формируют проз- 5Dp achieve the goal according to the method of manufacturing screens for light sources on transparent. 60 3-acite coatings of a material that is inert with respect to an infrared coating reflecting infrared and transmitting visible radiation between them are successively applied to the substrate and form a substrate.
рачные участки в указанном отражающем покрытии, покрытие, отражающее инфракрасное и пропускающее видимЬе излучение, выполн ют из керметного материала, а формирование прозрачных участков осуществл ют вытравливанием его неметаллической частит.The crayfish areas in the specified reflective coating, the infrared reflecting and visible radiation coating are made of a cermet material, and the formation of transparent patches is carried out by etching it into non-metallic parts.
В качестве керметного материала исполь-зуют смесь металла и любого диэлектрического или пблупроводникового материала, не взаимодействующего с металлом, вход щим в состав кермета. Из металлов предпочтительнее брать металлы с высоким отражением в ИК-области и по возможности прозрачными в видимой области спектра , например. Аи, Ад, Си, Сг, АР, PS, Pt, Zn, Rh. Соотношение диэлектрического (или полупроводникового) материала и металла, вход щего в кермет, беретс Таким, чтобы o6ecneiчивалось пропускание 50-95% видимого излучени и отражалось 60-98% ИКизлучени .. В качестве защитного пЬкрытск могут быть использованы оксиды нитриды, сульфиды, борйды, их Комбинации .As a cermet material, a mixture of metal and any dielectric or semi-conductive material that does not interact with the metal in the cermet composition is used. From metals it is preferable to take metals with high reflection in the infrared region and, if possible, transparent in the visible region of the spectrum, for example. Ai, Hell, C, Cr, AR, PS, Pt, Zn, Rh. The ratio of the dielectric (or semiconductor) material and the metal entering the cermet is taken so that the transmission of 50-95% of visible radiation is ocnectified and 60-98% of the infrared radiation is reflected. The oxides of nitrides, sulfides, borides, can be used as a protective cover. their combinations.
Способ нанесени защитного и керметного сло - это общеприн тые методы химического или физического формировани пленок, например, вакуумное напыление, нанесение из растворов . Способ травлени диэлектри- ческой или полупроводниковой собтавл ющей кермета может быть мокрым травление -в растворе электролита или сухим - плазмохимическое травление . . . ; , .., .The method of applying a protective and cermet layer is a common method of chemical or physical film formation, for example, vacuum deposition, application from solutions. The etching method of a dielectric or semiconductor supporting cermet can be wet etching — in an electrolyte solution or dry — plasma chemical etching. . . ; ..
П р и м ер. На стекл нную подложку методом катодного распылени (Нанос т слой оксида висмута или нитрида алюмини толщиной 0,01-1 мкм, затем вакуумтвЕмическим способом напыл ют керметный слой состава Аи:Wbj керметный состав 40% Аи : 60% WOj : в виде спиртовой суспензии нанос тна вольфрамовую спираль и испар ют. Толщина керметного сло составл ет 0,01-0,5 мкм. Оксид вольфрама затем вытравливают в растворе щелочи КОН, и нанос т катодным распылением верхний слой оксида висмута или нитрида алюмини толщиной 0/01-1 мкм.P r and m er. A cathode sputtering method is applied to the glass substrate (a layer of bismuth oxide or aluminum nitride with a thickness of 0.01–1 µm is applied, then a cermet layer of composition Au: Wbj is deposited by vacuum; a cermet composition 40% Au: 60% WOj: in the form of an alcohol suspension The tungsten coil is thickened and evaporated. The thickness of the cermet layer is 0.01-0.5 µm. The tungsten oxide is then etched out in a KOH alkali solution, and the top layer of bismuth oxide or aluminum nitride with a thickness of 0 / 01-1 µm is applied by cathode spraying.
Таким образом формируетс сетчатый экран с диаметром чеек 0,20 ,8 мкм. Причем расположение чеек, как правило, имеет хаотический характер . Допускаетс частичное перекрывание прозрачных чеек. Предлагаемый способ легко осуществл етс в цилиндрических и сферических колбах.Thus, a mesh screen with a cell diameter of 0.20, 8 µm is formed. Moreover, the location of the cells, as a rule, has a chaotic character. Partial overlapping of transparent cells is allowed. The proposed method is easily carried out in cylindrical and spherical flasks.
Технологи в соответствии с изобретением значительно упрощает метод получени сетчатого экрана, так как исключаетс трудоемка технологи фотолитографии и отжиг полученной структуры. того, данна технологи дает возможность нанесени The technology in accordance with the invention greatly simplifies the method of obtaining a mesh screen, since laborious photolithography technology and annealing of the structure obtained are eliminated. In addition, this technology allows the application of
310421094310421094
сетчатого дкрдна на любую поверхность. водства ламп накгшивани с сетчатым Данное техническое решение способст- экраном дл отражени инфракрасного вует более быстрому освоению проиэ- излучени , .mesh screen on any surface. Tailoring lamps with mesh This technical solution is a way to reflect the infrared screen to a more rapid mastering of the radiation,.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813338388A SU1042109A1 (en) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | Method of manufacturing screens for light sources |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813338388A SU1042109A1 (en) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | Method of manufacturing screens for light sources |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1042109A1 true SU1042109A1 (en) | 1983-09-15 |
Family
ID=20976913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU813338388A SU1042109A1 (en) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | Method of manufacturing screens for light sources |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1042109A1 (en) |
-
1981
- 1981-09-10 SU SU813338388A patent/SU1042109A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4970376A (en) | Glass transparent heater | |
GB2103830A (en) | Optical tantalum pentoxide coatings for high temperature applications | |
CN108807147A (en) | A kind of preparation method of novel multi-layer compound pattern Sapphire Substrate | |
SU1042109A1 (en) | Method of manufacturing screens for light sources | |
CN116960253B (en) | Flip light-emitting diode chip and preparation method thereof | |
US3383244A (en) | Photo-sensitive devices employing photo-conductive coatings | |
US2918595A (en) | Coating composition for electric lamps | |
CN114924342A (en) | Selective infrared radiation stealth material and preparation method thereof | |
US2785327A (en) | Electric discharge lamp with phosphorcoated rhodium reflector | |
US3614825A (en) | Method for fabricating a membrane assembly | |
JP2793267B2 (en) | Manufacturing method of one end sealed incandescent lamp | |
US2256341A (en) | Photoelectric device and method of manufacture | |
CN111243922B (en) | Fluorescent film screen, preparation method thereof and application thereof in microchannel plate image intensifier | |
KR100252774B1 (en) | Fluorescent display tube | |
SU1086990A1 (en) | Semitransparent dhotocathode | |
KR920001841B1 (en) | Annode pattern of fluorescent display tube and the making method of the same | |
US3813293A (en) | Method of applying a satisfactorily adhering,poorly reflecting,conductive layer to an insulating surface and electric discharge tube having a layer applied by said method | |
JP2004505411A (en) | Glass plate with electrodes made of conductive material | |
SU1193843A1 (en) | Method of producing radiation | |
JPS6220215A (en) | Photoelectric surface and its manufacture | |
JPH0258735B2 (en) | ||
CN1202536A (en) | Method for manufacturing ion feedback prevention film of microchannel plate | |
JP2003331795A (en) | Light bulb and its manufacturing method | |
RU2195040C2 (en) | Black matrix manufacturing process | |
EP0464446A2 (en) | Electric lamp having a light reflecting layer |