SU1033482A1 - High-frequency ceramic material for capacitors - Google Patents
High-frequency ceramic material for capacitors Download PDFInfo
- Publication number
- SU1033482A1 SU1033482A1 SU823427073A SU3427073A SU1033482A1 SU 1033482 A1 SU1033482 A1 SU 1033482A1 SU 823427073 A SU823427073 A SU 823427073A SU 3427073 A SU3427073 A SU 3427073A SU 1033482 A1 SU1033482 A1 SU 1033482A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- ceramic material
- capacitors
- tke
- dielectric constant
- frequency ceramic
- Prior art date
Links
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
со with
4;:four;:
0000
to Изобретение относитс к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве высокочастотных керамических конденсаторов термостабильных групп ТКЕ с повышен ной удельной емкостью. Дл изготовлени высокочастотных керамических материалов термостабиль ных групп ТКЕ используют как индивидуальные соединени , так и твердые растворы например MgTiO, ZrTiO, Ca(Sn, Zr, Ti)05, Ca(Ti, lr)0, (CaLa)(T.iAe)03, Ba(Nd, $01)3, и Ba(Nd, 01). Величина диэлектрической проницаемости материалов на основе вышеперечисленных соединений составл ет от 16 до 46-50. Использование материала на основе твердого раствора Ba(Nd, Sin), позвол ет получить величину диэлектрической проницаемости 80-85, а в случае ис пользовани твердого раствора Ba(Nd, Sm)2,T( ДО 85-90 единиц дл термостабильных групп НПО и соответственно группа НПО ТКЕ группа ТКЕ 0 3010 град (). Ю- г-ЧОи ГО; Однако этот материал содержит дефицитные редкоземельные элементы. Наиболее близким к предлагаемому вл етс высокочастотный конденсаторный керамический материал, содержащий следующие компоненты, масД: Титанат бари ( BaTiO) 26,5-29,5 Титанат кальци ( CaTtOj) 67,0-70,0 Метаниобат бари ( ВаНЬд Об) 0,2-0,5 Окись кремни ( SIO ) . 1,0-3,0 Окись магни ( МдО) . 0,3-2,0 Известный материал нар ду со значением 170-190 и низким значением tg(Г (2-5) 10., обеспечивает ТКЕ от +100.-10град- 3. Недостатком известного материала вл етс нестабильность значений тем пературного коэ(})фициента диэлектрической проницаемости и невысокое зна чение удельного объемного сопротивлени при повышенных температурах. Так, при t 100-150 С, его оуне .пре вышает (2-5) 10°0м1см. Целью изобретени вл етс повышение удельного объемного сопротивле ни и стабилизаци температурного 22 коэффициента диэлектрической проницаемости при сохранении вь1соких ее значений , Указанна цель достигаетс тем, что высокочастотный конденсаторный керамический материал, содержащий ВаТЮ, СаТЮз, , МдО, дополнительно содержит при следующем соотношении компонентов, мас..%: ВаТЮз 26,5-30,0 CaTiOs 67,0-70,5 ВаНЬур 0,2-0,5 SiOz0, MgO0,3-1,0 . LaAtO. . 0,S-0,9 В качестве исходных компонентов использовали спеки титаната кальци , широкоиспользуемого в промышленном производстве, и алюмината лантана. синтезированные при 1300-13 0 С и соответственно, а также карбонат бари , оксиды титана, ниоби , магни и кремни . Материал изготавливали по обычной, прин той в керамическом производстве, технологии смешением компонентов, синтезом, промежуточным помолом-смешиванием , оформлением заготовок нужного вида и спеканием их при 13201350°с . Реальность и оптимальность за вл емого соотношени ингредиентов подтверждаетс нижеследующими приведенными примерами по минимальному, максимальному и среднему значени м, мас.: Пример 1. Дл получени 1 кг материала, содержащего: ВаТ Оз26,5 BaNbjLO 0,2 CaTiOg70,5 MgO0,3 SlOi2,0 LaAgOs -0,5 поступают следующим образом. Отвешивают углекислый барий, двуокись титана , п тиокись ниоби , окиси магни и кремни , а также спек титаната кальци из расчета: ВаСО.1225,1 Затем загружают их в вибромельницу при соотношении шаров и материала (б-): и смешивают в течение одногоThe invention relates to electronic equipment and can be used in the manufacture of high-frequency ceramic capacitors of thermally stable TKE groups with an increased specific capacity. For the manufacture of high-frequency ceramic materials of thermostable TKE groups, both individual compounds and solid solutions are used, for example MgTiO, ZrTiO, Ca (Sn, Zr, Ti) 05, Ca (Ti, lr) 0, (CaLa) (T.iAe) 03 , Ba (Nd, $ 01) 3, and Ba (Nd, 01). The dielectric constant of the materials based on the above compounds is from 16 to 46-50. The use of material based on Ba (Nd, Sin) solid solution allows to obtain a dielectric constant of 80-85, and in the case of using Ba (Nd, Sm) 2, T solid solution (up to 85-90 units for thermostable NGOs and respectively, the NPO TKE group, the TKE group 0 3010 degrees (). Yug-CHOi GO; However, this material contains scarce rare-earth elements. The closest to the offer is a high-frequency capacitor ceramic material containing the following components, masD: Barium titanate (BaTiO) 26 , 5-29.5 Calcium Titanate (CaTtOj) 67.0- 70.0 Methaniobate barium (WANdOb) 0.2-0.5 Silica (SIO) .1.0-3.0 Magnesium oxide (MDO) .3-2.0 Known material along with the value of 170- 190 and low tg (G (2-5) 10., provides TKE from + 100.-10 degrees-3. A disadvantage of the known material is the instability of the temperature values of the dielectric constant coefficient (}) and the low value of specific volume resistance at elevated temperatures. So, at t 100-150 С, its size is about (2-5) 10 ° 0m1cm. The aim of the invention is to increase the specific volume resistivity and stabilize the temperature coefficient of the dielectric constant while maintaining its high values. This goal is achieved by the fact that a high-frequency capacitor ceramic material containing BaTu, CaTu3, MaO also contains in the following ratio of components, wt. %: VaTuZ 26.5-30.0 CaTiOs 67.0-70.5 VANUr 0.2-0.5 SiOz0, MgO0.3-1.0. LaAtO. . 0, S-0.9 As the starting components, specimens of calcium titanate, widely used in industrial production, and lanthanum aluminate were used. synthesized at 1300-13 ° С and, respectively, as well as barium carbonate, oxides of titanium, niobium, magnesium and silicon. The material was produced according to the usual technology, adopted in ceramic production, by mixing components, synthesis, intermediate grinding-mixing, the design of blanks of the desired type and sintering them at 13201350 ° C. The reality and optimality of the claimed ratio of ingredients is confirmed by the following examples given by the minimum, maximum and average value, wt .: Example 1. To obtain 1 kg of material containing: TAT O26.5 BaNbjLO 0.2 CaTiOg70.5 MgO0.3 SlOi2 , 0 LaAgOs -0.5 proceed as follows. Barium carbonate, titanium dioxide, niobium pentoxide, magnesium oxide and silicon are weighed, as well as calcium titanate spectra based on: VASO 1225.1 Then they are loaded into a vibrating mill with the ratio of balls and material (b-): and mixed for one
часа, после чего шихту прокаливают при IZOO C с одночасовой выдержкой. Полученный продукт размалывают и смешивают с готовым спеком алюмината лантана в указанном выше соотношении (5 г) в течение того же времени на вибромельнице.hours, after which the mixture is calcined with IZOO C with a one-hour exposure. The resulting product is milled and mixed with the finished spec. Of lanthanum aluminate in the above ratio (5 g) during the same time on a vibrating mill.
Образцы изготавливают согласно. ГОСТу StSS-yS и измер ют их электрические параметры.Samples are made according to. GOST StSS-yS and their electrical parameters are measured.
Данный состав имеет величину диэлектрической проницаемости л }6В170 , tgif (2-3).1СГ4, ТКЕ -(3860 ) М 0 , 9 V 3-10 Ом см.This composition has a dielectric constant value l} 6В170, tgif (2-3) .1СГ4, ТКЕ - (3860) М0, 9 V 3-10 Ohm cm.
Состдв материала:Composition of material:
При м е р 2,Example 2,
30,030.0
BaTiOiiBaTiOii
0,50.5
67,067.0
CaTiO,CaTiO,
: 1,0: 1.0
HgOHgo
0,60.6
Si02.Si02.
LaA&OjLaA & Oj
0,9 . изложенным в прйполучают способом, мере 1. 0.9. set out in the method, measure 1.
Данный состав имеет величину диэлектрической проницаемости 183 19Р, tgrf (|-5)10-, ТКЕ ) , f V / 3-10 Ом-сThis composition has a dielectric constant of 183 19P, tgrf (| -5) 10-, TKE), f V / 3-10 Ohm-s
3. Состав материале: 3. Composition material:
Пример. 28,0 Example. 28.0
0,5 0.5
69,0 69.0
СаТЮэ 0,6 Cet ue 0.6
МдО 1,2 MDO 1.2
SiOa 0.7SiOa 0.7
LaAeOiLaAeOi
получают также вышеуказанным способом . Данный состав имеет величину диэлектрической проницаемости/v 17 Л79, tgJ-., ТКЕ - (0-410)also obtained by the above method. This composition has a dielectric constant value / v 17 L79, tgJ-., TKE - (0-410)
10- град-, fv / 1, Омгсм. Во всех случа х значени тангенса угла диэлектрических потерь при температурах вплоть до не превышала 8-10, а сопротивление изол ции не снижалось ниже 10 .10 degrees, fv / 1, Omgsm. In all cases, the values of the tangent of dielectric loss angle at temperatures up to did not exceed 8–10, and the insulation resistance did not decrease below 10.
Как видно из приведенных данных pv предлагаемого термостабильного ма 0 териала выше, чем у известного материала при сохранении высоких значений диэлектрической проницаемости и низких tg(f.As can be seen from the above data, the pv of the proposed thermostable material 0 is higher than that of the known material while maintaining high values of the dielectric constant and low tan (f.
Более высокое значение v при сохранении высоких значений и больша стабильность значений ТКЕ « +60 гЮ град- позвол ют получить конденсаторы по термостабильным группам ТКЕ класса tile большей удельнрй емкостью.A higher value of v, while maintaining high values and a greater stability of TKE values of +60 gU deg, allows capacitors to be obtained with thermostable TKE groups of a tile class with a larger specific capacity.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823427073A SU1033482A1 (en) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | High-frequency ceramic material for capacitors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823427073A SU1033482A1 (en) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | High-frequency ceramic material for capacitors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1033482A1 true SU1033482A1 (en) | 1983-08-07 |
Family
ID=21007969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823427073A SU1033482A1 (en) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | High-frequency ceramic material for capacitors |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1033482A1 (en) |
-
1982
- 1982-04-23 SU SU823427073A patent/SU1033482A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB2383035A (en) | Dielectric ceramic composition and capacitor using the same | |
JPH02279555A (en) | Ceramic material of high permittivity | |
EP0759626A1 (en) | Low fire ceramic dielectric compositions and capacitors made therefrom | |
US4058404A (en) | Sintered ceramic dielectric body | |
JPH0332164B2 (en) | ||
CN104003716A (en) | Anti-reduction low temperature-sintered high-frequency thermal stability dielectric ceramic and preparation method thereof | |
US4226735A (en) | Dielectric ceramic composition and process for its production containing MgTiO3 and Pb3 O4 having a quantitative relationship | |
CN101333105B (en) | X7RMLCC medium porcelain of thin medium | |
US4721692A (en) | Dielectric ceramic composition | |
SU1033482A1 (en) | High-frequency ceramic material for capacitors | |
US4746639A (en) | Dielectric ceramic composition | |
CN102060524A (en) | High dielectric constant ceramic powder, ceramic capacitor and manufacture method thereof | |
JPH0414442B2 (en) | ||
JPS6128619B2 (en) | ||
JPS6256361A (en) | Dielectric ceramic composition | |
JPH0571538B2 (en) | ||
JPS5815078A (en) | High dielectric constant ceramic dielectric composition | |
JPS6348826B2 (en) | ||
KR100434004B1 (en) | High Frequency Dielectric Composition | |
JPS6049151B2 (en) | Method for manufacturing dielectric magnetic composition | |
JPH09227229A (en) | Dielectric composition for high-frequency | |
KR100474249B1 (en) | Dielectric ceramic composition and manufacture method | |
KR0157305B1 (en) | Electrolyte component meterial | |
JPH02123612A (en) | Porcelain dielectric composition | |
JPS62187162A (en) | Dielectric ceramic composition |