Изобретение относитс к электрическим вычислительным устройствам и может быть использовано в аналоговых вы числительных машинах. Известно устройство, предназначенно дл перемножени напр жений, содержащее управл емый полевой транзистор, масштабные резисторы l . Указанное устройство обладает низкой точностью. Наиболее близким к предлагаемому вл етс устройство дл перемножени напр жений, содержащее тркозадаюший транзистор и управл емый полевой транзистор , затвор которого вл етс входом сигнала-сомножител 2J , Недостатком известного устройства вл етс сложнссть функциональной схемы. Цель изобретени - упрощение устрой ства при сохранении точности работы. Поставленна цель достигаетс тем, что в устройство дл перемножени напр х ений , содержащее токозадающий TpiaH3HCTOp р- п-р типа, управл емый полевйй транзистор, затвор которого вл етс входом первого сигнала-сомнож тел , введены .дополнительный токозадак щий транзистор П-р-П типа, первый, второй и третий токоограничительные резисторы, причем первые выводы первого и второго токоограничительных резисторов и эмиттер токозадающего тран зистора соединены и вл ютс входом второго сигнала-сомножител , вторые вьшоды первого и второго токоограничительных резисторов соединены соответственно с базой и коллектором дополн тельного токозадающего транзистора, эмиттер которого соединен с шиной нулевого , потенциала и истоком управл емого полевого транзистора, сток которого вл етс выходом устройства и подключен к коллектору токозадающего транзистора, база которого через третий токоограничигельный резистор соединена с вторым вьшодом «foporo токоогранич тельного резистора. На чертеже изображена функциональна схема предлагае1 4Ого устройства дл перемножени напр жений На схеме обозначены токозадающий транзистор р-п-р типа 1, управл емый полевой транзистор 2, дополнительный токозадающий транзистор 3 типа h-p-n ишна 4 нулевого потенциала, первый, второй и третий тохюограничительные резисторы 5 - -7, вход 8 первого сиг нала-сомножител , вход 9 второго сиг нала-сомножител , выход 10 устройст Устройство дл перемножени напр жений работает следующим образом. Положительное напр жение подаетс на вход второго сигнала-сомножител 9, при этом в цепи базы дополнительного токозадающего транзистора 3 течет ток вхл - нап) жение второго сигнала-сомножител ; сопротивление первого токоограничительного резистора 5. Ток в коллекторной цепи дополнительного токозадающего транзистора 3 равен I Кз- R5 где Rg - коэффициент усилени по току. В цепи базы токозадающего транзистора 1 течет ток 1б. 1«, гдеХ,,. сопротивлени соответственно второго и третьего токоограничитель ных резисторов 6 и 7, Управл емый полевой транзистор 2 используетс в качестве сопротивлени , управл емого напр жением; падение напр жени на нем равно U : Iv; R2, где 1ц - ток в коллекторной цепи токозадающего транзистора 1; К 2. - сопротивление канала управл &мого полевого транзистора 2. Падение напр жени на управл емом полевом транзисторе представл ет собой выходное напр жение устройства, которое равно ,, (5) RsUfe+Rr) деЦду - напр жение первого сигналасомножител ; Р - коэффициент усилен1м по току токозадающего транзистора 1. з выражени (5)-следует, что напр жение а выходе 10 пропорционально произведе310221794The invention relates to electrical computing devices and can be used in analog computers. A device for voltage multiplication is known, comprising a controlled field effect transistor, scale resistors l. The specified device has low accuracy. Closest to the present invention is a device for multiplying voltages, which contains a trickle transistor and a controlled field-effect transistor, the gate of which is the input of the signal factor 2J. A disadvantage of the known device is the complexity of the functional diagram. The purpose of the invention is to simplify the device while maintaining accuracy. This goal is achieved by the fact that the device for multiplying the voltage, containing a current-supplying TpiaH3HCTOp ppp-p type, controlled by a field-effect transistor, the gate of which is the input of the first signal-multiply body, has an additional current-setting transistor P-p- P type, first, second and third current-limiting resistors, the first terminals of the first and second current-limiting resistors and the emitter of the current-setting transistor are connected and are the input of the second signal-multiplier, the second terminals of the first and second current terminals These resistors are connected respectively to the base and collector of the additional current-setting transistor, the emitter of which is connected to the zero, potential bus and the source of the controlled field-effect transistor, whose drain is the output of the device and connected to the collector of the current-setting transistor, the base of which is connected to the second through the current limiting resistor. “Foporo current limiting resistor. The drawing shows a functional diagram of the proposed 1 4O device for voltage multiplication. The diagram shows a current-generating transistor ppr type 1, controlled field-effect transistor 2, additional current-setting transistor 3 of hpn type 4, zero potential, first, second and third limiting resistors 5 - -7, input 8 of the first signal of the multiplier, input 9 of the second signal of the multiplier, output 10 device The device for voltage multiplication works as follows. A positive voltage is applied to the input of the second signal-multiplier 9, while the inrush current of the second signal-multiplier flows in the base circuit of the additional current-setting transistor 3; the resistance of the first current-limiting resistor 5. The current in the collector circuit of the additional current-setting transistor 3 is equal to I Кз- R5 where Rg is the current gain factor. A current 1b flows in the base circuit of the current-setting transistor 1. 1 ", where X ,,. the resistances of the second and third current limiting resistors 6 and 7, respectively; the Controlled Field Effect Transistor 2 is used as a voltage-controlled resistance; the voltage drop across it is U: Iv; R2, where 1c is the current in the collector circuit of the current-setting transistor 1; K2. - The resistance of the channel of the controlled field-effect transistor 2. The voltage drop across the controlled field-effect transistor is the output voltage of the device, which is, (5) RsUfe + Rr) DCA - the voltage of the first signal of the multiplier; P is the gain factor of the current-setting transistor 1m. From expression (5), it follows that the voltage on output 10 is proportional to the product 310221794
нию напр жений первого и второго сигна-перемножени напр жениА облаааетthe voltage of the first and second signal multiplication of voltage A has
лов-сомножителей. ,более просгой функииональной ске-fishing factors. more progeny skein
По сравнению с устройсгвом-про-мой при сохренин точности работоткпом преопагаемое устройство дл ты.Compared with the device-pro-my with the same accuracy of a pre-operated device for you.