Изобретение относитс к электроф зическим и электрохимическим метода обработки, в частности к способу алмазно-электрохимического шлифовани . Известен способ шлифовани токопровод щих материалов кругами на ме таллической свкзке, при котором в качестве источника питани исполь зуют генераторы унипол рнызс импульIcoB , например ШГИ-40-440, ГИ1-3, |и другие, примен емые в эрозионных станках. В качестве рабочей )шдкости используют растворы с низкой электропроводностью, например, раствор Na,j C05Cl3. Недостатками этого способа вл ю с высокий износ кругов и низка производительность обработки. Наличие скважности импульсов не обёспечийает равномерности анодного раств рени металла. Уменьшение скважносг ти приводит к росту удельного изно са кругов. ; Наиболее близким к предлагаемо вл етс способ обработки токоцрово Ь щим абраэивным инструментом, при (котором в 1ежэлектродн{ « промежутке .формируют импульсы разр дного Тока, накладываемые на посто нное напр жение. Использование пульсирующего напр жени повышает интенсивность электрохимического растворени поверхности, снижение сил рёза .ни , повышает производительность об работки и стойкость Ълмазйых кругл гов 2 . Недостатками этого способа вл ютс низкое качество обработанной «поверхности и высока энергоелтоь ь процесса обработки, что объ сн ет ,с развитием контактно-дуг Льос p$i3р дов между стружкой и поверхностью Kpyi;a. Цель изобретени повышение ка 1ества обрабатываемой поверхности и снижение энepгqe 4Ko iти щ оцесса за счет исключени замыкани круга с деталью через образующиес продук ты обработки. Поставленна цель достигаетс тем , что при алмазно-электрохимическом 1ифовании, при котором в межэлектродном промежу ке формируют имйульсы азр дного тока, накладваваемае на юсто нное технологическое напр жение , процесс ведут при шунтировании мёжэлвктродного промежутка коИденЬатором , емкость которого определ ет ;исход из условий Обработки,по форму лв. ica%Uo- i О) . Р С - коэффициент, учитывающий профиль поперечного среза стру скй/ d - толщина среза) BO - средний размер зерна; t - фактическа глубина резани зерном/ К - коэффициент,.учитывающий отнс пение линейных размеров стружки и завис щий от материала издели / К. - коэффициент щ)Опорционапьности , завис щий от материала и введенный при расчете величины шероховатости; у - плотность материала; Е технологическое напр жение, напр жение пассивации, VI - количество единовременных разр дов. На.чертеже приведена электрическа принципиальна схема, по сн юща способ, где R з-д - сопротивление межэлектродного промежутка при протекании только электрохимического растворени -, ВК - ключ, моделирующий замыкание через стружку; К(чт -.сопротивление , возникающее при образовании стружки; и - ток электрохимической обработки , J,- ток разр да через стружку, ИП - источник пиагани ; С - рабочий конденсатор технологический ток источника. Процесс, обработки осуществл етс следующим образом, В начальный момент образовани стружки технологический ток расходуетс на электрохимическое растворение металла и накопление энергии в коиденсаторе С. По мере увеличени сгтружки в результате образовани газопарового сло из водорода, выдел ющегос при электролизе.пара, образующегос за счет вьщелени тепла.при,деформации кюталла и прохождени тока по электрО|Литным МОСТИКШ4 между пу ь ьками газа, растет сопротивление между электродами, В межэлектррдном проме жутке создаютс услови дл возникновени пробо , например, за счет высокой напр женности пол , В момент пробо запасенна энерги конденс атора вьщел етс в межэлектродаюм промежутке и разрушает стружку. Шунтирование межэлектродного промежутка емкостью приводит к сокращению времени ввода в него энергии разр да, так как в этом случае последнее определ етс временем разр да конденсатора и зависит от величины его емкости,..ограничиваемой с одной стсфоны энергией разр да, необходимой дл эрозионного удалени стружки, а с другой стороны минимальной величиной зоны и глуби«А структурных изменений. Сокрав ние длительности разр да способствует уменьшению его распространени по поверхности заготовки :ir Интенсификащ1и электрохимической сос тавл ш|ей щ оцесса обработки. Величина конденсатора определ ет с из сэтеду101фх соображений. В мёжэлектродный промежуток ввод т энергию, достаточную дл разру шени стружки. Согласно 3} энерги импульсаг необходима дл расплава металла объемом равна где V(jjp - объём снимаемой стружки Vi4 - эне)рги ш пульса. Принима во внимание данные, .приведённые в / стружки, образовс1В1{1ёйс11 в результате единичного реза алмазным зерном, до момен та ее контакта с поверхностью круга стрвдел Тс из выражени ( с : чОл обеспечени высокой зффектив чости электрохимической составл Г вдёй процесса, особеннопри обработ КЗ в пассивнрУюийх электролитах. необходимо, чтобы при электрическом разр де напр жение на рабочем конденсаторе было не меньше Нсшр жени пассивации об эабатываемой поверхности . . Таким образом, энерги , которую рабочий конденсатор отдает щ)и электрических разр51дах в межэлектродном промежутке должна бытьравна l c-X- -tt -Uj), где Ср - емкость рабочего конденсатора . Из-за наличи :индуктивности технологической цепи (нсточника питани и подвод щих шин) нарастание тока за врем разр да незиачителБно и им можно пренё.бречь. Это позвол ет считать , что на удаление стружки расходует с: только энерги , запасенна конденсатс| ом. Из уравнени Ci) с учетом значений , по учаем1Л{ из вЕфалсений (2) и (3) следует значение дл емкости конденсатора, приведённое в формуле (О. Предлги аег« й способ а мазно-электрохимическо цлй.ф6ваци позвол ет повысить чистоту Обрабатываемой о ,верхности, исллючить наличие дефект1ного сло , снизить энергоемкость про цесса и уменьшить износ алмазных ,.The invention relates to an electrophysical and electrochemical processing method, in particular to a method of diamond electrochemical grinding. There is a known method of grinding conductive materials in circles on a metal sintering, in which uni-pulse impulse co-generators are used as a power source, for example, ShGI-40-440, GI1-3, | and others used in erosion machines. As a working grade, solutions with low electrical conductivity are used, for example, a solution of Na, j C05Cl3. The disadvantages of this method are high wear circles and low processing performance. The presence of the duty cycle of the pulses does not ensure the uniformity of the anode solution of the metal. A decrease in wellbore leads to an increase in the specific wear of the circles. ; Closest to the proposed method is a current-treating abrasive tool, with (which in a electrode gap the discharge current pulses are applied to a constant voltage. The use of a pulsating voltage increases the intensity of the electrochemical dissolution of the surface, reducing the force of the tear. It also increases the productivity of processing and durability of Lubricant rounds 2. The disadvantages of this method are the low quality of the treated surface and the high energy efficiency of the process. The work, which explains the development of Llos p $ i3rc contact arcs between the chips and the surface Kpyi; a. The purpose of the invention is to increase the surface of the treated surface and reduce the energy of 4Ko during the process by eliminating the closure of the circle with the part through the formed products The aim is achieved by the fact that during the diamond-electrochemical process, in which the spikes of the amperage are applied in the interelectrode gap, superimposed on a valid process voltage, the process is carried out during the shunting of the interval by a co-identifier whose capacity determines, based on the processing conditions, according to the form lv. ica% Uo- i O). Р С - coefficient taking into account the cross-section profile of the jet ski / d - slice thickness) BO - average grain size; t is the actual depth of cut grain / K is a coefficient that takes into account the relation of the linear dimensions of the chip and is dependent on the material of the product / K. is the coefficient y) Supporting factor depending on the material and entered in the calculation of the roughness value; y is the density of the material; E technological voltage, passivation voltage, VI - the number of one-time bits. The drawing shows an electrical schematic diagram, an explanation of the method, where R sf is the resistance of the interelectrode gap when only electrochemical dissolution proceeds, VC is the key that simulates a short circuit through a chip; K (ch.-resistance resulting in the formation of chips; and is the current of electrochemical processing, J, is the discharge current through the chips, PI is the source of pyagania; C is the working capacitor of the technological current of the source. The process is carried out as follows the moment of chip formation, the technological current is spent on the electrochemical dissolution of the metal and the accumulation of energy in co-condenser C. As the accumulation increases as a result of the formation of a gas-vapor layer of hydrogen released during electrolysis, the vapor forms It is due to the high heat distribution during the deformation of the cobalt and the passage of current through the electrically | Litny MOSTYKSH4 between gas springs, the resistance between the electrodes increases, conditions are created for the occurrence of a breakdown, for example, due to high field strength, The breakdown of the stored energy of the condensate atom is located in the interelectrode gap and destroys the chips. Shunting of the interelectrode gap with capacity leads to a reduction in the time for the introduction of discharge energy into it, since in this case the last L is the discharge time of the capacitor and its value depends on the capacitance .. Limited one stsfony discharge energy required for erosive removal of chips, on the other hand the minimum value of area and depths "A structural changes. Reducing the duration of the discharge helps to reduce its spread over the surface of the workpiece: ir Intensification of the electrochemical composition of the treatment process. The magnitude of the capacitor determines from considerations. Energy sufficient to destroy the chips is introduced into the electrode gap. According to 3}, the pulse energy required for a metal melt with a volume equal to where V (jjp is the volume of the discharged chips Vi4 - Ene) of the pulse pulse. Taking into account the data given in the / chips, formed 1B1 {1yus11 as a result of a single cut with diamond grains, until its contact with the surface of the circle, build Tc from the expression (c: the degree of electrochemical composition of the process, especially if it is short-circuited) in passive electrolytes, it is necessary that during electrical discharge the voltage on the working capacitor should not be less than the limit of passivation on the working surface. Thus, the energy that the working capacitor gives u) electrical razr51dah in the interelectrode gap should bytravna l c-X- -tt -Uj), wherein Cp - the working capacity of the capacitor. Due to the presence of: inductance of the technological circuit (power supply source and supply busbars) current increase during the discharge time is inaccurate and it is possible for them to save. This makes it possible to assume that it consumes to remove chips from: only energy, stored condensate | ohm From equation Ci), taking into account the values, we take into account {from Ephalsenia (2) and (3) the value for the capacitor capacitance given in the formula follows (O. Proposals This method and electro-chemical chemistry allows to increase the purity of the processed , surfaces, should the presence of a defect layer, reduce the energy intensity of the process and reduce diamond wear,.