SU1004755A1 - Оптический способ измерени высоты шероховатости поверхности объекта - Google Patents

Оптический способ измерени высоты шероховатости поверхности объекта Download PDF

Info

Publication number
SU1004755A1
SU1004755A1 SU802982539A SU2982539A SU1004755A1 SU 1004755 A1 SU1004755 A1 SU 1004755A1 SU 802982539 A SU802982539 A SU 802982539A SU 2982539 A SU2982539 A SU 2982539A SU 1004755 A1 SU1004755 A1 SU 1004755A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
height
roughness
radiation
interference pattern
scattering
Prior art date
Application number
SU802982539A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Евгеньевич Медведев
Анатолий Афанасьевич Поплавский
Олег Константинович Таганов
Вера Андреевна Таганова
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6681
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6681 filed Critical Предприятие П/Я Р-6681
Priority to SU802982539A priority Critical patent/SU1004755A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1004755A1 publication Critical patent/SU1004755A1/ru

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

Изобретение относитс  к измерительной технике, а точнее.к косвенным бесконтактным оптическим методам измерени  высоты шероховатости поверхности , обладающим интерференционной чувствительностью, и может быть использовано во всех отрасл х народного хоз йства.
Известен оптический способ измерени  высоты шероховатости поверхности , основанный на св зи -распределени  интенсивности в п тнистой интерференционной картине, образующейс  при рассе нии когерентного света, с распределением высоты неровностей на рассеивакицей поверх- .
ностй
однако применение известного способа определени  высоты шероховатости по контрасту интерференционной картины к сверхгладким поверхност м ограничено снижением контраста с уменьшением высоты неровностей.
Наиболее близким к изобретению  вл етс  оптический способ измерени  высоты шероховатости пове рхности объекта, заключающийс  в том, что фокусируют когерентное излучение на исследуемую поверхность, получают дифракционную фигуру рассе ни  и
интерференционную картину, перемещают объект в поперечном отнооительно излучени  направлении, регистрируют изменение интенсивности интерг ференционной картины в области дифракционной фигуры рассе ни , по которому наход т контраст интерференционной картины, св занный коррел ционной зависимостью, с высотой
10 шероховатости поверхности объекта. Оптическа  ось светового пучка  вл етс  нормалью к исследуемой, поверхности , изменение интенсивности в интерференционной картине регист15 рируют в проход щем свете, в области плоского волнового фронта, в центре дифракционной фигуры рассе ни  С23Однако в известном способе за счет регистрации изменени  интен20 сивности- интерференционной .картины в проход щем свете исключена возможность исследовани  непрозрачных объектов.
Кроме того, способ дает возмож25 ность измерени  минимального значени  среднекватоэатичного отклонени  высоты шероховатости от средней линии профил  dp 0,032 мкм при длине волны когерентного света 0,63 мкм.
30 Минимальна  измер ема  высота шероховатости ограничена малой величиной контраста интерференционной картины Таким образом, известный способ имее низкую чувствительность к высоте шероховатости, меньшей 0,1 длины волны когерентного излучени . Цель изобретени  - повышение чув ствительности к высоте шероховатости , меньшей 0,1 длины волны когерент ного излучени . Поставленна  цеЛь достигаетс  те что согласно способу измерени  высоты шероховатости поверхности объекта, заключающемус  в том, что фокусируют когерентное излучение на исследуемую поверхность, получают дифрак ционную фигуру рассе ни  и интерференционную картину, перемещают объект в поперечном относительно из лучени  направлении, регистрируют изменение интенсивности интерференционной картины в области дифракцио ной фигуры рассе ни , по которому наход т .контраст интерференционной картины, св занный коррел ционной з висимостьою с высотой шероховатости поверхности объекта, фокусируют когерентное излучение под углом i 20 к исследуемой поверхности, а изменение интерференционной картины регистрируют в отраженном от исследуе мой поверхности излучени  в области сферического фронта волны на краю дифракционной фигуры рассе ни . На чертеже представлена принципи сшьна  схема устройства дл  реализа ции предлагаемого способа Устройство содержит последовательно расположенные гелий-неоновый лазер 1, сменные калиброванные светофи91ьтры 2, объектив 3, а также непрозрачный экран 4 и приемную сие тему, включакицую последовательно расположенные объектив 5, диафрагил 6 и 7, отрицательную линзу 8, ма товое стекло 9 и фотоэлектронный умножитель 10. Способ осуществл етс  следующим образом. Излучение гелий-неонового лазера 1, работающего в одномодовом режиме с длиной волны 0,63 мкм, пол ризованное в плоскости падени , объективом 3 фокусируют на поверхность исследуемого объекта 11 в п тно диа метром 100 мкм. Угол i/g падени  излучени  на объект 11 срставл ет 14° Отраженный от объекта 11 световой поток регистрируют приемной системо в области сферического фронта волны Измерение интенсивности производ т на краю дифракционной фигуры рассе ни , дл  чего получают индика рису отражени  путем вращени  прием ной системы вокруг исследуемого объ та 11. Регистрацию .изменени  интенсивности отраженного потока осуществл ют при фиксированном положеНИИ приемной системы при линейном перемещении исследуемого объекта 11 с сохранением положени  нормали в плоскости падени . Статистическую обработку сигнала с фотоэлектронного умножител  10, пропорциональгг: ного изменению интенсивности в ийтерференционной картине при сканировании объекта 11 лучом лазера 1, производ т с помощью ЭВМ. , I Измерени  51ровод т в отраженном свете. Св зь между среднеквадратическим отклонением высоты шероховатости от средней линии профил  поверхности о. и дисперсией фазы световой волны (Эф, при взаимодействии ее с поверхностью можно описать выраже ни ми Г2К эсо5 о при отражении - (1) () при пропускании - (2) где /Q - угол падени  излучени  на объект; - волновое число; п ,п л - показатели преломлени  материала объекта и окружающей среды соответственно . Отсюда следует, что стекл нна  пластина в воздухе при малом угле падени  излучени  вызывает изменение фазы световой волны Ц примерно в .4 раза большее при отражении по сравнению с пропусканием. Измерени  провод т при угле падени  fg излучени  на объект . 20Р. На основании выражени  (1) увеличение угла 0 падени  света приводи к уменьшению фазового отклика на шероховатость поверхности, пропорциональному , cos 20° 0,94. Дальнейшее увеличение угла % приводит к снижению чувствительности способа, в св зи с чем- введено ограничение по углу 1$ 20 Кроме того, увеличение угла падени  вызывает, увеличение размера светового п тна на поверхности образца , пропорциональное l/cosfo- Увеличение светового п тна приводит к возрастанию числа рассеивающих центров, .участвующих в образовании п тнистой структуры, что влечет за собой снижение контраста, т.е. также уменьшает чувствительность способа. Условие повышени  чувствительности за счет измерени  на краю центрального кружка дифракционной фигуры рассе ни  найдено экспериментальным путем. Переход к сферическому волновому фронту позвол ет увеличить чувствительность способа. Таким образом, предложенный способ обладает чувствительностью к высоте шероховатости сверхгладких поверхностей . При этом его реализаци 

Claims (2)

  1. Формула изобретения
    Оптический способ измерения высоты шероховатости поверхности объекта, заключающийся в том, что фокусируют когерентное излучение на исследуемую поверхность, получают дифракционную фигуру рассеяния и интерференционную картину, перемещают объект в поперечном относительно излучения направлении, регистри—·1 руЬт изменение интенсивности интер ференционной картины в области дифракционной фигуры рассеяния, по которому находят контраст интерференционной картины, связанный корреляционной зависимостью с высотой шероховатости поверхности объекта, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности к высоте шероховатости, меньшей 0,1 длины волны когерентного излучения, фокусируют когерентное излучение под углом 4 20° к исследуемой поверхности, а изменение интенсивности интерференционной картины регистрируют в отраженном от исследуемой поверхности излучении в области сферического фронта волны на краю дифракционной фигуры рассея ния.
    Источиики информации, принятые во внимание при экспертизе
    1. Франсом М. Оптика спеклов. Перевод под ред. проф. Ю.И.Островскбго. М. , Мир, 1980, с. 129-137.
  2. 2. FujuH., Asakura Т., Shlndo I. Measurements of surface ronghness properties by means of laser speckle technlgues. Opties communications, 1976, Rol 16, * 1, pp. 68-73 (проготип)»
SU802982539A 1980-09-15 1980-09-15 Оптический способ измерени высоты шероховатости поверхности объекта SU1004755A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802982539A SU1004755A1 (ru) 1980-09-15 1980-09-15 Оптический способ измерени высоты шероховатости поверхности объекта

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802982539A SU1004755A1 (ru) 1980-09-15 1980-09-15 Оптический способ измерени высоты шероховатости поверхности объекта

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1004755A1 true SU1004755A1 (ru) 1983-03-15

Family

ID=20917906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802982539A SU1004755A1 (ru) 1980-09-15 1980-09-15 Оптический способ измерени высоты шероховатости поверхности объекта

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1004755A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5352038A (en) * 1991-05-06 1994-10-04 Hoechst Aktiengesellschaft Method of and measuring arrangement for contactless on-line measurement
US5474381A (en) * 1993-11-30 1995-12-12 Texas Instruments Incorporated Method for real-time semiconductor wafer temperature measurement based on a surface roughness characteristic of the wafer
US5564830A (en) * 1993-06-03 1996-10-15 Fraunhofer Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Method and arrangement for determining the layer-thickness and the substrate temperature during coating

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5352038A (en) * 1991-05-06 1994-10-04 Hoechst Aktiengesellschaft Method of and measuring arrangement for contactless on-line measurement
US5564830A (en) * 1993-06-03 1996-10-15 Fraunhofer Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Method and arrangement for determining the layer-thickness and the substrate temperature during coating
US5474381A (en) * 1993-11-30 1995-12-12 Texas Instruments Incorporated Method for real-time semiconductor wafer temperature measurement based on a surface roughness characteristic of the wafer
US5741070A (en) * 1993-11-30 1998-04-21 Texas Instruments Incorporated Apparatus for real-time semiconductor wafer temperature measurement based on a surface roughness characteristic of the wafer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1052885A (en) Process and apparatus for detecting occlusions
US4355904A (en) Optical inspection device for measuring depthwise variations from a focal plane
Sherrington et al. Modern measurement techniques in surface metrology: part II; optical instruments
US4387994A (en) Optical system for surface topography measurement
US20130010286A1 (en) Method and device of differential confocal and interference measurement for multiple parameters of an element
KR20020011377A (ko) 미세 구조 표면에서의 각도 의존적 회절 효과를 빠르게측정하기 위한 장치
CN110736721B (zh) 基于衍射光栅的玻璃平板折射率均匀性检测装置及检测方法
Ohyama et al. Optical interferometry for measuring instantaneous thickness of transparent solid and liquid films
US5155372A (en) Optical inspection system utilizing wedge shaped spatial filter
JPS6347606A (ja) 非球面形状測定装置
SU1004755A1 (ru) Оптический способ измерени высоты шероховатости поверхности объекта
CN109945804B (zh) 横向相减差动共焦超大曲率半径测量方法
JPH0256604B2 (ru)
US4954722A (en) Scanning scattering microscope with hemispherical mirror and microfocused beam
CN109990984B (zh) 横向相减差动共焦超长焦距测量方法
JPH04310836A (ja) 屈折率分布測定方法
CN110261066A (zh) 基于剪切干涉的近场显微探测光束定心方法
JP3276577B2 (ja) 光学式表面粗さ計測装置
JPS5950309A (ja) 表面のあらさを決定するための方法と装置
SU1044969A1 (ru) Способ измерени профил оптических поверхностей
SU1770738A1 (en) Device for measuring surfaces
JP2890639B2 (ja) 真球度の絶対測定方法及び装置
SU1332204A1 (ru) Способ измерени высоты шероховатости
JP3365881B2 (ja) レンズの屈折率検査装置
SU664496A1 (ru) Интерференционный способ измерени клиновидности прозрачных пластин