SU100124A1

SU100124A1 - Crystal growing method and crystallizer for this method

Info

Publication number: SU100124A1
Application number: SU449418A
Authority: SU
Inventors: П.Г. Поздняков; ков П.Г. Поздн
Original assignee: П.Г. Поздняков; ков П.Г. Поздн
Priority date: 1952-03-15
Filing date: 1952-03-15
Publication date: 1954-11-30

Description

Известны способы выращивани кристаллов из растворов в услови х пополнени истощаемого в процессе кристаллизации раствора кp f:тaлл; ческим BeuiecTBOM. При этом дл выращивани кристаллов используетс двухкамерный кристаллизатор, в одной камере которого происходит рост кристаллов, а в другой растворение кристаллизуемого вещества.Methods are known for growing crystals from solutions under the conditions for the replenishment of the cr f: tall solution being depleted during the crystallization process; chesky BeuiecTBOM. At the same time, a two-chamber crystallizer is used for growing crystals, in one chamber of which crystal growth takes place, and in another the crystallization of the substance to be crystallized.

Предлагаемый способ выращивани кристаллов и кристаллизатор дл его выполнени позвол ют повысить нроизводительность и увеличить размеры выратциваемых кристаллов .The proposed method of growing crystals and the crystallizer for its implementation allow increasing the productivity and increasing the size of the grown crystals.

Способ состоит в том, что твердое кристаллическое вещество непрерыкио или периодически ввод т пепосредственно в кристаллизатор, поддержива неизменным услови ми роста кристаллов - температуру, объем, соста з, койце-нтрацию и пересыщение раствора.The method consists in that the solid crystalline substance is continuously or periodically introduced directly into the crystallizer, maintaining the crystal growth conditions unchanged — temperature, volume, composition, rate and supersaturation of the solution.

В крнста.ллпзаторе, вынолпенном в виде сосуда с нагревателем, установленным на наружной нижней масти днища, дл введени в раствор твердого кристаллического вепхества пре-. дусмотрена трубка, пропуще на через крышку кристаллизатора.In the krnst.Allpatcher, molded as a vessel with a heater installed on the outer bottom suit of the bottom, for introducing into the solution of the solid crystalline crystalline material, pre-. A tube is passed through the crystallizer cap.

На чертеже представлен схематическ Й разрез криста;1лизатора, нредставл ющего собой резервуар /, закрытый крынжой. Ко1 усное днище крнсталлизатора заканчиваетс отростком 2, снаруж которого расположен электрическ Й агреватель ), нагревающий раствор в отростке до температурь, нревьп 1а 0 1 ;ей температуру раствора в криста.1 лизаторе. С 1омощью электронагревател 4 и терморегулиру О него устройства (ia чертеже не показан) достп1 оетс н поддержнваетс температура раствора кристалл 1заторе. Через крыщку криста.:.: изатора проходит ось 5 риста:.: оносиа, котора имеет носто нное n.ui реверснн ое вра цение. Кр сталлпзуемое ве.еетво вводитс в крнсталлизатор черезThe drawing shows a schematic section of the crista; the elevator, which is a reservoir /, closed by a rat. The coaxial base of the installer ends with a sprout 2, which has an electric heater located on it), which heats the solution in the process to a temperature of 1 ° 0 and the temperature of the solution in the crista.1. With the help of the electric heater 4 and the thermostatic device about it (ia drawing not shown), the temperature of the crystal solution is maintained. Through the lid of the crista.:.: Of the isator passes the axis of the 5th rista:.: Onosia, which has a standing n.ui reverse direction. The steel strut is inserted into the machine through

трубку 6, ПрОХОДЯ 1у О СКВОЗ, Кр)ППку .Handset 6, PASSING 1 ABOUT TRAVEL, Kr) PPKu.

Вводимые в .;.()р кристаллизуемого вещества, пада на , скатываютс io К01 ической товерх юсти вниз и опадаЮТ в отросток, Де ПрОИСХОД -1Т Introduced in the.;. () P of the substance being crystallized, falling on it, rolling io K01 trichesially above the ground and falling down into the appendix, DeGeneral -1T

растворен 1е.dissolved 1e.

Оп - санпь Й способ ыра 11 ванп кристаллов криста; ; затор дл его выпол гени устран ют аразит ческих фисталлов и обес 1ечпва от возмож1 ость роста кристаллов за счет уве.п1че 1 нересь П ;еп раствора, темOp - Sanpy way of the 11th van of crystals of a crista; ; the congestion for its fulfillment eliminates the arctic fistals and the reduction of the crystal growth rate due to an increase in.

доведени ее. до критической, определ емой метастабильной граиицей, выше которой настуиает самопроизвольна кристаллизаци .bring her. to a critical, definable, metastable graiite, above which spontaneous crystallization occurs.

Предмет изобретени Subject invention

Claims

1. A method of growing crystals from solutions under the conditions of a poulaine solution that is depleted during the crystallization process of a crystalline substance, characterized in that, in order to increase the productivity of increasing the size of grown crystals, solid crystalline venture is continuously or periodically introduced into the crystallizer, maintaining constant conditions crystal growth - temperature, volume, composition, concentration and supersaturation of the solution.

2. A mold for carrying out the method of claim 1, made in the form of a vessel with a heater installed in the outer lower part of the bottom, characterized in that a tube is passed through the crystallizer lid to introduce a solid crystalline substance into the solution.