SE531749C2 - Metod att utfälla slitstarka skikt på hårdmetall med bågförångning och katod med Ti3SiC2 som huvudbeståndsdel - Google Patents

Metod att utfälla slitstarka skikt på hårdmetall med bågförångning och katod med Ti3SiC2 som huvudbeståndsdel

Info

Publication number
SE531749C2
SE531749C2 SE0702054A SE0702054A SE531749C2 SE 531749 C2 SE531749 C2 SE 531749C2 SE 0702054 A SE0702054 A SE 0702054A SE 0702054 A SE0702054 A SE 0702054A SE 531749 C2 SE531749 C2 SE 531749C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
cathode
layers
layer
arc evaporation
main component
Prior art date
Application number
SE0702054A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0702054L (sv
Inventor
Jens-Petter Palmqvist
Jacob Sjoelen
Lennart Karlsson
Original Assignee
Seco Tools Ab
Sandvik Intellectual Property
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seco Tools Ab, Sandvik Intellectual Property filed Critical Seco Tools Ab
Priority to SE0702054A priority Critical patent/SE531749C2/sv
Priority to US12/678,513 priority patent/US8440327B2/en
Priority to EP08832750.7A priority patent/EP2201154B1/en
Priority to PCT/SE2008/051039 priority patent/WO2009038532A1/en
Publication of SE0702054L publication Critical patent/SE0702054L/sv
Publication of SE531749C2 publication Critical patent/SE531749C2/sv

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325Electric arc evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0635Carbides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641Nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0664Carbonitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C30/00Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
    • C23C30/005Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process on hard metal substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)

Description

25 30 5331 *EMS 2 Likaså finns det begränsningar avseende vilka material som kan utfallas. Eftersom processen använder hög ström och låg spänning, måste katodmaterialen vara goda elektriska ledare och motstå termiska chocker. Gynnsamt för bågförångriing är en tät katod och relativt liten komstorlek med lik- formig elementfördelning. Dessa betingelser begränsar i grund och botten processen till förångning av metalliska katoder. Det finns ett antal problem vid tillverkningen såväl som bågtörångningsprocessen av legerade katoder speciellt Si-innehållande sammansättningar. Dessa problem är huvudsakligen kopplade till de intermetalliska faser som bildas i katodema, vilket resulterar i ett oönskat sprött upp- förande som gör dem svåra att maskinbearbeta till önskad form och dimension.
Katoder innehållande keramiska föreningar som SiC, SiNX, AlN och A120; kan inte användas för bågförångningsprocesser beroende på ojämn materialfördelning i flödet från katoden såväl som in- stabila betingelser på katodytan.
Andra vanligen använda PVD-tekniker är likströms (DC)-sputtring och radiofrekvens (r.f.)- sputtring. Dessa metoder opererar vid hög spänning och låg ström och jämna ytor på skikten kan upp- nås med dessa tekniker. R.f.-sputtring är pulsad med radiofrekvens och kan även användas för att för- ånga isolerande targetmaterial. Den större nackdelen med dessa tekniker är att beläggningshastigheten är betydligt lägre (50% eller mindre) och graden av joniserat innehåll i plasmat är mindre än 10%, jäm- fört med nästan 100% med användning av bågförångning. Skikt framställda med dessa tekniker är van- ligen närmare termisk jämvikt än vad fallet är för bågförångade skikt. Detta är varför metastabila skikt såsom (Ti,Al)N med NaCl-struktur med hög Al-halt är svåra att åstadkomma med användning av r.f.- eller DC-sputtring. Även, beroende på den låga graden av jonisation är möjligheterna till finjustering av beläggningens egenskaper mer begränsade än vid bågförångning.
Ti3SiC; är ett material i MAX-fasfamiljen och är känt för sina anmärkningsvärda egenskaper.
Det är lättbearbetat, termisk chockresistent, skadetolerant, segt, starkt vid höga temperaturer, oxida- tionsresistent och korrosionsresistent. Detta material övervägs för många tillämpningar såsom elekt- riska värmeapparater, WO 02/51208, för beläggning av skär, EP 1378304 och som en bärare vid be- läggning skärverktyg för spånavskiljning, EP 1709214.
WO 03/046247 beskriver ett sätt att syntetisera eller växa en förening med den allmänna for- meln MnHAXn där M är en övergångsmetall, n är l, 2, 3 eller högre, A är ett A-gruppelernent och X är C, N eller båda, som omfattar steget att utsätta ett substrat för gasformiga komponenter och/eller kom- ponenter törångade från åtminstone en solid källa varigenom sagda komponenter reagerar med var- andra till att producera MnHAXn. ' WO 2005/03 8985 beskriver ett element för tillverkning av en elektrisk kontakt belagd med ett skikt omfattande ett multielementmaterial som kan beskrivas som MAX-fas. 20 25 30 531 'M5 3 EP 1378304 beskriver ett skär omfattande ett substrat och en beläggning. Beläggningen är sammansatt av ett eller flera skikt av refraktära föreningar av vilka åtminstone ett skikt omfattar en MAX-fas.
EP l 174528 beskriver ett multiskikt-belagt skärverktyg omfattande ett skärverktygssubstrat, och en multiskiktbeläggning omfattande ett första hårt skikt på substratet och ett andra hårt skikt på det första hårda skiktet varvid det första hårda skíktet omfattar ett eller flera av Ti, Al och Cr, och ett eller flera av N, B, C och O; och det andra hårda skiktet omfattar Si och en eller flera av Grupp IVB, VB och VIB i det periodiska systemet och Al, och en eller flera av N, B, C och O.
Det har presenterats flera andra metoder att tillverka Ti3SiC2 skikt. T ex Emmerlich et al. (J.
Appl. Phys., Vol. 96, Nr 9, l November 2004, p. 48l7) har framställt det med dc magnetronsputtring av elementära katoder av Ti, Si och C. Palmquist et al. (Appl. Phys. Lett., Vol. 81, Nr. 5, 29 July 2002, p. 835) har rapporterat beläggning med användning av magnetronsputtring från TigSiCg kompoundtar- get och med sputtring från elementär target av Ti och Si samförångade med C60 (fullerener) som kol- källa.
Flink et al. (Surf. Coat. Technol., Vol. 200, 2005, p. 1535) har rapporterat att för NaCi-struktu- rerade (Ti,Si)N skikt utfällda med bågförångning, ökar skiktets hårdhet nästan líneärt med ökande Si- innehåll. Även högtemperaturstabiliteten mätt som den bibehållna rumstemperaturshårdheten efter vär- mebehandling vid förhöjd temperatur var synnerligen god. Dessa skikt framställdes med användning av (Ti,Si)-katoder. i Det är ett syfte med föreliggande uppfinning att förelägga ett sätt att tillverka hårda slitstarka skikt med kubisk NaCl-struktur eller nanokompositstruktur från en katod med goda termiska, elektriska och mekaniska egenskaper.
Det är ett ytterligare syfte med föreliggande uppfinning att förelägga skärverktyg belagda med ett skikt med hög Si-halt och en låg mängd av metalliska makropartiklar.
Figurbeskrivningar , Fig la visar SEM (Svepelektronmikroskop) mikrofoto i toppvy av skiktet enligt en känd tek- nikvariant och fig lb enligt uppfinningen. Ett exempel på en makropartikel anges av en pil i tig la.
F g 2 visar ett SEM mikrofoto av en brottyta i tvärsnitt av ett belagt skär enligt uppfinningen, vari A = (Ti,A1)N och B = TiSiMeCNO-skikt.
DEFINITIONER I följ ande beskrivning kommer vi att använda termer på följande sätt: 10 l5 20 25 30 5351 'ï-'liíl 4 TiSiMeCNO-skikt definierar ett skikt omfattande en NaCl-strukturfas och en generell samman- sättning (Ti,Si,Me)(C,N,O) med ett högt Si till Ti förhållande, SOat-'VP Si/(Si+Ti+Mc)> l5at-%, före- trädesvis 25at-%> Si/(Si+Ti+Me)>20at-% utfällt med användning av bågförångningsteknik och en ka- tod innehållande MAX-fas material definierat som ett material omfattande MnHAXn (n=l,2,3) vari M är en eller flera metaller valda från grupp IIIB, IVB, VB och VIB i det periodiska systemet av element och/eller blandning därav, A är ett eller flera element från grupp IIIA, IVA, VA och VIA i det periodiska systemet av element och/eller blandningar därav, och vari X är kol och/eller kväve.
DETALJERAD BESKRIVNING AV UPPFINNINGEN Med användning av speciella beläggningsbetingelser och en katod omfattande en MAX-fas, har det visat sig möjligt att behålla fördelama med bågförångning och för att utfálla skikt, speciellt hög Si- innehållande skikt, med god slitstyrka och samtidigt en reducerad tendens för lösegg och därvid und- vika nackdelama av kända metoder.
Katoden kan bestå av flera olika delar av vilka åtminstone den yttersta delen, som skall för- ångas, består av MAX-fas.
En annan viktig aspekt av denna metod är möjligheten av storskaletillverkning av katoder med högt Si till Ti förhållande. Med användning av TigSiCg-material ger katodytan fördelen av snabb båg- rörelse med mindre inverkan av beläggningsatmosfären och andra processdata, vilket resulterar i jämna skikt.
Enligt uppfinningen används TigSiCz-fasen som katodmaterial. Överraskande visar TigSíCg- katoden ingen tendens till någon av de olägenheter som förväntas såsom ojämn material-fördelning i flödet från katoden, såväl som instabila betingelse på katodytan och sprödheten från en katod innehållande en keramisk förening eller en sammansatt katod med en hög Si-halt.
Metoden använd i föreliggande uppfinning för att syntetisera slitstarka TiSiMeCNO-skikt är baserad på bågförångningsteknik från en katod, enligt ovan, företrädesvis huvudsakligen bestående av TigSiCg. En fördel med användning av TigSiCg i en bågförångningsprocessjämfört med andra liknande material är den relativt höga halten av Si. Si/(Si+Ti)-kvoten är 25 at% med användning av en Ti;SiC2- katod.
TiSiMeCNO-skiktet kan utfällas direkt ovanpå substratet som ett enda skikt med en belägg- ningstjocklek av 0,3-l0 um.
TiSiMeCNO-skiktet kan även kombineras i samma beläggningsprocess med ett eller flera skikt av Me(N,C,O) där Me är ett eller flera av Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo och Al av 0,01 till 7,0 um tjocklek och TiSiMeCNO-skikt mellan 0,01 och 10 um tjocklek och en total tjocklek av 0,5-20 um, där 10 l5 20 25 30 Eïšil 2145 5 det yttersta skiktet är helst ett TiSiMeCNO-skikt. Företrädesvis används 0,5-3 um (Ti,Al)N + 0,5-3 pm T iSiMeCNO-skikt. Även, ett första intermediärt CVD och/eller MTCVD skikt baserat på TiC och/eller Ti(C,N) och/eller A120; skikt kan utfållas ovanpå substraten innan något TiSiMeCNO-skikt utfalls, med en total beläggningstjocklek av 2-40 pm.
TiSiMeCNO-skiktet kan med fördel behandlas efier beläggning med borstning, blästring, drag- ñnishing eller andra liknande tekniker för ytterligare förbättring av ytfinheten.
Metoden som används för att växa TiSiMeCNO-skikt enligt föreliggande uppfinning, här ex- emplifierad med systemet Ti-Si-N-C-O, är baserad på bågförångning från en katod omfattande en MAX-fas, företrädesvis I_i¿_Si_C_¿. Katoden kännetecknas av en komstorlek mindre än 200 um, en den- sitet högre än 50%, företrädesvis högre än 85% av teoretisk densitet, och en elektrisk ledningsförmåga högre än 2E6 Qlmq, en tennisk ledningsförrnåga högre än 25 WmAKJ, ett motstånd mot termisk chock högre än 500 °C. Mängden av MAX-fas är mer än 75 vol-% och återstående faser är huvudsakli- gen TiC, TixSiy och SiC.
I processen enligt föreliggande uppfinning med ett plasmaflöde bestående av en genomsnittlig sammansättning av 3Ti-Si-2C, tillsätts en eller flera reaktiva gaser såsom NZ, CHl, C2H2, CO, C02, O; och det resulterande skiktet kommer att få den schematiska formeln (Ti,Si)(C,N,O) eller någon modu- lation därav med samexisterande faser av TiC, TiN, Si3N4, SixN, Ti(C,N) etc., vilket häri betecknas som ett (Ti,Si)(C,N,O)-skikt.
I en föredragen utföringsforxn, utförs processen i reaktiv (Nz) atmosfär och/eller inert atmosfär (Ar) bestående av 0-50 vol-% Ar, företrädesvis 0-20 vol-%, vid ett totalt tryck av 0,5 Pa till 9,0 Pa, fö- reträdesvis 0,7 Pa till 3,0 Pa.
Förångningsströmmen (DVS) är mellan 40 A och 300 A beroende på katodstorlek och katod- material. Vid användning av TigSiCz katoder av 63 mm i diameter år förångningsströmmen företrädes- vis mellan 50 A och 140 A och helst 60 A och 80 A.
Substratförspänningen (VS) är mellan -l0 V och -300 V, företrädesvis mellan -10 V och -l20 V och helst -10 V och -50 V.
Beläggningstemperaturen är mellan 300°C och 700°C, företrädesvis mellan 400°C och 500°C.
De optimala processparametrarna är beroende på av utfominingen av beläggningssystemet och det lig- ger inom fackmannens kompetensområde att fastställa de bästa betingelsema genom experiment.
Förångning från MAX-faskatoder kan göras samtidigt som från andra katoder t ex (Ti ,Al), (Cr,Al) eller kombinerat som ett multiskikt eller som en blandskikt. För att tå den önskade samman- 10 15 20 25 30 ï-ïjåišl 'E45 6 sättningen på skiktet, med användning av rena enkelelementkatoder, måste bågströmmen och antalet katoder per element optimeras rätt.
Som nämnts måste arrangemanget av de magnetiska fälten optimeras noggrant för en jämn och snabb bågrörelse med ett lågt makropartikelflöde och likformi g erosionshastighet av katoden. För (Ti,Si)(C,N,O)-skikt växta med användning av TigSiCz katoder är, överraskande, den magnetiska konfi- gurationen mindre kritisk vilket möjliggör en hög grad av utnyttjande av katodmaterialet. l ytterligare en utföringsfonn används en kombinerad process där flera skikt utfälls fortlöpande i reaktiv och inert atmosfär för att åstadkomma en beläggning innehållande slitstarka skikt och lågfrik- tionsskikt att verka som sprickfortplantningshämmare och för att reducera lösegg.
Exempel 1 Polerade hårdmetallsubstrat med sammansättning 93,5 vik t-% WC - 6 vikt-% Co - 0,5 vikt-% (Ta,Nb)C användes för analys av Skikten. WC-kornstorleken var omkring 1 um och hårdheten var 1630 HVl 0. Skär använda för skärprov SEEX1204AFTN hade en sammansättning av 86,4 vikt-% WC - 13 vikt-% Co - 0,6 vikt-% Cr och en komstorlek av 0,8 pm.
Substraten monterades på en fixtur for enfaldig rotation, med spånsidan mot katodema, med ett kortaste katod-till-substratavstånd av 160 mm. Systemet evakuerades till ett tryck av mindre än 2,0><10'3 Pa, varefter substraten rensputtrades med Ar joner. Skikten växtes med användning av båg- förångning av TigSiCz katoder. Katoden hade en diameter av 63 mm och en 6 mm kant för att begränsa bågens rörelse till den önskade ytan. Katoden innehöll MAX-fas TigSiCz till en mängd av 80 vol-% och återstående faser var TiC, TixSiy och SiC. MAX-fasen hade en medelkomstorlek av 10 um. Densiteten var högre än 95% av teoretisk densitet. Den elektriska ledningsförmågan var 4,5E6 QJmJ. Kväve- tryck, temperatur, förångningsström varierades enligt tabell 1. Beläggningen utfördes i en 99,995% ren Ng, med användning av en substratförspänning av -40 V. Beläggningstid uttryckt som Ah var 150 för alla skikt, Referensen tillverkades med användning av känd teknik för beläggning av (Ti,Si)N skikt med bågförångning av en konventionellt legerad katod (Ti,Si) med Si/(Si+Ti) av 20 at-%.
Skikten karakteriserades med avseende på jämnhet, struktur och skärprestanda.
Skär-provet utfördes i lågkolstål (AlSl 1042) i en planfräsningsapplikation, vc=250 m/min, fz=0,2 mm, ap=2,0 mm, och ae=75 mm. Resultaten som rapporteras är baserade på en kombinerad uppskattning av livslängd, eggintegritet, tendens för löseggsbildning och skiktvidhäfining uttryckt med skalan under tabellen. 10 15 20 *i 'F ílfl 7 Skikt Tryck (Pa) Beläggnings- Förångrtingsström Process Bciäggnings Kristallsnuktur/Textur Ytjämnhet Skärprestanda temperatur. (A) stabilitet tjocklek (OC) (tim ) Å 2,0 N; 450 2x75 - 2,1 NaCl/ZOO + B 4,0 N; 450 2x75 - 1,8 NaCl /Slumpvis C 2,0 N; 350 2x75 + 2,2 NaCl/ZOO - + D 4,0 N; 350 2x75 - 1,9 NaCl /Slumpvis E 2,0 N; 350 2x6O + 1.9 NaCl /Slumpvis + F 4,0 N; 350 2x6O - 1,8 NaCl /Slumpvis G 1,0 N; 450 2x6O H 2,4 NaCl/200 +++ +++ H 1,0 N; 3 S0 2x6O H 2,4 NaCl/ZÛO + 'H I 2,0 Ar 350 2x6O ++ 2,6 lntermetallic/Slumpvis - Ref 1,0 N; 350 2x6O + 2,9 NaCl/ZOO + + - = dålig, + = god, ++ = mycket god, +++ = utomordentlig Alla skikt, A till I, hade ett Si/(Si-tTi) förhållande varierande från 0,21 till 0,23 at-% mätt med EDS (Energidispersivspektroskopi). Referensskiktet hade ett Si/(Si+Ti) förhållande av 0,18 at-%. En kvantitativ kolhalt analys var inte möjlig att utföra med EDS beroende på begränsningar av metoden, men analysen visade klart att kol fanns i skikten.
I Fig la visas ett SEM mikrofoto (toppvy) av känd teknik, skikt Ref., och i fig lb skikt G. Det är uppenbart att mängden makropartiklar är betydligt lägre på skikt G. Ett exempel på en makropartikel anges med en pil i fig la.
Detta exempel visar klart att skikt G fungerar bäst och att bågförångning från en TigSiCz katod är möjlig för beläggning av slitstarka skikt. Jämförelse mellan figurema la och lb demonstrerar även fördelen med avseende på ytjämnhet enligt föreliggande uppfinning.
Exempel 2 Svarvskär, CNMGl20408-M3, bestående av 94 vikt% WC, 6 vikt% Co med WC kornstorlek <1 ,0 um belades med (Ti,Al)N + (Ti,Si)(C,N)-skikt i olika modulation beskriven i tabellen nedan.
(Ti,Al)N skiktet utfálldes med användning av bågförångning från metalliska katoder (Al/Ti-kvot = 66/34 at-%) i samma beläggningscykel som (Ti,Si)(C,N)-skiktet, som utfálldes enligt uppfinningen.
Beläggningsparametrar för (Ti,Al)N-skiktet var P=3,0 Pa, Vs=-80V, DVS=2x60 A. Beläggníngsvillko- ren för (Ti,Si)(C,N)-skiktet var enligt skikt G i exempel l. Fig 2 visar ett SEM mikrofoto av en brottyta i tvärsnitt av ett belagt skär enligt uppfinningen, vari A = (Ti,Al)N och B = (Ti,Si)(C,N)-sklkt. Bilden visar en tät struktur, en god gränsyta mellan topp- och bottenskikt i kombination med en jämn toppyta.
Skärprov utfördes i rostfritt stål (AISl 316L) i en svarvningsapplikation, vc=230 m/min, f=0,2 mm, a= 1 ,5 mm. Livslängdskriteriet i detta prov är fasförslítning större än 0,3 mm eller brott. 8 Skikt (Ti,A1)N tjocklek (gm) (Ti,Si)(C,N)-skikt- Livslängd (min) tjocklek (pm) J 2,2 0 14 K 1 ,5 0,7 20 L 1,1 1,1 20 M 0,7 I ,5 14 N 0 2,2 10 Detta prov visar klart att (Ti,Si)(C,N)-skikt, i kombination med andra slitstarka skikt, fungerar bättre än enkelskikt.

Claims (2)

1. 0 15 'šfàïlíä filfiíïš Krav l. En metod att utfälla hårda slitstarka skikt på hårdmetall k ä n n e t e c k n a d av en reaktiv bågförångiiingsbaserad process med användning av en katod omfattande som huvudbeståndsdel åtminstone en fas av en refraktär förening MWAXH där M är Ti, A är Si och X är C och n är 2, d v s TigSiCg med en komstorlek mindre än 200 um, en densitet högre än 50%, företrädesvis högre än 85% av teoretisk densitet, en elektrisk ledningsförrnåga högre än 2E6 Qdrnd, en termisk ledningsförmåga högre än 25 WmJKJ, ett motstånd mot termisk chock högre än 500°C och med en mängd av MAX-fas mer än 75 vol-% med återstående faser huvudsakligen omfattande TíC, TixSiy och SiC varvid metoden utförs i atmosfär vid ett totaltryck av 0,5 Pa till 9,0 Pa, företrädesvis 0,7 Pa till 3,0 Pa, med en förångningsström av 40 - 300 A, substratförspänning av -10 V till -300 V, företrädesvis -10 V till -120 V och beläggningstemperatur av 300°C till 700°C, företrädesvis 400°C till 500°C.
2. En katod för utfällning hårda slitstarka skikt på hårdmetall med reaktiv bågförångning k ä n n e t e c k n a d av omfattande som huvudbeståndsdel åtminstone en fas av en refraktär förening MnfiAXn där M är Ti, A är Si och X är C och n är 2, d v s TigSiCg med en komstorlek mindre än 200 pm, en densitet högre än 50%, företrädesvis högre än, 85% av teoretisk densitet, en elektrisk lednings- förmåga högre än 2E6 Qdmd, en termisk ledningsförrnåga högre än 25 WmJKJ, ett motstånd mot termisk chock högre än 500°C och med en mängd av MAX-fas mer än 75 vol-% med återstående faser huvudsakligen omfattande TíC, TixSiy och SiC.
SE0702054A 2007-09-17 2007-09-17 Metod att utfälla slitstarka skikt på hårdmetall med bågförångning och katod med Ti3SiC2 som huvudbeståndsdel SE531749C2 (sv)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0702054A SE531749C2 (sv) 2007-09-17 2007-09-17 Metod att utfälla slitstarka skikt på hårdmetall med bågförångning och katod med Ti3SiC2 som huvudbeståndsdel
US12/678,513 US8440327B2 (en) 2007-09-17 2008-09-17 Method of producing a layer by arc-evaporation from ceramic cathodes
EP08832750.7A EP2201154B1 (en) 2007-09-17 2008-09-17 Method of producing a layer by arc-evaporation from ceramic cathodes
PCT/SE2008/051039 WO2009038532A1 (en) 2007-09-17 2008-09-17 Method of producing a layer by arc-evaporation from ceramic cathodes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0702054A SE531749C2 (sv) 2007-09-17 2007-09-17 Metod att utfälla slitstarka skikt på hårdmetall med bågförångning och katod med Ti3SiC2 som huvudbeståndsdel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE0702054L SE0702054L (sv) 2009-03-18
SE531749C2 true SE531749C2 (sv) 2009-07-28

Family

ID=40468158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0702054A SE531749C2 (sv) 2007-09-17 2007-09-17 Metod att utfälla slitstarka skikt på hårdmetall med bågförångning och katod med Ti3SiC2 som huvudbeståndsdel

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8440327B2 (sv)
EP (1) EP2201154B1 (sv)
SE (1) SE531749C2 (sv)
WO (1) WO2009038532A1 (sv)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106435488A (zh) * 2010-05-04 2017-02-22 欧瑞康表面解决方案股份公司,普费菲孔 用于借助陶瓷靶进行电弧气相沉积的方法
US9023493B2 (en) * 2010-07-13 2015-05-05 L. Pierre de Rochemont Chemically complex ablative max-phase material and method of manufacture
US9540722B2 (en) * 2012-03-07 2017-01-10 Seco Tools Ab Body with a metal based nitride layer and a method for coating the body
EP2637014A1 (en) * 2012-03-09 2013-09-11 F.A. Müggler Service A/S Sensor system for monitoring wear
DE102013006633A1 (de) * 2013-04-18 2014-10-23 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Funkenverdampfen von metallischen, intermetallischen und keramischen Targetmaterialien um Al-Cr-N Beschichtungen herzustellen
WO2017152952A1 (de) * 2016-03-08 2017-09-14 Refractory Intellectual Property Gmbh & Co. Kg Feuerfestes keramisches erzeugnis
WO2017170536A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 三菱日立ツール株式会社 被覆切削工具
CN106835037A (zh) * 2016-12-14 2017-06-13 上海理工大学 一种高硬度、高弹性模量的多组元氮化物涂层及其制备方法
US11728270B2 (en) * 2020-07-27 2023-08-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film
CN114807872B (zh) * 2022-04-29 2022-12-16 江西省科学院应用物理研究所 一种高熵合金/Ti3SiC2多层复合涂层及其制备方法
CN118064834A (zh) * 2024-04-22 2024-05-24 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种抗高温水蒸气腐蚀的固溶max相涂层及其制备方法和应用

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3035797B2 (ja) * 1991-07-04 2000-04-24 三菱マテリアル株式会社 高強度を有する立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削チップ
ATE224344T1 (de) * 1997-01-10 2002-10-15 Univ Drexel Oberflächenbehandlung eines 312 ternären keramikmaterials und daraus hergestelltes produkt
US6231969B1 (en) * 1997-08-11 2001-05-15 Drexel University Corrosion, oxidation and/or wear-resistant coatings
JP3417907B2 (ja) 2000-07-13 2003-06-16 日立ツール株式会社 多層皮膜被覆工具
SE0004819L (sv) * 2000-12-21 2002-02-05 Sandvik Ab Motståndselement för extrema temperaturer
EP1448804B1 (en) * 2001-11-30 2007-11-14 Abb Ab METHOD OF SYNTHESIZING A COMPOUND OF THE FORMULA M sb n+1 /sb AX sb n /sb , FILM OF THE COMPOUND AND ITS USE
SE526336C2 (sv) 2002-07-01 2005-08-23 Seco Tools Ab Skär med slitstark refraktär beläggning av MAX-fas
WO2005038985A2 (en) 2003-10-16 2005-04-28 Abb Research Ltd. COATINGS OF Mn+1AXn MATERIAL FOR ELECTRICAL CONTACT ELEMENTS
KR20060123381A (ko) * 2003-12-22 2006-12-01 쎄코 툴스 에이비 절삭 공구를 코팅하기 위한 캐리어체 및 절삭 공구 코팅방법
US7553564B2 (en) * 2004-05-26 2009-06-30 Honeywell International Inc. Ternary carbide and nitride materials having tribological applications and methods of making same
SE0402865L (sv) * 2004-11-04 2006-05-05 Sandvik Intellectual Property Belagd produkt och framställningsmetod för denna
SE0402904L (sv) * 2004-11-26 2006-05-27 Sandvik Intellectual Property Belagd produkt och produktionsmetod för denna
SE529426C2 (sv) * 2006-03-21 2007-08-07 Sandvik Intellectual Property Apparat och metod för eggbeläggning i kontinuerlig deponeringslinje
US20070224350A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Sandvik Intellectual Property Ab Edge coating in continuous deposition line

Also Published As

Publication number Publication date
EP2201154A4 (en) 2012-08-22
EP2201154B1 (en) 2014-11-12
WO2009038532A1 (en) 2009-03-26
EP2201154A1 (en) 2010-06-30
SE0702054L (sv) 2009-03-18
US8440327B2 (en) 2013-05-14
US20100322840A1 (en) 2010-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE531749C2 (sv) Metod att utfälla slitstarka skikt på hårdmetall med bågförångning och katod med Ti3SiC2 som huvudbeståndsdel
US8197647B2 (en) Hard laminated film, method of manufacturing the same and film-forming device
Sjölén et al. Structure and mechanical properties of arc evaporated Ti–Al–O–N thin films
JP4885859B2 (ja) 耐摩耗性被膜を備えた切削工具及びその製造方法
JP5695721B2 (ja) 摺動性に優れる硬質皮膜の形成方法
KR101779634B1 (ko) 혼합 결정 층을 증착하는 pvd 하이브리드 방법
CN101254673B (zh) 硬质叠层被膜
EP1452621A2 (en) Composite structured wear resistant coating
US6554971B2 (en) PVD coated cutting tool and method of its production
JP4427271B2 (ja) アルミナ保護膜およびその製造方法
EP1448804B1 (en) METHOD OF SYNTHESIZING A COMPOUND OF THE FORMULA M sb n+1 /sb AX sb n /sb , FILM OF THE COMPOUND AND ITS USE
JP2001522725A (ja) PVDAl2O3被覆切削工具
JP2007532783A5 (sv)
CN110029320B (zh) 磁控溅射法制备二硼化钛/二氧化锆梯度纳米结构薄膜及其应用
CN106191772B (zh) 一种含有多相AlCrN纳米插入层的高硬度CrAlN涂层及其制备方法
Huang et al. Thick CrN/TiN multilayers deposited by arc ion plating
CN110945156A (zh) 涂层切削工具及其制造方法
Gaydaychuk et al. Influence of Al-Si-N interlayer on residual stress of CVD diamond coatings
KR20100034013A (ko) 다층 금속 산화물 코팅을 구비한 공구 및 코팅된 공구의 제조 방법
CN114196914B (zh) 一种碳化物高熵陶瓷材料、碳化物陶瓷层及其制备方法和应用
JP3914687B2 (ja) 切削工具とその製造方法
Dasgupta et al. Plasma assisted metal-organic chemical vapor deposition of hard chromium nitride thin film coatings using chromium (III) acetylacetonate as the precursor
JP2004230515A (ja) 高機能加工用工具
JP2020508394A (ja) 高温安定性組成変調ハードコート被膜
KR20110007377A (ko) 초고경도 CrAIBN 나노 다층박막 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed