SE528908C2 - Electric contact element for semiconductor device, has body with contact surface coated with contact layer having nanocomposite film with matrix of amorphous carbon, where metal carbide is embedded into contact layer - Google Patents
Electric contact element for semiconductor device, has body with contact surface coated with contact layer having nanocomposite film with matrix of amorphous carbon, where metal carbide is embedded into contact layerInfo
- Publication number
- SE528908C2 SE528908C2 SE0501667A SE0501667A SE528908C2 SE 528908 C2 SE528908 C2 SE 528908C2 SE 0501667 A SE0501667 A SE 0501667A SE 0501667 A SE0501667 A SE 0501667A SE 528908 C2 SE528908 C2 SE 528908C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- contact
- contact element
- metal
- matrix
- film
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/021—Composite material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/021—Composite material
- H01H1/027—Composite material containing carbon particles or fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/12—Contacts characterised by the manner in which co-operating contacts engage
- H01H1/36—Contacts characterised by the manner in which co-operating contacts engage by sliding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H2300/00—Orthogonal indexing scheme relating to electric switches, relays, selectors or emergency protective devices covered by H01H
- H01H2300/036—Application nanoparticles, e.g. nanotubes, integrated in switch components, e.g. contacts, the switch itself being clearly of a different scale, e.g. greater than nanoscale
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H9/00—Details of switching devices, not covered by groups H01H1/00 - H01H7/00
- H01H9/0005—Tap change devices
- H01H9/0016—Contact arrangements for tap changers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01041—Niobium [Nb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01055—Cesium [Cs]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Contacts (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
Abstract
Description
25 30 35 528 908 2 koefficient hos materialet i kontaktelementet och hos kon- taktorganet vid temperaturändringar eller när kontaktelemen- tet och kontaktorganet skall förflyttas med avseende på var- andra vid en glidkontakt. Detta problem har lösts genom att smörja kontaktytorna hos kontaktelementet och kontaktorganet med ett smörjmedel. Ett sådant smörjmedel kan ha en olja el- ler ett fett som bas, men fasta smörjmedel, såsom grafit, förekommer också. Fasta smörjmedel har emellertid dålig elektrisk ledningsförmåga och slits ofta ut när kontakt- ytorna glider mot varandra. 52 coefficient of the material in the contact element and of the contact means in the event of temperature changes or when the contact element and the contact means are to be moved with respect to each other in a sliding contact. This problem has been solved by lubricating the contact surfaces of the contact element and the contact member with a lubricant. Such a lubricant may have an oil or a grease as a base, but solid lubricants, such as graphite, are also present. However, solid lubricants have poor electrical conductivity and often wear out when the contact surfaces slide against each other.
WO 01/41167 beskriver en lösning på dessa problem genom att utforma nämnda kontaktskikt som en genomgående film som innefattar ett laminerat flerelementsmaterial.WO 01/41167 describes a solution to these problems by designing said contact layer as a continuous film comprising a laminated multi-element material.
Det finns emellertid en konstant önskan och behov att för- bättra dessa kontaktelement med avseende på kontaktelement som är kända i flera aspekter, såsom att ha lägre kontakt- resistans, högre slitstyrka och därmed ökad livslängd även- som lägre friktion för att minska behovet av smörjning.However, there is a constant desire and need to improve these contact elements with respect to contact elements which are known in several aspects, such as having lower contact resistance, higher wear resistance and thus increased service life as well as lower friction to reduce the need for lubrication. .
REDOGÖRELSE FÖR UPPFINNINGEN Ändamålet med föreliggande uppfinning är att åstadkomma ett elektriskt kontaktelement som är förbättrat med avseende på redan kända kontaktelement genom att åtminstone delvis till- mötesgà detta behov.DISCLOSURE OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide an electrical contact element which is improved with respect to already known contact elements by at least partially meeting this need.
Detta ändamål uppfylls enligt uppfinningen genom att till- handahålla ett kontaktelement av den typ som anges inled- ningsvis, där nämnda kontaktskikt innefattar en nanokompo- sitfilm som har en matris av amorft kol och däri inbäddade kristalliter av nanostorlek, dvs med mått inom området l-100 nm, av åtminstone en metallkarbid.This object is achieved according to the invention by providing a contact element of the type mentioned initially, wherein said contact layer comprises a nanocomposite film having an array of amorphous carbon and crystallites of nanosize embedded therein, i.e. with dimensions in the range 1 100 nm, of at least one metal carbide.
Det har visat sig att en sådan nanokompositfilm har egenska- per som gör den utomordentligt väl lämpad att användas som ett sådant kontaktskikt. Detta beror pà karaktären hos ma- trisen av amorft kol som medger en fysisk anpassning av 10 15 20 25 30 35 528 908 3 gränsytan hos kontaktskiktet till ett motsvarande eller an- nat kontaktskikt på nämnda kontaktorgan kombinerat med att de däri inbäddade kristalliterna av metallkarbid minskar re- sistiviteten hos kontaktskiktet med avseende på skiktet som endast är av amorft kol. Närvaron av metallkarbiden i nämnda matris eller bindefas av amorft kol ökar dessutom slitstyr- kan hos kontaktskiktet. En sådan nanokompositfilm har också potential för låg friktionskoefficient med avseende på ett nämnt kontaktorgan.It has been found that such a nanocomposite film has properties which make it extremely well suited for use as such a contact layer. This is due to the nature of the amorphous carbon matrix which allows a physical adaptation of the interface of the contact layer to a corresponding or different contact layer on said contact means combined with the fact that the crystallites of metal carbide embedded therein are reduced. the resistivity of the contact layer with respect to the layer which is only of amorphous carbon. The presence of the metal carbide in said matrix or binder phase of amorphous carbon also increases the wear resistance of the contact layer. Such a nanocomposite film also has the potential for a low coefficient of friction with respect to a said contact member.
”Matris” i denna beskrivning skall tolkas som att inte bara avse en kontinuerlig majoritetsfas i vilken partiklar av karbid innesluts. Kolmatrisen kan också vara en minoritets- fas och till och med icke kontinuerlig, och denna matris kan i extremfallet endast bestå av ett fåtal atomskikt runt kar- bidkornen. Matrisen skall sålunda tolkas såsom varande denna typ av bindefas.The "matrix" in this specification is to be construed as not merely referring to a continuous majority phase in which carbide particles are entrapped. The carbon matrix can also be a minority phase and even non-continuous, and in the extreme case this matrix can only consist of a few atomic layers around the carbide grains. The matrix should thus be interpreted as being this type of binder phase.
De olika egenskaperna hos matrisen av amorft kol och metall- karbidkristalliterna av nanostorlek gör det naturligtvis möjligt att optimera kontaktskiktet för varje avsedd använd- ning av kontaktelementet genom att i första hand ändra för- hållandet mellan metallkarbid och kolmatrix. Hårdheten hos kontaktskiktet ökar med ökande sådant förhållande medan dess resistivitet minskar med ökande metallkarbid-/kolmatrisför- hållande. Kontaktresistansen ändras emellertid med ökande sådant förhållande.The different properties of the amorphous carbon matrix and the nanosize metal carbide crystallites naturally make it possible to optimize the contact layer for each intended use of the contact element by primarily changing the ratio between metal carbide and carbon matrix. The hardness of the contact layer increases with increasing such ratio while its resistivity decreases with increasing metal carbide / carbon matrix ratio. However, the contact resistance changes with increasing such ratio.
Enligt en utföringsform av uppfinningen är nämnda metall en övergångsmetall, dvs ett element från grupp 3 till 12 i det periodiska systemet. Det har visat sig att en sådan metall ger kontaktskiktet utmärkta egenskaper särskilt med avseende på låg kontaktresistans. Som exempel på metaller som är väl lämpade för nämnda metallkarbider av nanostorlek kan nämnas niob och titan.According to an embodiment of the invention, said metal is a transition metal, i.e. an element from groups 3 to 12 in the periodic table. It has been found that such a metal gives the contact layer excellent properties, especially with respect to low contact resistance. Examples of metals which are well suited for said nanosize metal carbides are niobium and titanium.
Enligt en annan utföringsform av uppfinningen innefattar nämnda film endast en metall, dvs det finns ett binärt sys- tem. Det har visat sig att det oftast är tillräckligt att ha 10 15 20 25 30 35 528 908 4 endast en metall som bildar en metallkarbid inbäddad i nämn- da matris av amorft kol för att erhålla egenskaperna hos det eftersträvade kontaktskiktet.According to another embodiment of the invention, said film comprises only one metal, i.e. there is a binary system. It has been found that it is usually sufficient to have only one metal which forms a metal carbide embedded in said matrix of amorphous carbon in order to obtain the properties of the desired contact layer.
Enligt en annan utföringsform av uppfinningen innefattar nämnda film kristalliter av nanostorlek hos en karbid av åt- minstone en ytterligare, andra metall. Denna metall kan med fördel vara en övergångsmetall. Det har visat sig att till- förande av en sådan andra metall förbättrar möjligheterna att anpassa egenskaperna hos kontaktskiktet till de krav som ställs pà kontaktskiktet vid den avsedda användningen.According to another embodiment of the invention, said film comprises nano-sized crystallites of a carbide of at least one further, second metal. This metal can advantageously be a transition metal. It has been found that the addition of such a second metal improves the possibilities of adapting the properties of the contact layer to the requirements placed on the contact layer in the intended use.
Ibland är en mycket låg kontaktresistans viktigare än hög slitstyrka.eller omvänt, och detta kan sedan åtgärdas genom att lägga till en sådan andra metall. De så kallade metall- karbidegenskaperna hos nanokompositfilmen kan förbättras genom tillägg av denna ytterligare karbidbildande metall.Sometimes a very low contact resistance is more important than high wear resistance. Or vice versa, and this can then be remedied by adding such a second metal. The so-called metal carbide properties of the nanocomposite film can be improved by adding this additional carbide-forming metal.
Enligt en annan utföringsform av uppfinningen har nämnda kristalliter en diameterliknande dimension inom området 5-50 nm. Det har visat sig att denna storlek hos kristalliterna ger särskilt fördelaktiga egenskaper som ofta efterfrågas vid ett kontaktskikt av detta slag.According to another embodiment of the invention, said crystallites have a diameter-like dimension in the range 5-50 nm. It has been found that this size of the crystallites gives particularly advantageous properties which are often demanded in a contact layer of this kind.
Enligt en annan utföringsform av uppfinningen innefattar vi- dare nämnda matris en ytterligare, tredje metall anordnad i en fas inbäddad i kol hos nämnda matris och åtskild i för- hållande till kol hos nämnda matris. Tillägget av en sådant metall som inte bildar en metallkarbid förändrar främst egenskaperna hos nämnda matris och kan minska resistiviteten hos denna och därmed hos hela kontaktskiktet.According to another embodiment of the invention, further said matrix comprises a further, third metal arranged in a phase embedded in carbon of said matrix and separated in relation to carbon of said matrix. The addition of such a metal which does not form a metal carbide mainly changes the properties of said matrix and can reduce the resistivity of this and thus of the entire contact layer.
Nämnda ytterligare, tredje metall är med fördel en över- gångsmetall och kan t ex vara Ag.Said further, third metal is advantageously a transition metal and may, for example, be Ag.
Enligt en annan utföringsform av uppfinningen har nämnda matris av amorft kol ett högt förhållande av sp2/sp3-bind- ningar mellan kolatomer hos nämnda matris av amorft kol, varvid nämnda förhållande är högre än 0,6. Den så kallade hybridiseringen av den amorfa kolmatrisen som kännetecknas 10 15 20 25 30 35 528 908 5 av ett högt sådant förhållande gör matrisen mer grafitlik- nande än diamantliknande, vilket ger högre elektrisk led- ningsförmåga än om förhållandet vore det motsatta. Matrisen blir samtidigt mjukare, vilket förbättrar anpassningsförmå- -_gan hos kontaktskiktets yta till ytan hos kontaktorganet när de pressas mot varandra.According to another embodiment of the invention, said matrix of amorphous carbon has a high ratio of sp2 / sp3 bonds between carbon atoms of said matrix of amorphous carbon, said ratio being higher than 0.6. The so-called hybridization of the amorphous carbon matrix, which is characterized by a high such ratio, makes the matrix more graphite-like than diamond-like, which gives higher electrical conductivity than if the ratio were the opposite. At the same time, the matrix becomes softer, which improves the adaptability of the surface of the contact layer to the surface of the contact member when they are pressed against each other.
Enligt en annan utföringsform av uppfinningen är tjockleken hos nämnda film inom området 0,05-10 um, vilket är lämpligt för de flesta tillämpningarna.According to another embodiment of the invention, the thickness of said film is in the range 0.05-10 μm, which is suitable for most applications.
Enligt en annan utföringsform av uppfinningen beläggs nämnda film på nämnda kropp genom användning av en àngdeponerings- teknik, vilken kan vara en fysikalisk ângdeponering (PVD) eller kemisk ångdeponering (CVD). Filmen kan också bildas på nämnda kropp genom användning av en lösningsmetod såsom sol- gel.According to another embodiment of the invention, said film is coated on said body using a vapor deposition technique, which may be a physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD). The film can also be formed on said body by using a solution method such as sol-gel.
Ett annat ändamål med uppfinningen är att åstadkomma en gli- dande elektrisk kontaktanordning av den typ som definierats inledningsvis, vilken tillåter en rörelse hos två kontakt- ytor lagda mot varandra medan man minskar de ovan nämnda olägenheterna i stor utsträckning.Another object of the invention is to provide a sliding electrical contact device of the type initially defined, which allows a movement of two contact surfaces laid against each other while reducing the above-mentioned inconveniences to a large extent.
Detta ändamål uppnås enligt uppfinningen genom att förse en sådan anordning med ett kontaktelement enligt föreliggande uppfinning anordnat att bilda en torr kontakt med låg frik- tionskoefficient, under 0,3, företrädesvis under 0,2, relativt ett kontaktorgan.This object is achieved according to the invention by providing such a device with a contact element according to the present invention arranged to form a dry contact with a low coefficient of friction, below 0.3, preferably below 0.2, relative to a contact member.
De grundläggande särdragen och fördelarna med en sådan kon- taktanordning är förknippade med kännetecknen hos kontakt- elementet enligt föreliggande uppfinning och framgår av ovannämnda diskussion om ett sådant kontaktelement. Det skall emellertid påpekas att "glidande elektrisk kontakt” omfattar alla typer av anordningar som åstadkommer elektrisk kontakt mellan två organ, som kan röra sig i förhållande till varandra när kontakten upprättas och/eller avbryts och/eller när kontaktverkan upprätthålls. Följaktligen om- 10 15 20 25 30 35 528 908 6 fattar det inte bara kontakter som glider längs varandra genom verkan av ett manövreringsorgan utan också så kallade stationära kontakter som har två kontaktelement pressade mot varandra och som rör sig i förhållande till varandra vid kontakttillstàndet till följd av magnetostriktion, tempera- turcykler och material hos kontaktelementen med olika vär- meutvidgningskoefficienter eller temperaturskillnader mellan olika delar av kontaktelementen som varierar med tiden.The basic features and advantages of such a contact device are associated with the features of the contact element of the present invention and will be apparent from the above discussion of such a contact element. It should be noted, however, that "sliding electrical contact" includes all types of devices which provide electrical contact between two means, which can move relative to each other when the contact is established and / or interrupted and / or when the contact effect is maintained. It comprises not only contacts which slide along each other by the action of an actuator but also so-called stationary contacts which have two contact elements pressed against each other and which move relative to each other in the contact state due to magnetostriction, temperature - touring cycles and materials of the contact elements with different coefficients of thermal expansion or temperature differences between different parts of the contact elements that vary with time.
Enligt en utföringsform av föreliggande uppfinning är kon- taktelementet och kontaktorganet anordnade att pressas mot varandra för att upprätta nämnda kontakt, och anordningen kan innefatta medel för fjäderbelastning av kontaktelementet och kontaktorganet mot varandra för att åstadkomma nämnda kontakt.According to an embodiment of the present invention, the contact element and the contact means are arranged to be pressed against each other to establish said contact, and the device may comprise means for spring loading the contact element and the contact means against each other to effect said contact.
Ytterligare fördelar såväl som fördelaktiga särdrag med upp- finningen framgår av följande beskrivning och de övriga osjälvständiga patentkraven.Additional advantages as well as advantageous features of the invention appear from the following description and the other dependent claims.
FIGURBESKRIVNING Med hänvisning till de vidhängande ritningarna följer nedan en specifik beskrivning av utföringsformer av uppfinningen angivna som exempel, där: Figur l mycket schematiskt visar ett elektriskt kontaktele- ment enligt en utföringsform av uppfinningen, Figur 2 visar kontaktresistansen i förhållande till kontakt- kraft för en traditionell kontakt och en enligt upp- finningen, Figur 3 är en sektionerad vy av ett elektriskt kontaktele- ment av typen spiralformad kontakt enligt en annan utföringsform av uppfinningen, Figur 4 mycket schematiskt visar en kontaktanordning enligt föreliggande uppfinning vid en frânskiljare, 10 15 20 25 30 35 528 908 7 Figur 5 mycket schematiskt visar en glidkontaktanordning vid en lindningskopplare hos en transformator enligt en utföringsform av uppfinningen, Figur 6 mycket schematiskt visar en kontaktanordning enligt föreliggande uppfinning vid ett relä, och Figur 7 är en delvis sektionerad och sprängd vy av en anord- ning för att bilda en elektrisk kontakt med en halv- ledarskiva enligt en annan utföringsform av uppfin- ningen.DESCRIPTION OF THE DRAWINGS With reference to the accompanying drawings, the following is a specific description of embodiments of the invention given by way of example, in which: Figure 1 very schematically shows an electrical contact element according to an embodiment of the invention, Figure 2 shows the contact resistance in relation to traditional contact and one according to the invention, Figure 3 is a sectional view of an electrical contact element of the helical contact type according to another embodiment of the invention, Figure 4 very schematically shows a contact device according to the present invention at a separator, 10 15 20 25 528 908 7 very schematically shows a sliding contact device at a winding coupler of a transformer according to an embodiment of the invention, Figure 6 very schematically shows a contact device according to the present invention at a relay, and Figure 7 is a partially sectioned and exploded view of a device for forming an elec contact with a semiconductor wafer according to another embodiment of the invention.
DETALJERAD BESKRIVNING AV FÖREDRAGNA UTFÖRINGSFORMER AV UPPFINNINGEN Ett kontaktelement 1 som bildar elektrisk kontakt med ett kontaktorgan 2 för att möjliggöra att elektrisk ström flyter mellan nämnda kontaktelement och nämnda kontaktorgan visas mycket schematiskt i figur l. Kontaktelementet innefattar en kropp 3 som t ex kan vara av aluminium eller koppar och har åtminstone en av sina kontaktytor belagd med ett kontakt- skikt 4 för applicering mot nämnda kontaktorgan. Kontakt- skiktet 4 har typiskt en tjocklek på 0,05-10 pm, så den tjocklek som visas i figur l är för illustrationsändamàl överdriven i förhållande till andra dimensioner hos kontakt- elementet och kontaktorganet. 4 Kontaktskiktet 4 innefattar en nanokompositfilm som har en matris av amorft kol och kristalliter av nanostorlek, dvs med mått inom området 1-100 nm, hos åtminstone en däri in- bäddad metallkarbid. Detta ger kontaktskiktet de ovan angiv- na utmärkta egenskaperna. Metallen är företrädesvis en över- gångsmetall. Hybridiseringen av den amorfa kolmatrisen, dvs hur kolet är bundet till sig självt inom matrisen, känne- tecknas företrädesvis av ett högt förhàllande sp2/sp3, vil- ket gör matrisen mer grafitliknande än diamantliknande. En tredje komponent kan läggas till nanokompositen för att ändra dess egenskaper. Denna kan vara en annan metall för att förbättra egenskaperna hos metallkarbiden genom att 10 15 20 25 30 35 528 908 8 bilda en annan metallkarbid inbäddad i matrisen eller en an- nan metall som förändrar kompositegenskaperna genom att an- ordnas i en fas inbäddad i kol hos matrisen och åtskild i förhållande till matrisens kol. Beroende på appliceringen av kontaktelementet kan egenskaperna hos den totala kontakt- strukturen optimeras genom att: 1) ändra förhållandet mellan amorf kolmatris och metall- karbid med de ovan angivna resultaten 2) ändra kornstorleken hos metallkarbidkristalliterna för att ändra bulkresistiviteten hos kontaktskiktet, vil- ken i de flesta fall reduceras när kornstorleken ökas 3) ändra förhållandet sp2/sp3 hos den amorfa kolmatrisen med ovannämnda resultat 4) lägga till en andra karbidbildande eller icke-karbid- bildande metall, såsom Ag, med ovannämnda resultat Ett kontaktskikt som har följande fördelar kan sålunda er- hållas: a) låg kontaktresistans över ett brett område av kon- taktbelastningar (-krafter) b) hög slitstyrka c) låg friktion d) hög korrosionsbeständighet e) goda temperaturegenskaper f) stor potential till olika egenskaper genom avstämning såsom beskrivits ovan.DETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS OF THE INVENTION A contact element 1 which forms electrical contact with a contact member 2 to enable electric current to flow between said contact element and said contact means is shown very schematically in Figure 1. The contact element comprises a body 3 which may e.g. or copper and has at least one of its contact surfaces coated with a contact layer 4 for application to said contact means. The contact layer 4 typically has a thickness of 0.05-10 μm, so the thickness shown in Figure 1 is for illustrative purposes excessive in relation to other dimensions of the contact element and the contact member. The contact layer 4 comprises a nanocomposite film having a matrix of amorphous carbon and crystallites of nanosize, i.e. with dimensions in the range 1-100 nm, of at least one metal carbide embedded therein. This gives the contact layer the excellent properties stated above. The metal is preferably a transition metal. The hybridization of the amorphous carbon matrix, ie how the carbon is bound to itself within the matrix, is preferably characterized by a high sp2 / sp3 ratio, which makes the matrix more graphite-like than diamond-like. A third component can be added to the nanocomposite to change its properties. This may be another metal to improve the properties of the metal carbide by forming another metal carbide embedded in the matrix or another metal which changes the composite properties by being arranged in a phase embedded in carbon at the matrix and separated in relation to the carbon of the matrix. Depending on the application of the contact element, the properties of the total contact structure can be optimized by: 1) changing the ratio of amorphous carbon matrix to metal carbide with the above results 2) changing the grain size of the metal carbide crystallites to change the bulk resistivity of the contact layer, most cases are reduced as the grain size is increased 3) change the sp2 / sp3 ratio of the amorphous carbon matrix with the above results 4) add a second carbide-forming or non-carbide-forming metal, such as Ag, with the above-mentioned results A contact layer having the following advantages can thus obtained: a) low contact resistance over a wide range of contact loads (forces) b) high wear resistance c) low friction d) high corrosion resistance e) good temperature properties f) great potential for different properties by tuning as described above.
Fördelen a) illustreras i figur 2, där kontaktresistansen i förhållande till kontaktstyrkan visas för en traditionell kontakt som representeras av en förnicklad bricka enligt A och en nanokompositfilm av en amorf kolmatris med nanokris- tallin NbC inbäddad däri enligt B. Båda överdragen mättes gentemot Ag. Det framgår tydligt att kontaktskiktet i enlig- het med uppfinningen har en anmärkningsvärt reducerad kon- taktresistans över ett brett område av kontaktbelastningar i förhållande till den traditionella kontakten. Det är sär- 10 15 20 25 30 35 528 908 9 skilt intressant att kontaktresistansen är mycket lägre re- dan vid låga belastningar.The advantage a) is illustrated in Figure 2, where the contact resistance in relation to the contact strength is shown for a traditional contact represented by a nickel-plated washer according to A and a nanocomposite film of an amorphous carbon matrix with nanocrystalline NbC embedded therein according to B. Both coatings were measured against Ag. It is clear that the contact layer in accordance with the invention has a remarkably reduced contact resistance over a wide range of contact loads in relation to the traditional contact. It is particularly interesting that the contact resistance is much lower even at low loads.
Som exempel kan nämnas att möjliga nanokompositfilmer vid kontaktelement enligt uppfinningen kan vara tunnfilmer i na- nokomposit Ti-C med en sammansättning som varierar mellan 14 och 57 atomprocent Ti och en tjocklek på ca 0,2 pm. Dessa filmer har TiC-kristalliter inbäddade i en amorf kolbas.By way of example, possible nanocomposite films of contact elements according to the invention may be thin films in nanocomposite Ti-C with a composition varying between 14 and 57 atomic percent Ti and a thickness of about 0.2 μm. These films have TiC crystallites embedded in an amorphous carbon base.
Förhållandet mellan dessa två faser varierar mellan 45 och 95 atomprocent amorf C-C-fas. I en specifik utföringsform har nanokompositfilmen en tjocklek på 0,2 um och en total sammansättning på 53 atomprocent Ti och 47 atomprocent C.The ratio of these two phases varies between 45 and 95 atomic percent amorphous C-C phase. In a specific embodiment, the nanocomposite film has a thickness of 0.2 μm and a total composition of 53 atomic percent Ti and 47 atomic percent C.
Denna film har en amorf kolmatris (där ca 56 atomprocent av kolet är bundet) och TiC-kristalliter av kolet är bundet). Kristalliter är i genomsnitt 13 nm i diameter. (där ca 44 % Figur 3 illustrerar ett exempel på en kontaktanordning där det är fördelaktigt att belägga åtminstone en av kontakt- ytorna med kontaktskiktet enligt uppfinningen för att bilda en självsmörjande torr kontakt med mycket låg friktion.This film has an amorphous carbon matrix (where about 56 atomic percent of the carbon is bound) and TiC crystallites of the carbon are bound). Crystallites are on average 13 nm in diameter. (where about 44% Figure 3 illustrates an example of a contact device where it is advantageous to coat at least one of the contact surfaces with the contact layer according to the invention to form a self-lubricating dry contact with very low friction.
Denna utföringsform avser en spiralformad kontaktanordning som har ett kontaktelement 5 i form av en fjäderbelastad ringformig kropp, såsom en ring av en spirallindad tråd, an- ordnad att upprätta och upprätthålla en elektrisk kontakt med ett första kontaktorgan 6, såsom en innerhylsa eller ett stift, och ett andra kontaktorgan 7, såsom en ytterhylsa el- ler rör. Kontaktelementet 5 är i kontakttillstândet samman- pressat så att åtminstone en anliggningsyta 8 därav kommer att anligga fjäderbelastat mot anliggningsytan 9 hos det första kontaktorganet 6 och åtminstone en annan anliggnings- yta l0 hos det första kontaktelementet 5 kommer att anligga fjäderbelastat mot åtminstone en anliggningsyta ll hos det andra kontaktorganet 7. Enligt denna utföringsform av upp- finningen är åtminstone en av anliggningsytorna 8-ll helt eller delvis belagd med ett kontaktskikt som innefattar en nanokompositfilm enligt uppfinningen. En sådan spiralformad kontaktanordning används t ex vid en elektrisk brytare i ett ställverk. lO 15 20 25 30 35 528 9øs 10 Figur 4 illustrerar mycket schematiskt hur en elektrisk kon- taktanordning enligt uppfinningen kan anordnas vid en från- skiljare 12 med en lågfriktionsfilm 13 i form av en nanokom- positfilm som har en matris av amorft kol och nanokristalli- ter av en däri inbäddad metallkarbid på åtminstone en av an- liggningsytorna hos två kontaktelement 14, 15 som är rörliga i förhållande till varandra för att upprätta elektrisk kon- _takt däremellen och för att erhålla en synlig frànskiljning av kontaktelement.This embodiment relates to a helical contact device having a contact element 5 in the form of a spring-loaded annular body, such as a ring of a helically wound wire, arranged to establish and maintain an electrical contact with a first contact member 6, such as an inner sleeve or a pin, and a second contact member 7, such as an outer sleeve or tube. The contact element 5 is compressed in the contact state so that at least one abutment surface 8 thereof will abut spring-loaded against the abutment surface 9 of the first contact member 6 and at least one other abutment surface 10 of the first contact element 5 will abut spring-loaded against at least one abutment surface. the second contact member 7. According to this embodiment of the invention, at least one of the contact surfaces 8-11 is completely or partially coated with a contact layer comprising a nanocomposite film according to the invention. Such a helical contact device is used, for example, with an electrical switch in a switchgear. Figure 4 illustrates very schematically how an electrical contact device according to the invention can be arranged at a separator 12 with a low-friction film 13 in the form of a nanocomposite film having an array of amorphous carbon and nanocrystalline of a metal carbide embedded therein on at least one of the abutment surfaces of two contact elements 14, 15 which are movable relative to each other to establish electrical contact therebetween and to obtain a visible separation of contact elements.
Figur 5 illustrerar schematiskt en elektrisk glidkontaktan- ordning enligt en annan utföringsform av uppfinningen, där kontaktelementet 16 är en rörlig del av en lindningskopplare 17 hos en transformator anordnad att glida i elektrisk kon- takt längs kontakter 18 till transformatorns sekundärlind- ning, och följaktligen bildar kontaktorganet, för uttag av spänning av önskad nivå fràn nämnda transformator. En làg- friktionsfilm 19 innefattande en amorf kolmatris med nano- kristalliter av en metallkarbid är anordnad på anliggnings- ytan hos kontaktelementet 16 och/eller kontaktorganet 18.Figure 5 schematically illustrates an electrical sliding contact device according to another embodiment of the invention, where the contact element 16 is a movable part of a winding coupler 17 of a transformer arranged to slide in electrical contact along contacts 18 to the secondary winding of the transformer, and consequently forms the contact means, for withdrawing voltage of the desired level from said transformer. A low friction film 19 comprising an amorphous carbon matrix with nanocrystallites of a metal carbide is arranged on the abutment surface of the contact element 16 and / or the contact member 18.
Kontaktelementet 16 kan på så sätt lätt förflyttas längs med lindningen under upprätthållande av en làgresistanskontakt med denna.The contact element 16 can thus be easily moved along the winding while maintaining a low resistance contact therewith.
Figur 6 illustrerar slutligen mycket schematiskt en kontakt- anordning enligt en annan utföringsform av uppfinningen som används vid ett relä 20, och en av eller båda anliggnings- ytorna hos motstàende kontaktelement 21, en làgfriktionsfilm 23 enligt uppfinningen, vilket resulte- 22 kan förses med rar i mindre förslitning av anliggningsytan och gör dem kor- rosionsbeständiga till följd av arten av nämnda kontakt- skiktmaterial.Finally, Figure 6 very schematically illustrates a contact device according to another embodiment of the invention used in a relay 20, and one or both abutment surfaces of opposing contact elements 21, a low friction film 23 according to the invention, which may result in in minor wear of the contact surface and makes them corrosion resistant due to the nature of said contact layer material.
En anordning för att bilda god elektrisk kontakt med en halvledarkomponent 24 illustreras i figur 7, men de olika organen som är anordnade i en stapel and sammanpressade med högt tryckt, företrädesvis överstigande l MPa och typiskt 6- 8 MPa, visas för tydlighets skull med ett avstånd till var- andra. Varje halva av stapeln innefattar en polsko 25 i form 10 15 20 25 528 908 ll av en kopparplatta för att göra förbindelse med halvledar- komponenten. Varje polsko är försedd med en tunn nanokompo- sitfilm 26. Värmeutvidgningskoefficienten hos halvledarmate- SiC eller diamant, hos halvledarkomponenten och hos kopparn skiljer sig mycket (2,2 x 106/K för Si och 16 x 10*/K för Cu), vilket innebär att kopparplattorna 25 och halvledarkomponenten 24 kommer att förflytta sig i sid- rialet, t ex Si, led med avseende på varandra när temperaturen hos dessa änd- ras. Den låga friktionen hos en film enligt föreliggande uppfinning gör det möjligt att utelämna ytterligare organ i nämnda stapel mellan polskon och halvledarkomponenten för att ta itu med tendensen till ömsesidiga rörelser vid ter- misk cykling för att undvika sprickor i halvledarkomponenten och/eller förslitning av kontaktytan hos nämnda komponent.An apparatus for forming good electrical contact with a semiconductor device 24 is illustrated in Figure 7, but the various means arranged in a stack and compressed at high pressure, preferably in excess of 1 MPa and typically 6-8 MPa, are shown for clarity with a distance to each other. Each half of the stack comprises a pole piece 25 in the form of a copper plate for connecting to the semiconductor device. Each pole piece is provided with a thin nanocomposite film 26. The coefficient of thermal expansion of the semiconductor material SiC or diamond, of the semiconductor component and of the copper is very different (2.2 x 106 / K for Si and 16 x 10 * / K for Cu), which means that the copper plates 25 and the semiconductor component 24 will move in the side material, eg Si, joint with respect to each other when the temperature of these changes. The low friction of a film according to the present invention makes it possible to omit additional means in said stack between the pole piece and the semiconductor component to address the tendency of mutual movements in thermal cycling to avoid cracks in the semiconductor component and / or wear of the contact surface of said component.
Ett kontaktelement och en elektrisk glidkontaktanordning en- ligt föreliggande uppfinning kan finna många andra före- dragna tillämpningar, och sådana tillämpningar torde vara uppenbara för en fackman utan att göra avsteg från grundidén i uppfinningen såsom den anges i bifogade patentkrav.A contact element and an electrical sliding contact device according to the present invention can find many other preferred applications, and such applications will be apparent to a person skilled in the art without departing from the basic idea of the invention as set out in the appended claims.
Det skall också påpekas att andra övergångsmetaller än de ovan nämnda kan vara lämpliga för att bilda nämnda karbid- kristaller av nanostorlek för att uppfylla olika krav som ställs på kontaktskiktet i olika tillämpningar.It should also be pointed out that transition metals other than those mentioned above may be suitable for forming said nanosize carbide crystals to meet different requirements imposed on the contact layer in different applications.
Claims (23)
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE0501667A SE528908C2 (en) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | Electric contact element for semiconductor device, has body with contact surface coated with contact layer having nanocomposite film with matrix of amorphous carbon, where metal carbide is embedded into contact layer |
| EP06769579.1A EP1934995B1 (en) | 2005-07-15 | 2006-06-22 | A contact element and a contact arrangement |
| KR1020087003661A KR101047829B1 (en) | 2005-07-15 | 2006-06-22 | Contact elements and contact devices |
| JP2008521352A JP4938774B2 (en) | 2005-07-15 | 2006-06-22 | Contact element and contact device |
| US11/988,793 US7709759B2 (en) | 2005-07-15 | 2006-06-22 | Contact element and a contact arrangement |
| CN2006800257495A CN101223616B (en) | 2005-07-15 | 2006-06-22 | A contact element and a contact arrangement |
| ES06769579.1T ES2476841T3 (en) | 2005-07-15 | 2006-06-22 | A contact element and a contact set |
| PCT/SE2006/000769 WO2007011276A1 (en) | 2005-07-15 | 2006-06-22 | A contact element and a contact arrangement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE0501667A SE528908C2 (en) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | Electric contact element for semiconductor device, has body with contact surface coated with contact layer having nanocomposite film with matrix of amorphous carbon, where metal carbide is embedded into contact layer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE0501667L SE0501667L (en) | 2007-01-16 |
| SE528908C2 true SE528908C2 (en) | 2007-03-13 |
Family
ID=37728135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE0501667A SE528908C2 (en) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | Electric contact element for semiconductor device, has body with contact surface coated with contact layer having nanocomposite film with matrix of amorphous carbon, where metal carbide is embedded into contact layer |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4938774B2 (en) |
| CN (1) | CN101223616B (en) |
| ES (1) | ES2476841T3 (en) |
| SE (1) | SE528908C2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5306242B2 (en) * | 2010-01-12 | 2013-10-02 | 株式会社東芝 | Gas insulated switchgear |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1047867C (en) * | 1996-01-29 | 1999-12-29 | 董元源 | Electric copper-based silverless contact composite material with high flow welding resistance |
| JP3826453B2 (en) * | 1996-09-10 | 2006-09-27 | 住友電気工業株式会社 | Hard carbon film |
| JP3598195B2 (en) * | 1997-03-07 | 2004-12-08 | 芝府エンジニアリング株式会社 | Contact material |
| DE19903619C1 (en) * | 1999-01-29 | 2000-06-08 | Louis Renner Gmbh | Powder metallurgical composite material, especially for high voltage vacuum switch contacts, comprises refractory solid solution or intermetallic phase grains embedded in a metal matrix |
| SE9904350D0 (en) * | 1999-11-30 | 1999-11-30 | Abb Ab | A contact element and a contact arrangement |
| DE10104611A1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Bosch Gmbh Robert | Device for the ceramic-like coating of a substrate |
| JP2003231203A (en) * | 2001-08-21 | 2003-08-19 | Toshiba Corp | Carbon film coated member |
| DE10261303B3 (en) * | 2002-12-27 | 2004-06-24 | Wieland-Werke Ag | Electrically conducting composite material used in automotive applications as electrical contact components, such as connectors or connections, comprises a metal strip and a contact layer containing carbon powder and a further additive |
-
2005
- 2005-07-15 SE SE0501667A patent/SE528908C2/en unknown
-
2006
- 2006-06-22 ES ES06769579.1T patent/ES2476841T3/en active Active
- 2006-06-22 CN CN2006800257495A patent/CN101223616B/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-22 JP JP2008521352A patent/JP4938774B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101223616A (en) | 2008-07-16 |
| ES2476841T3 (en) | 2014-07-15 |
| JP2009501420A (en) | 2009-01-15 |
| JP4938774B2 (en) | 2012-05-23 |
| CN101223616B (en) | 2010-10-13 |
| SE0501667L (en) | 2007-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101047829B1 (en) | Contact elements and contact devices | |
| EP1685626B1 (en) | COATINGS OF M(n+1)AX(n) MATERIAL FOR ELECTRICAL CONTACT ELEMENTS | |
| US8487201B2 (en) | Contact element and a contact arrangement | |
| EP1369504A1 (en) | Metal strip for the manufacture of components for electrical connectors | |
| EP1566814B1 (en) | Electric contact member | |
| US6838627B1 (en) | Contact element and a contact arrangement | |
| JP2004032963A (en) | Brush and rotating machine having the same | |
| SE528908C2 (en) | Electric contact element for semiconductor device, has body with contact surface coated with contact layer having nanocomposite film with matrix of amorphous carbon, where metal carbide is embedded into contact layer | |
| WO2004092602A1 (en) | Sliding member | |
| US11167474B2 (en) | Structures formed from high technology conductive phase materials | |
| Isberg et al. | Coatings of Mn+ 1Axn material for electrical contact elements | |
| SE1100035A1 (en) | Electrical contact element | |
| Hombo et al. | Electrical and Tribological Characteristics of Copper Containing Diamond-like Carbon Nanocomposite Coating on Brass Substrate Sliding against Brass | |
| ES2607792T3 (en) | Contact element and contact arrangement | |
| JPH03282023A (en) | Electrode for electrical viscous fluid |