SE458572B - Flerstationsmottagare - Google Patents

Description

458 572 Uppfinningen skall nu beskrivas med hänsyftning till vidhängande ritningar.

Pig. 1 visar ett kretsschema över en förstärkningsstyrande krets i ett första utföringsexempel.

Pig. 2 visar ett kretsschema över ett annat utföringsexempel.

Enligt fig. 1 är kollektorn d till tvåstyreskomponenten TR anslu- ten över ett motstånd R1 till en spänningskälla +V. Emittern s är via ett motstånd R2 ansluten till jord. Storleken av motståndet R2 anpassas till transistorn då man bestämmer kretsens egenska- per, om motstândet R2 avkopplas till jord på signalfrekvensen ge- nom kondensatorn C2. Ingångssignalen VI går in på signalstyret g1 via en kondensator C1, och styrelektroden är lagd på en bestämd spänning medelst motståndet R3 anslutet till spänningen +V och ett annat motstånd R4 anslutet till jord. Utsignalen Vo fås från kollektorn d via kondensatorn C3. Styret g2 är anslutet till ut- gången av en operationsförstärkare A som verkar som differential- förstärkare och bildar uppfinningens styrmedel. Styrspänningen Vc ansluts till förstärkarens icke-inverterande ingång, medan den inverterande ingången anslutits till emittern s. Ett par ze- nerdioder D1 och D2 finns insatta mellan förstärkarens A utgång och jordpotentialen.

Som synes bestäms den nominella spänningen på signalstyret g1 av den spänningsdelande kretsen bildad av motstånden R3 och R4.

Insignalen varierar sedan omkring detta nominella värde. Förstär- karen A fungerar som en styrd återkopplingsanordning så'att ut-- loppsströmmen tvingas följa med styrspänningen Vc. Detta resulte- rar i ett temperaturoberoende förhållande mellan styrspänningen Vc och transistorns transkonduktans relativt styret gl. Man fin- ner att det existerar ett linjärt temperaturoberoende förhållan- de mellan styrspänningen VC och relativ förstärkning (i dB) över ett brett intervall i förstärkning och temperatur. Exempelvis gäller för en styrkrets av den typ som visas i fig. 1 med en Mul- lard BFS 28 transistor att den håller sig linjär och stabil över ett 30 dB förstärkningsområde och temparaturomrâde från minst -4o°c till +9o°c. 458 572 Förstärkaren A kan vara utrustad med en egen återkoppling.t.ex. som en integrator. Man kan också ha med kretsar som formar frek- venssvaret i styrslingan, var som helst i slingan mellan emit- tern s och styrelektroden g2. Det kan också finnas filtrerande nät som hindrar signaler från insignalsfrekvensen från att gå in i styrkretsen.

Man kan ibland behöva medel som hindrar att transistorn går sön- der, om förstärkarens utspänning skulle bli för hög. Därvid kan t.ex. användas ett par zenerdioder D1 och D2, inkopplade mellan förstärkarens utgång och jorden.

Fig. 2 visar ett annat utföringsexempel av uppfinningen som använ- der en annan styrkrets. Enligt fig. 2 är kollektorn d ansluten till en spänningskälla +V över ett motstånd R1 såsom i tidigare version. Emittern s är via ett motstånd R2 som anpassats till tran- sistorn ansluten över en spänningsstyrd strömkälla VC till en spän- ningskälla -V. Strömkällan fungerar så att den avger en ström i proportion till den påtryckta styrspänningen Vc. Styrningsstyret g2 är kopplad till jord, medan signalstyret gl är via en konstant strömkälla CS kopplad till matningen +v. Dessutom är styret g1 via ett motstånd R3 kopplad mellan motståndet R2 och den spänningsstyr- da strömkällan VC. Insignalen VI kopplas via en kondensator C1 till styret g1, medan utspänningen Vo fås från kollektorn d via kondensatorn C3. Emittern s måste avkopplas för frekvensen hos insignalen V till jord medelst kondensatorn C2.

I Styrspänningen Vc utgör styrsignal till den variabla strömkällan VC.

Då anordningen är i funktion, flyter en konstant ström från käl- lan CS genom motståndet R3, varför en konstant spänning uppstår mellan styrelektroden g1 och nedre änden av motståndet R2 enligt fig. 2. Eftersom styrspänningen Vc bestämmer strömmen från käl- lan VC och en del av denna ström kommer från källan CS över mot- ståndet R3, kommer utloppsströmmen från transistorn TR att varie- ra enligt styrspänningen Vc, och en fixerad spänningsskillnad uppstår över motståndet R3. Liksom tidigare erhåller man därvid 458 572 det önskade temperaturoberoende förhållandet mellan anordningens transkonduktans och styrspänningen VC. (_ Styrspänningen Vc kan modifieras av en amplitudformarkrets in- nan den får gå in på strömkällan VC, ifall den kurvform som för- binder styrspänningen vc och förstärkningen (i dB) måste ändras.

Kurvan påverkas även av storleken hos motståndet R2 och potenti- alskillnaden mellan signalstyret och nedre änden av motståndet R2 enligt ritningarna.

Kretsen i fig. 2 kan svara på ändringar i styrspänningen Vc be- tydligt snabbare än kretsen i fig. 1, då operationsförstärkaren och återkopplingsslingan ej längre behövs. A andra sidan är kret- sen i fig. 1 enklare att tillgripa, om responshastigheten ej är av så stor betydelse, roende strömkällor. eftersom man här inte kräver temperaturobe- De bägge strömkällorna i utföringsexemplen enligt fig. 2 har ej beskrivits närmare, då sådana kretsar redan är välkända.

Kretsar av denna typ kan fungera över ett stort frekvensomràde, vars nedre ände bestäms av kondensatorernas storlek och övre än- de av transistoregenskaperna. Belastningsmotståndet R1 kan i det allmänna fallet vara en komplex impedans med galvanisk förbindel- se av lämpligt låg resistans, t.ex. en transformator.

Claims (3)

458 572 Patentkrav

1. Temperaturoberoende förstärkningsstyrkrets innefattande en med två Styren, en emitter och en kollektor försedd MOSFET- krets (TR), en signalingång kopplad till MOSFET-kretsens ena styre (gi) och ett motstånd (R2), kopplat med sin ena ände till MOSFET-kretsens emitter så att däröver i drift utvecklas en mot MOSFET-kretsens kollektorström proportionell spänning, k ä n - n e t e c k n a d av ett styrmedel (A) anordnat att i propor- tion till en styrspänning (Vc) variera MOSFET-kretsens kollek- torström genom anordnande av en förspänning mellan det andra styret (g2) och motstândets andra ände.

2. Styrkrets enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av att styrmedlet innefattar en differentialförstärkare (A) vars utgång är ansluten till MOSFETens andra styre och där ingångarna mottar spänningen över motståndet respektive styrspänningen.

3. Styrkrets enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d av att styrmedlet innefattar en spänningsstyrd strömkälla (VC) insatt mellan motståndets bortre ände och en matningsspänning (Vc), an- ordnad att avge ström i proportion till denna spänning.