SE443477B - Med ljus tendbar tyristor bestaende av huvud- och en for tendforsterkning integrerad hjelptyristor - Google Patents
Med ljus tendbar tyristor bestaende av huvud- och en for tendforsterkning integrerad hjelptyristorInfo
- Publication number
- SE443477B SE443477B SE7909252A SE7909252A SE443477B SE 443477 B SE443477 B SE 443477B SE 7909252 A SE7909252 A SE 7909252A SE 7909252 A SE7909252 A SE 7909252A SE 443477 B SE443477 B SE 443477B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- zone
- cathode
- thyristor
- main
- base
- Prior art date
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
7909252-4 Vid dessa, tidigare kända, med ljus tändbara tyristorer utförs hjälptyristorns tändkänsliqhet, vid förutbestämd dU/dt-hållfast- het, så hög som möjligt, vilket leder till en relativt liten katodzon. Utan särskilda åtgärder inställer sig därvid ett högt tändförhållande Z. Därvid betecknas såsom tändförhâllandet för- hållandet: Z = för tändning av huvudtyristorn erforderlig minimiström för tändning av hjälptyristorn erforderlig minimiström.
Detta förhållande ligger vid med ljus tändbara tyristorer med hög ljuskänslighet väsentligen mellan 30 och 100. För tändning av huvudtyristorn måste därför en relativt stark ström avges av hjälptyristorn, vilket vid högt di/dt kan leda till förstöring av hjälptyristorn.
Det är därför ett ändamål med föreliggande uppfinning att vidare- utveckla en med ljus tändbar tyristor med hög ljuskänsliqhet av det inledningsvis beskrivna slaget, så att ingen förstöring av hjälptyristorn uppkommer vid hård belastning, dvs, vid högt di/dt.
Detta ändamål uppnås enligt uppfinningen genom bestämningarna i patentkravets l kännetecknande del. Särskilt fördelaktiga utförings- former av dessa bestämningar anges i underkraven.
Uppfinningen baseras alltså på insikten att hjälptyristorn, genom ett tillräckligt lågt tändförhâllande, kan avlastas. Emedan hjälp- tyristorns tändkänslighet skall bibehållas för att man skall kunna hålla den för tändningen erforderliga ljusstyrkan så liten som möjligt, måste huvudtyristorns tändkänslighet likaledes ökas.
Detta sker genom en särskild anordning av anodsidans baszon på katodsidans yta. Den uppdragna PN-övergången alstrar till följd av rymdladdningszonen, som redan vid små blockerinqsspänningar sträcker sig till katodsidans yta, en effektiv isolationszon.
Denna hindrar då nå dessa ställen ett strömflöde mellan hjälp- och huvudtyristor, så att den från hjälptyristorn avgivna styr- strömmen endast flyter där ingen spärrande övergång finns mellan huvudtyristorns styrezon och katodzon. Längden av den för huvud- tyristorns tändning verksamma, vid styresidan belägna katodzon- kanten reduceras alltså. Styreströmtätheten, som når till denna katodzonskant, har däremot blivit större så att huvudtyristorns POFH'KQU¥'?:¥ITY v' 7909252-4 tändkänslighet ökar.
Ytterligare detaljer och fördelar hos uppfinningen framgår av följande, i anslutning till figurerna beskrivna utföringsexem- pel.
Fig. 1 visar en bild uppifrån av en del av katodsidans yta hos en tyristor enligt uppfinningen, och fig. 2 en schematisk sek- tion av denna tyristor längs snittlinjen II-II.
I fig. l och 2 betyder 1 katodzonen, 2 katodsidans baszon, 3 anodsidans baszon och 4 anodäonen. Katodmetalliseringen 5 och styrezonens 7 metallisering 6 har i fig. l utelämnats för tydlig- hetens skull.
Såsom framgår av fig. 2, förs baszonen 3 via smala kanaler 8, 9 upp till katodsidans yta, så att den mellan baszonerna bildade PN-övergången l0 likaledes gränsar till ytan. Redan vid relativt låga framspänningar bildas kring PN-övergången 10 en rymdladd- ningszon. Om denna rymdladdningszon besträlas med ljus, alstras laddningsbärare, vilka i det, i rymdladdningszonen bestående elektriska fältet omedelbart avskiljs (för det principiella verkningssättet av den med ljus tändbara tyristorn jfr. den in- ledningsvis angivna, DE-OS 24 08 079).
En tändström utbildas, som påverkar hjälptyristorns katodzon ll till injektion och tänder denna deltyristor, bestående av zoner- na ll, 2, 3 och 4. Hjälptyristorn avger då styreströmmen för huvudtyristorn, och närmare bestämt når denna styreström från katodzonen ll över metalliseringen 6 till styrezonen 7 och däri- från till katodzonkanterna 12 och 13 (fig. 1).
Bredden D av de uppdragna kanalerna 8 och 9 måste vara så stor att under hela tändförloppet åtminstone en smal rymdladdnings- zon förblir bestående kring Övergångarna l0 (vanligtvis gäller: 0^ nåeliga blockeringsspänninqen (jfr även G.M.Sze, G.Gibbons, "Effect of junction curvature on breakdown voltages in semiconduc- tors", Solid State Electronics 9, sid. 831, (1966)), bör kanal- bredden D icke göras alltför stor. Vidare måste för kröknings- janßiåooiiftofiiáiïwr 7909252-4 radien R (fig. 1) qälla Rå> D.
Såsom framgår av fig. l och 2, kan baszonen 3 även vara förbunden med katodsidans yta via fler än två kanaler. Även användning av endast en kanal är möjlig. 90012; QUALITY 7909252-4 BETECKNINGSLISTA l = Katodzon 2 = Katodsidans bas zon 3 = Anodsidans bas zon 4 = Anodzon 5 = Katodmetalliserinq 6 = Metallisering av styrezonen 7 7 = Styrezon 8, 9 = Smala kanaler, via vilka anodsidans baszon når till katodsidans yta 10 = PN-övergång ll = Hjälptyristorns katodzon 12 , l3= Katødzonkanter ÉOQRÉQUALITY
Claims (3)
1. Med ljus tändbar tyristor, bestående av en huvud- och en för tändför~ stärkning integrerad hjälptyristor, och vid vilken anodsídans baszon i en smal kanal når till katodsidans yta, så att den genom denna baszon och katodsidans baszon bildade PN-övergången likaledes gränsar direkt till katodsidans yta, samt vid vilken hjäiptyristorns katodzon är omgiven av en styrezon och står i kontakt med denna, k ä n n e t e c k n a d av att de genom anodsídans baszon (2) bildade ytområdena (8,9) på katodsidan befinner sig mellan huvud- tyristorns styrezon (7) och katodzon (1) samt att bredden D av dessa ytområden (8,9) är mindre än eller lika med 200 fm.
2. Tyristor enligt krav l, k ä n n e t e c k n a d av att Förhållandet % » 1, där R betyder de genom anodsídans baszon (2) bildade ytområdenas (8,9) medelavstånd från centrum av den ringformiga styrezonen (7) (fig. 1).
3. Tyristor enligt krav 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a d av att katodsidans yta uppvisar åtminstone två genom anodsídans baszon (2) bildade områden (3,9). e afííëuš: QUALITY -
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH1172578A CH634442A5 (de) | 1978-11-15 | 1978-11-15 | Lichtzuendbarer thyristor. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE7909252L SE7909252L (sv) | 1980-05-16 |
| SE443477B true SE443477B (sv) | 1986-02-24 |
Family
ID=4376295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE7909252A SE443477B (sv) | 1978-11-15 | 1979-11-08 | Med ljus tendbar tyristor bestaende av huvud- och en for tendforsterkning integrerad hjelptyristor |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4343014A (sv) |
| JP (1) | JPS5568673A (sv) |
| CH (1) | CH634442A5 (sv) |
| DE (1) | DE2851303A1 (sv) |
| GB (1) | GB2035691B (sv) |
| SE (1) | SE443477B (sv) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3044341C2 (de) * | 1980-11-25 | 1984-10-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Fototransistor |
| DE3226624A1 (de) * | 1982-07-16 | 1984-01-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Lichtzuendbarer thyristor mit geringem lichtleistungsbedarf und hoher kritischer spannungsanstiegsgeschwindigkeit |
| DE3226613A1 (de) * | 1982-07-16 | 1984-01-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Lichtzuendbarer thyristor mit geringem lichtleistungsbedarf |
| US5994162A (en) * | 1998-02-05 | 1999-11-30 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit-compatible photo detector device and fabrication process |
| US7582917B2 (en) * | 2006-03-10 | 2009-09-01 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Monolithically integrated light-activated thyristor and method |
| DE102007041124B4 (de) * | 2007-08-30 | 2009-06-04 | Infineon Technologies Ag | Thyristor mit verbessertem Einschaltverhalten, Thyristoranordnung mit einem Thyristor, Verfahren zur Herstellung eines Thyristors und einer Thyristoranordnung |
| CN102227005B (zh) * | 2011-06-10 | 2012-07-04 | 中国科学院半导体研究所 | 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 |
| CN103367519A (zh) * | 2013-07-05 | 2013-10-23 | 中国科学院半导体研究所 | 一种响应度可调的硅光电探测器及其制作方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3832732A (en) * | 1973-01-11 | 1974-08-27 | Westinghouse Electric Corp | Light-activated lateral thyristor and ac switch |
| CH567803A5 (sv) * | 1974-01-18 | 1975-10-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| CH594988A5 (sv) * | 1976-06-02 | 1978-01-31 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| CH614811A5 (en) * | 1977-04-15 | 1979-12-14 | Bbc Brown Boveri & Cie | Thyristor |
| SU793421A3 (ru) * | 1976-06-02 | 1980-12-30 | Ббц Аг Браун | Фототиристор |
| DE2739187C2 (de) * | 1977-08-31 | 1981-10-29 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Steuerbarer Halbleitergleichrichter mit einer Mehrzahl von Schichten unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps |
-
1978
- 1978-11-15 CH CH1172578A patent/CH634442A5/de not_active IP Right Cessation
- 1978-11-27 DE DE19782851303 patent/DE2851303A1/de active Granted
-
1979
- 1979-11-08 SE SE7909252A patent/SE443477B/sv not_active IP Right Cessation
- 1979-11-09 JP JP14452479A patent/JPS5568673A/ja active Granted
- 1979-11-09 GB GB7938906A patent/GB2035691B/en not_active Expired
-
1981
- 1981-03-12 US US06/243,146 patent/US4343014A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2851303C2 (sv) | 1988-06-09 |
| GB2035691B (en) | 1983-02-09 |
| US4343014A (en) | 1982-08-03 |
| CH634442A5 (de) | 1983-01-31 |
| DE2851303A1 (de) | 1980-06-12 |
| JPH0116022B2 (sv) | 1989-03-22 |
| GB2035691A (en) | 1980-06-18 |
| SE7909252L (sv) | 1980-05-16 |
| JPS5568673A (en) | 1980-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102008045410B4 (de) | Halbleitervorrichtung mit IGBT mit eingebauter Diode und Halbleitervorrichtung mit DMOS mit eingebauter Diode | |
| US5557128A (en) | Insulated-gate type bipolar transistor | |
| US8080853B2 (en) | Semiconductor device including insulated gate bipolar transistor and diode | |
| US4158206A (en) | Semiconductor device | |
| EP0014098B1 (en) | Gate turn-off thyristor | |
| JPS5599774A (en) | Electrostatic induction type thyristor | |
| SE443477B (sv) | Med ljus tendbar tyristor bestaende av huvud- och en for tendforsterkning integrerad hjelptyristor | |
| US5747841A (en) | Circuit arrangement, and junction field effect transistor suitable for use in such a circuit arrangement | |
| US4613766A (en) | Thyristor having controllable emitter short circuits | |
| US4261001A (en) | Partially isolated amplifying gate thyristor with controllable dv/dt compensation, high di/dt capability, and high sensitivity | |
| US5729031A (en) | High breakdown voltage semiconductor device | |
| EP0066850A2 (en) | Semiconductor switching device | |
| SE431381B (sv) | Tvapoligt overstromsskydd | |
| EP0100136B1 (en) | Thyristor with a self-protection function for breakover turn-on-failure | |
| SE445281B (sv) | Anordning for att skydda ett halvledarorgan fran elektriska pakenningsskador till foljd av falska hogspenningstransienter | |
| CA1145059A (en) | Light-firable thyristor | |
| US6664591B2 (en) | Insulated gate semiconductor device | |
| CA1164105A (en) | Semiconductor component | |
| JPH0113233B2 (sv) | ||
| JPH0193169A (ja) | 電力用半導体素子 | |
| US4884114A (en) | Disconnectable thyristor | |
| GB1562046A (en) | Semiconductor thyristor device | |
| JP4443884B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS631757B2 (sv) | ||
| JP2007258591A (ja) | 電流抑制層付き静電誘導サイリスタ、電流抑制層付き静電誘導サイリスタの保護回路及びパルス発生回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 7909252-4 Effective date: 19920604 Format of ref document f/p: F |