SE432168B - Forsterkarkoppling - Google Patents
ForsterkarkopplingInfo
- Publication number
- SE432168B SE432168B SE8205967A SE8205967A SE432168B SE 432168 B SE432168 B SE 432168B SE 8205967 A SE8205967 A SE 8205967A SE 8205967 A SE8205967 A SE 8205967A SE 432168 B SE432168 B SE 432168B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- field effect
- emitter
- effect transistor
- Prior art date
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
- H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/185—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/1855—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/301—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in MOSFET amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/306—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in junction-FET amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/50—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
- H03F3/505—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
- H04M1/60—Substation equipment, e.g. for use by subscribers including speech amplifiers
- H04M1/6008—Substation equipment, e.g. for use by subscribers including speech amplifiers in the transmitter circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/01—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets
- H04R19/016—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets for microphones
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
lU 15 20 25 8.1205J967-6 dock den egenskapen att den ej behöver så hög spänning vid låga temperaturer på grund av att tröskelspänningen har en positiv temperaturkoefficient.
Enligt uppfinningen kan detta förhållande utnyttjas för att vid en förstärkar- koppling med ett ingångssteg med minst en fälteffekttransistor direktkopplad till ett bipolärt förstärkarsteg optimalt utnyttja tillgänglig matningsspänning.
Uppfinningens kännetecken framgår av bifogade patentkrav.
F IGURBESKRIVNING Uppfinningen skall beskrivas närmare i anslutning till bifogade figur som visar ett principschema för en elektretmikrofonförstärkare.
FÜREDRAGEN UTFÖRINGSFORM I figur 1 betecknar 11 en integrerad förstärkare med endast tre yttre anslut- ningar nämligen l2 som är gemensam signalutgång' och positiv spännings- matning, 13 som är gemensam punkt för förstärkarens in- och utgång (jord) samt negativ spänningsmatning samt signalingången 14. En elektretmikrofon M är ansluten mellan sígnalingången 14 och jord 13. Den integrerade kretsen är uppbyggd på konventionellt sätt med p-substrat och ett epitaktískt n-skikt i vilket transistorer och andra element utförts i diffusionsteknik.
Förstänkarens íngångssteg består av en fälteffekttransistor G12 av P-kanaltyp vars styre âr anslutet till ingången 14. Fâlteffekttransistorn G12 strömmatas av en strömspegelkoppling innefattande transistorerna-Gl och G2 och fälteffekt- transistorn G3. Fälteffekttransistorn G3 som är identiskt lik fälteffekttran- sistorn G12 är kopplad som en konstantströmgenerator som matar den diod- kopplade transistorn G1. Strömmen iG1 "speglas" till den identiskt lika tran- sistorn G2 som driver samma ström genom fälteffekttransistorn G12. Tran- sistorn G2 skall arbeta linjärt.
Kollektorn i fälteffekttransistorn G12 är direktkopplad till basen i emitter- följarsteget G13 vars kollektor strömmatas av fälteffekttransistorn G14.
Kollektorn i transistorn G13 är direktkopplad till basen iNPN-transistorn G15 vars emitter-kollektorkrets är direktkopplad till matningsledningarna 12, 13. 10 15 2D 25 30 8205967-6 Transistorerna G13 och Glla kan tillsammans betraktas som ett emitterföljar- steg med hög strömförstärkning.
Styret pà fälteffekttransistorn G12 är via en mycket högohmig resistans, ansluten till utgången 15 fran en referensspänningskälla 16 av bandgaps- referenstyp. Bandgapsreferensen 16 består av transistorerna G4, G5, G6 G7 och G8 som pa känt sätt är anordnade i en strömspegelkoppling. Transístor- erna G7 och G8 är av olika storlek och har därför olika strömtäthet för samma ström. G7 är i exemplet den transistor som tar' störst yta. Transistor- erna G4, G5 och G6 harsamma storlek och de för genom strömspeglingen samma ström. Genom den lägre strömtätheten i transistorn G7 kommer denna att ha lägre bas-emitterspänningsfall. Skillnaden i bas-emitterspänningsfall mellan transistorerna G7 och G8 erhålls över resistansen R3 i ernitterkretsen.
Bandgapsreferensens referensström ger upphov till en lika stor ström genom transistorn G6 vars kollektor är ansluten till jord över resistanserna R5 och Rä.
Spänningsfallet över dessa resistanser tas ut som referensspänning i punkten 15 och utgör förspänning till fälteffekttransistorn G12 i förstärkarens ingångssteg.
Da spänningsmatningen kopplas in till bandgapsreferensen 16 flyter ingen ström till någon av transistorerna G7 och G8 varför den ej kan starta. För att möjliggöra start är transistorn G9 inkopplad parallellt med transistorn G7 och resistansen R). Basen i transistorn G9 är ansluten till kollektorn i tran- sistorn 'G11 I inkopplingsögonblicket har transistorn G13 momentant bas- spänningen 0 och är kraftigt ledande. Basen i transistorn G15 blir positiv och transistorn G9 blir ledande. Transistorn G4 blir ledande och ström börjar flyta i bandgapsreferenskopplingen 16. Spänningsfallet över RI: stryper G9.
Såsom nämnts inledningsvis kommer emittern pa fälteffekttransistorn G12 att fa en spänning som med ett bas-emitterspänningsfall understiger matnings- spänningen på matningsledningen 12. Samma spänning har också styret pa G12 pa grund av strömspegelkopplingen G3, G1, G2. Den identiska fälteffekt- transistorn G3 har nämligen emitter och styre sammankopplade.
Basemitterspänningsfallet i en bipolär transistor har en temperaturkoefficient på -2 mV/OC. I föreliggande koppling där förstärkaren skall arbeta mel- lÛ 15 20 8205967-6 lan -20°C och +70°C fordras att bas-emitterspänningen höjs avsevärt hos den bipolära transistorn G13 för att kollektorströmmen och därmed förstärkningen skall kunna upprätthallas. Detta innebär att fälteffekttransistorn G12 maste nöja sig med en lägre emitter-kollektorspänning om inte totala matnings- spänningen över kretsen kan öka. En fälteffekttransistor har dock en tempera- turkoefficient för strypspänningen Vp som är positiv. Det är därför möjligt att dimensionera iörspänningen i punkt 15 sa att den far en positiv temperatur- koefficient. Genom lämpligt val av denna positiva temperaturkoefficient är det möjligt att utnyttja fälteffekttransistórns egenskaper sa att bada förstärkar- stegen far i stort sett konstant förstärkning vid acceptabelt lag distorsion över hela temperaturomradet. Transistorn G13 far vid laga temperaturer en högre andel av tillgänglig matningsspänning medan fälteffekttransistorn som far bättre data vid lägre temperaturer far nöja sig med en lägre andel. Vid högre temperaturer är förhållandet det motsatta.
Temperaturregleringen av förspänningen i punkten 15 astadkoms genom att välja temperaturkoefficienten för bandgapsreferensen 16. För denna gäller att temperaturkoefficienten bestäms av temperaturkoefficíenten hos resistan- .sen RJ' plus temperaturkoefficienten hos skillnaden i bas-emitterspänning mel- lan transistorerna G8 och G7. Dessa parametrar inställs lämpligen sa att temperaturkoefficienten för spänningen i punkten 15 är av samma storleksord- ning som för bas-emitter spänningen i transistorn G13 men med motsatt tecken dvs ca +2mV/°C. f:
Claims (2)
1. üçüåâífi? - 6 PATENTKRAV l. F örstärkarkoppling för lag matningsspänning innefattande en förstärkare med en första transistor av fëlteffekttyp (G12) och en till denna direktkopplad bipolär transistor (G13) där den bipolära transistorns bas-emitterkrets och fälteffekttransistorns emitter-kullektorkrets är anslutna i serie över matnings- spänningskällan, k ä n n e t e c k n a d av att den första fälteffekttransistorn ingår i en strömspegelkoppling (Gl, G3, G2, G12) i vars strömgeneratorgren (Gl, G13) ingår en med den första fälteffekttransistorn (G12) identisk andra fält- effekttransistor (G3) vars styre är direktanslutet till emittern varigenom även den första fälteffekttransistorns kollektor alltid följer styrets spänning, samt av att den första fälteffekttransistorns (G12) styre är anslutet till en förspän- ningskälla (16) vars temperaturkoefficient har i huvudsak samma absolutvärde som temperaturkoefficienten för bas-emitterspänningen i bipolärtransis- torn (G13) men motsatt tecken.
2. F örstärkarkoppling enligt patentkrav l, k ä n n e t e c k n a d av att förspänningskällan utgörs av en bandgapsreferens (G4, G5, G6, G7, G8).
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8205967A SE432168B (sv) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | Forsterkarkoppling |
US06/616,212 US4567445A (en) | 1982-10-20 | 1983-10-19 | High input impedance low output impedance amplifier |
PCT/SE1983/000355 WO1984001678A1 (en) | 1982-10-20 | 1983-10-19 | Amplifier circuit |
GB08412878A GB2137838B (en) | 1982-10-20 | 1983-10-19 | Amplifier circuit |
FI842060A FI78203C (sv) | 1982-10-20 | 1984-05-23 | Förstärkarkoppling |
NO842447A NO163509C (no) | 1982-10-20 | 1984-06-18 | Forsterkerkrets. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8205967A SE432168B (sv) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | Forsterkarkoppling |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8205967D0 SE8205967D0 (sv) | 1982-10-20 |
SE432168B true SE432168B (sv) | 1984-03-19 |
Family
ID=20348285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8205967A SE432168B (sv) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | Forsterkarkoppling |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4567445A (sv) |
FI (1) | FI78203C (sv) |
GB (1) | GB2137838B (sv) |
SE (1) | SE432168B (sv) |
WO (1) | WO1984001678A1 (sv) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5544347A (en) * | 1990-09-24 | 1996-08-06 | Emc Corporation | Data storage system controlled remote data mirroring with respectively maintained data indices |
US5187110A (en) * | 1990-10-05 | 1993-02-16 | Allied-Signal Inc. | Field effect transistor-bipolar transistor darlington pair |
US5086282A (en) * | 1990-10-05 | 1992-02-04 | Allied-Signal Inc. | Field effect transistor-bipolar transistor Darlington pair |
US7838342B2 (en) | 2008-06-06 | 2010-11-23 | Spansion Llc | Memory device and method |
US7830716B2 (en) * | 2008-06-06 | 2010-11-09 | Spansion Llc | Non-volatile memory string module with buffer and method |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4482868A (en) * | 1983-03-07 | 1984-11-13 | Motorola, Inc. | Output stage for a driver circuit having low quiescent output current |
-
1982
- 1982-10-20 SE SE8205967A patent/SE432168B/sv not_active IP Right Cessation
-
1983
- 1983-10-19 GB GB08412878A patent/GB2137838B/en not_active Expired
- 1983-10-19 WO PCT/SE1983/000355 patent/WO1984001678A1/en active IP Right Grant
- 1983-10-19 US US06/616,212 patent/US4567445A/en not_active Expired - Fee Related
-
1984
- 1984-05-23 FI FI842060A patent/FI78203C/sv not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FI842060A0 (fi) | 1984-05-23 |
GB8412878D0 (en) | 1984-06-27 |
FI78203C (sv) | 1989-06-12 |
GB2137838A (en) | 1984-10-10 |
FI842060A (fi) | 1984-05-23 |
SE8205967D0 (sv) | 1982-10-20 |
US4567445A (en) | 1986-01-28 |
FI78203B (fi) | 1989-02-28 |
WO1984001678A1 (en) | 1984-04-26 |
GB2137838B (en) | 1986-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4495425A (en) | VBE Voltage reference circuit | |
CN104049669B (zh) | 电路装置 | |
GB2125586A (en) | Precision band-gap voltage reference circuit | |
WO2003076886A1 (fr) | Appareil electronique avec dispositif semi-conducteur et sonde thermometrique | |
GB2212633A (en) | Two-terminal temperature-compensated current source circuit | |
US4243948A (en) | Substantially temperature-independent trimming of current flows | |
EP0121287A1 (en) | Current stabilising arrangement | |
US4055774A (en) | Current scaling apparatus | |
SE520849C2 (sv) | Korrektionskrets för en spänning för automatisk förstärkningskontroll | |
SE432168B (sv) | Forsterkarkoppling | |
US5528128A (en) | Reference voltage source for biassing a plurality of current source transistors with temperature-compensated current supply | |
SE441881B (sv) | Elektronisk overstromsskyddskrets | |
US4103219A (en) | Shunt voltage regulator | |
JPH07225628A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
US3544882A (en) | Electric current range converting amplifier | |
US4216436A (en) | High gain differential amplifier | |
SE430842B (sv) | Forsterkaranordning med instellbar forsterkning | |
ES2329869T3 (es) | Etapa de salida mejorada de un amplificador operacional. | |
US4855625A (en) | Operational amplifier having low DC current input circuit | |
US4030042A (en) | Feedback amplifiers | |
US6218894B1 (en) | Voltage and/or current reference circuit | |
WO1990009703A1 (en) | Amplifier arrangement and communication line circuit using same | |
GB2107146A (en) | Improvements in or relating to bridge output stages for audio amplifiers | |
US4300103A (en) | Push-pull amplifier | |
US3699467A (en) | Bias circuit for a complementary transistor output stage |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NAL | Patent in force |
Ref document number: 8205967-6 Format of ref document f/p: F |
|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8205967-6 Format of ref document f/p: F |