SA516371926B1 - خلايا شمسية بعوازل نفقية - Google Patents

Abstract

يتعلق الاختراع الحالي بعوازل نفقية للخلايا الشمسية وتشتمل هذه العوازل على عازل أول، نيتريد سيليكون silicon nitride (220) يتم تكوينها فوق منطقة أولى (212) من ركيزة السيليكون silicon substrate (210)؛ وعازل dielectric ثانٍ، نيتريد سيليكون (222)، يتكون فوق منطقة ثانية (214) من ركيزة السيليكون (210) حيث يكون العازل الأول (220) من نوع مختلف عن العازل الثاني. وشبه موصل مشوب يتكون فوق العازل الأول والثاني (222)؛ ووصلة معدنية موجبة positive-type metal contact (240) تتكون فوق شبه الموصل المشوب doped semiconductor (230) والعازل الأول؛ ووصلة معدنية سالبة negative-type metal contact (242) تتكون فوق شبه الموصل المشوب (230) والعازل الثاني. شكل 9.

Description

— \ — خلايا شمسية بعوازل نفقية ‎Solar cells with tunnel dielectrics‏ الوصف الكامل خلفية الاختراع الخلايا الكهروضوئية ‎(PV) Photovoltaic‏ المعروفة بشكل شائع باسم الخلايا الشمسية ‎solar‏ ‎cells‏ « هي أجهزة تُعرف باستخدامها لتحويل الإشعاع الشمسي ‎solar radiation‏ إلى طاقة كهريائية ‎electrical energy‏ ويوجه عام؛ يعمل الإشعاع الشمسي الذي يصطدم بسطح ركيزة © الخلايا الشمسية ‎substrate of a solar cell‏ ويدخل فيه على إنتاج أزواج ‎dig yl)‏ وفراغية ‎electron and hole pairs‏ فى كامل الركيزة ‎substrate‏ وتنتقل الأزواج الإلكترونية والفراغية إلى مناطق شائبة موجبة ومناطق شائبة سالبة في الركيزة؛ مما يولد فرق جهد كهربائيًا بين المناطق الشائبة. ويتم توصيل المناطق الشائبة بمناطق موصلة على الخلية الشمسية لتوجيه تيار كهربائي من الخلية إلى دائرة خارجية ‎.external circuit‏

‎٠‏ الفاعلية هي ميزة ‎Lage‏ لأي خلية شمسية حيث إنها ترتبط ارتباطًا ‎Fale‏ بقدرة الخلية الشمسية ‎solar cell‏ على توليد الطاقة. ومن ثم تكون تقنيات تحسين عملية التصنيع وتقليل تكاليفها وزيادة فاعلية الخلايا الشمسية مطلوية بوجه عام. وقد تتضمن بعض التقنيات تكوين مناطق توصيلية محسنة بالخلايا الشمسية لرفع فاعليتها وزيادة قدرتها على التوصيل الكهربائي. تتعلق براء 1 لاختراع ‎f‏ لأمريكية مغل ‎٠١١‏ بأجهزة شبه موصلة وطرق لتصنيعها . على ‎dag‏

‎Ve‏ أكثر ‎(lass‏ يتعلق هذا الاختراع بطرق تصنيع ‎WA‏ شمسية ذات فقد أومي منخفض. وتتعلق براءة ‎f‏ لاختراع ‎f‏ لأمريكية 4 ‎٠.٠١‏ بتصنيع أجهزة كهروضوئية ‘ وعلى ‎dag‏ التحديد ‘ يقدم الاختراع ترتيبة توصيل جديدة لخلايا متصلة بشكل تسلسلي في مصفوفة متعددة الخلايا. الوصف العام للاختراع يتعلق الاختراع الحالى بخلايا شمسية تشتمل على عازل ‎dielectric‏ أول ؛ نيتريد سيليكون ‎silicon‏

‎Nitride | ٠‏ ؛ يتم تشكيله فوق منطقة ‎of‏ من ركيزة السيليكون ‎silicon substrate‏ « وعازل ثانء

‏بح

‎Ad —‏ — نيتريد سيليكون ؛ يتم تشكيله فوق منطقة ثانية من ركيزة السيليكون ¢ حيث يكون العازل ‎dielectric‏ الأول من نوع مختلف عن العازل الثاني؛ وشبه موصل مشوب ‎doped‏ ‎semiconductor‏ يتم تشكيله فوق العازل الأول والقانى» ووصلة معدنية موجبة ‎positive—‏ ‎type metal‏ يتم تشكيلها فوق شبه الموصل المشوب والعازل الأول ووصلة معدنية سالبة ‎negative—type metal ©‏ على شبه الموصل المشوب والعازل الثانى. فى أحد التجسيدات»؛ يشتمل العازل الأول» على الأقل؛ على طبقة أكسيد أحادية | ‎oxide‏ ‎monolayer‏ متصلة بركيزة السيليكون . وفى أحد التجسيدات؛ يشتمل العازل ‎SUH‏ على مجموعة طبقات أكسيد أحادية. وفى أحد التجسيدات؛ يشتمل العازل الأول على نيتريد سيليكون. ‎٠‏ وفي أحد التجسيدات؛ يشتمل العازل الثاني على نيتريد سيليكون. وفي أحد التجسيدات؛ يشتمل شبه الموصل المشوب على بولي سيليكون مشوب. وفي أحد التجسيدات؛ يشتمل شبه الموصل المشوب على بولي سيليكون مشوب من النوع م وبولي سيليكون من النوع ل١.‏ وفي أحد التجسيدات؛ يتم تشكيل بولي سيليكون المشوب من النوع © على العازل الأول ويتم ‎٠‏ تشكيل بولي سيليكون المشوب من النوع ‎١‏ على العازل الثاني. وفى أحد التجسيدات؛ تشتمل ركيزة السيليكون على منطقة مشوبة أولى تحت العازل الأول ومنطقة مشوية ثانية تحت العازل الثانى. وفي أحد التجسيدات؛ نسبة تركيز عامل الإشابة بين بولي سيليكون من النوع © والمنطقة المشوية الأولى تبلغ على الأقل ‎.٠١‏ ‎٠‏ وفى أحد التجسيدات»؛ يشتمل شبه الموصل المشوب على سيليكون مشوب غير متبلور ‎.amorphous silicon‏ ‎ogy‏

— ¢ — وفي أحد التجسيدات؛ تشتمل الخلية الشمسية على عازل أول يتم تشكيله على منطقة مشوبة أولى بركيزة السيليكون. ويتم تشكيل عازل ثاني على منطقة مشوية ثانية بركيزة السيليكون ؛ حيث يكون العازل الأول من نوع مختلف عن العازل الثاني. وفي أحد التجسيدات؛ يتم تشكيل بولي سيليكون مشوب ‎doped polysilicon‏ أول على العازل الأول. ويتم تشكيل بولي سيليكون مشوب ثان © على العازل ‎SUN‏ ويتم تشكيل وصلة معدنية موجبة ‎positive-type metal‏ على ‎Sell‏ ‏سيليكون المشوب الأول. وبتم تشكيل وصلة معدنية سالبة ‎negative—type metal‏ على البولي سيليكون المشوب الثاني. فى أحد التجسيدات؛ يشتمل العازل الأول» على الأقل» على طبقة أكسيد واحدة متصلة بركيزة السيليكون. وفى أحد التجسيدات؛ يشتمل العازل الثانى على مجموعة طبقات أكسيد أحادية. وفي أحد التجسيدات؛ يشتمل العازل الأول على نيتريد سيليكون. وفى أحد التجسيدات؛ يشتمل العازل الثاني على نيتريد سيليكون. وفي أحد التجسيدات؛ نسبة تركيز عامل الإشابة بين البولي سيليكون المشوب الأول والمنطقة المشوبة الأولى تبلغ على الأقل ‎.٠١‏ ‎Vo‏ وفي أحد التجسيدات؛ تشتمل الخلية الشمسية على نيتريد سيليكون يتم تشكيلها على منطقة مشوية من النوع الموجب ‎positive‏ ( © ) بركيزة السيليكون. وبتم تشكيل ثاني أكسيد السيليكون ‎silicon‏ ‏06 على منطقة مشوية من النوع السالب ‎negative‏ ( لا ) بركيزة السيليكون. ويتم تشكيل البولي سيليكون المشوب من النوع © على نيتريد السيليكون. وبتم تشكيل البولي سيليكون المشوب من النوع !1 على ثاني أكسيد السيليكون . ويتم تشكيل وصلة معدنية موجبة ‎positive—type‏ ‎metal ٠‏ على منطقة البولي سيليكون المشوية من النوع ‎pig P‏ تشكيل وصلة معدنية سالبة ‎negative-type metal‏ على منطقة البولي سيليكون المشوية من النوع لا. وفي أحد التجسيدات؛ نسبة تركيز عامل الإشابة بين البولي سيليكون المشوب من النوع © والمنطقة المشوبة من النوع © تبلغ على الأقل ‎.٠١‏ ‏ب

‎Qo _‏ _ وفى أحد التجسيدات؛ تشتمل نيتريد السيليكون ‎«silicon dioxide‏ على الأقل؛ على طبقة أكسيد أحادية ‎oxide monolayer‏ متصلة بركيزة السيليكون. شرح مختصر للرسومات يمكن فهم الموضوع بصورة أكثر شمولاً من خلال الإشارة إلى الوصف وعناصر الحماية المفصلة © عند النظر فيها بالاقتران مع الأشكال ‎AN‏ حيث تشير هذه الأرقام المرجعية إلى عناصر مماثلة في جميع أنحاء الأشكال. ‎Ug‏ لبعض التجسيدات؛ يعرض الشكل ‎١‏ جدولاً يضم أمثلة على المركبات العازلة. ‎Udy‏ لبعض التجسيدات؛ يعرض الشكل ؟ مخططًا نموذجيًا لمستويات الطاقة. ‎Gd‏ لبعض التجسيدات؛ يعرض الشكل ¥ مخططًا نموذجيًا ‎AT‏ لمستويات الطاقة. ‎Bay ٠‏ لبعض التجسيدات؛ يعرض الشكل ؛ مخططًا نموذجيًا ‎AT Gils‏ لمستويات الطاقة. وفقًا لبعض التجسيدات؛ يعرض الشكل © مخططًا لانتشار عوامل الإشابة. ‎La‏ لبعض التجسيدات؛ توضح الأشكال ‎A=‏ مقاطع عرضية لأمثلة مختلفة على العوازل الكهريائية. ‎Gg‏ لبعض التجسيدات؛ يوضح الشكل 9 مقطعًا عرضيًا لمثال على خلية شمسية. ‎٠‏ الوصف التفصيلى: أو من استخداماته. على النحو المستخدم هناء فإن كلمة 'مثالي" تعني "الخدمة كمثال على ذلك أو شاهد أو توضيح." أي تنفيذ يُوصف هنا بأنه مثالي ليس بالضرورة أن ‎52d‏ على أنه يتميز بالأفضلية أو الفائدة عن غيره من التطبيقات. علاوة على ذلك؛ لا توجد نية لتكون ملزمة بأي ‎٠‏ طريقة صريحة أو ضمنية مقدمة فى إجراء المجال التقنىء أو المعلومات العامة؛ أو النبذة المختصرة؛ أو الوصف التفصيلى التالى. ب

_ h —_

تتضمن هذه المواصفات مراجع 'تطبيق واحد” أو "أحد التطبيقات". ولا يشير بالضرورة تكرار ظهور

عبارات مثل "في تطبيق واحد" أو 'في أحد التطبيقات" إلى التطبيق ذاته. وقد يُجمع بين هياكل أو

سمات أو ميزات خاصة بأي طريقة مناسبة تتماشى مع هذا الكشف.

المصطلحات. تقدم الفقرة التالية تعريفات المصطلحات الموجودة فى هذا الكشف وسياقها أو أيهما

© (بما في ذلك عناصر الحماية الملحقة):

'يتضمن." هذا المصطلح مفتوح. لا يمنع هذا المصطلح؛ كما استُخدم في عناصر الحماية الملحقة)

مزيدًا من البنية أو الخطوات.

'مهيأة ‎a8".‏ يتم وصف أو المطاليبة بعنصر لحماية مكونات أو وحدات متنوعة كوحدات أو

مكونات ‎slags‏ ل" إنجاز مهمة أو مهمات. وفي مثل هذه السياقات؛ يُستخدم مصطلح "مهيأة ل" ‎iad ٠‏ هيكلاً بالإشارة إلى أن هذه الوحدات/المكونات تتضمن هيكلاً يُنجز هذه المهمة أو المهام

أثناء التشغيل. وهكذا فيمكننا القول إن الوحدة/المكوّن يُهياً لإنجاز المهمة؛ حتى عندما لا تكون

الوحدة/المكون المحدد قيد التشغيل حاليًا (ليس في وضع التشغيل/ليس نشطًا على سبيل المثال).

وعندما ‎Dis‏ أن إحدى الوحدات/الدوائر/المكونات تم 'تهيئتها" لإنجاز مهمة أو مزيد من المهمات؛

فإن ثمة نية واضحة لعدم الاستشهاد بعنوان قانون الولايات المتحدة رقم ‎(Yo‏ المادة ‎VY‏ الفقرة ‎Ve‏ السادسة؛ لتلك الوحدة/المكون.

"الأولى”؛ "الثانية"؛ وما إلى ذلك. تُستخدم هذه المصطلحات؛ على النحو المستخدم هناء كصفات

للأسماء التي تسبقهاء ولا تعني ضمئًا أي نوع من الترتيب (مثل الترتيب الزماني والمكاني والمنطقي

وما إلى ذلك). على سبيل المثال فإن الإشارة إلى عازل "أول" لا يعني ضمنيًا بالضرورة أن هذا

العازل هو العازل الأول في تسلسل معين؛ بل إن المصطلح "الأول" يُستخدّم لتمييز هذا العازل عن ‎٠‏ عازل آخر (مثل عازل ‎(ol‏

‎aia]‏ على": ‎Wy‏ لما ورد بهذا المستند؛ فإن هذا المصطلح يُستخدّم لوصف عامل أو أكثر من

‏العوامل - مع عدم استبعاد أي عامل - التي تؤثر على التحديد؛ بمعنى أن التحديد قد يعتمد جزثيًا

‏أو كليا على هذه العوامل . على سبيل المثال » فإن العبارة 'يعتمد تحديد ‎j‏ على ب" حيث تمثل ب

_ Vv —_

‎Sale‏ يؤثر على تحديد أ؛ لا تستبعد أن يكون تحديد أ ‎Gane‏ كذلك على ج. ومن ناحية أخرى؛ قد

‏يعتمد تحديد أ ‎US‏ على ب.

‏'مقترنة' - يشير الوصف التالي إلى العناصر أو العقد أو الميزات "المقترنة' معًا. ويعني المصطلح

‎dyad‏ على النحو المستخدم هناء ما لم ينص صراحة على خلاف ذلك؛ أن أحد

‎٠5‏ العناص ر/العقد/الميزات ترتبط ارتباًا مباشرًا أو غير مباشر (أو تتواصل تواصلاً مباشرًا أو غير

‏مباشر) بأحد العناص ر/العقد/الميزات ‎«AY‏ وليس بالضرورة ارتباطًا ميكانيكيًا.

‏علاوة على ذلك؛ قد تُستخدم بعض المصطلحات في الوصف التالى بهدف الإشارة ‎dads‏ وبالتالى

‏ليس المقصود منها أن تكون مقيّدة. على سبيل ‎(Jl)‏ تشير مصطلحات ‎Jie‏ "العلوي" "السفلى"؛

‏'فوق” 'تحت" إلى اتجاهات فى المخططات المشار إليها فى هذا الصدد. وتصف مصطلحات ‎Jie‏ ‎٠‏ "لمقدمة"؛ "المؤخرة"؛ ‎CARR‏ "الجانب"» "الخارجية"؛ "الداخلية"؛ التوجه و/أو مكان أجزاء من

‏عنصر ضمن إطار مرجعي ثابت ولكنه مطلق والذي تم توضيحه بالرجوع إلى النص والرسومات

‏المرتبطة به واصفًا المكون قيد المناقشة. ‎(Sarg‏ أن تتضمن هذه المصطلحات الكلمات المذكورة

‏أعلاه على وجه التحديد ومشتقاتها وغيرها من الكلمات ذات المضمون المماتل.

‏وفى الوصف التالى؛ يتم توضيح العديد من التفاصيل المعينة؛ مثل عمليات محددة؛ بهدف توفير ‎Vo‏ فهم شامل لتجسيدات الإعلان الحالي. سيكون من الواضح لأي شخص ماهر في هذا الفن أن

‏تجسيدات الإعلان الحالى يمكن ممارستها دون هذه التفاصيل المحددة. وفى تجسيدات أخرى؛ لا

‏يتم وصف التقنيات المعروفة يبشكل تفصيلى بهدف عدم حجب تجسيدات ‎f‏ لإعلان الحالى دون

‏ضرورة لذلك.

‏تقدم هذه المواصفات بيانات نموذجية ورسومات توضيحية تدعم تكوين عوازل محسنة بالمناطق ‎٠‏ التوصيلية للخلايا الشمسية؛ يتبع ذلك وصف لكل خلية شمسية ‎cell‏ +50181مقدمة باعتبارها مثال.

‏ويتوفر عبر هذا الإعلان شرح أكثر تفصيلاً لمختلف التجسيدات الخاصة بالخلية الشمسية

‏النموذجية.

‎Jie 3 ‏لأحد التجسيدات يمكن تكوين عازل بالسطح الذي يريط بين شبه موصل مشوب‎ Lad

‏السيليكون المتعدد المشوب ‎doped polysilicon‏ أو السيليكون اللابلوري المشوب ‎doped‏

—A— ‏؛ وركيزة سيليكون خاصة بالخلية الشمسية؛ وتتمثل الفوائد الناتجة عن‎ amorphous silicon ‏تكوين عازل بينهما في الرفع من قدرتهما على التوصيل الكهربائي؛ ومن بين الفوائد أيضًا زيادة‎ ‏فاعلية الخلايا الشمسية. وفي بعض التجسيدات؛ يمكن الإشارة إلى شبه الموصل المشوب بشبه‎ ‏فقد يكون شبه الموصل‎ «(gyal ‏موصل مشوب بفرجة نطاق موجي عريضة؛ أما في تجسيدات‎ ‏عن شبه موصل مشوب بذرات موجبة أو شبه موصل مشوب بذرات سالبة.‎ Ble ‏المشوب‎ © ‏وبالمثل؛ قد يكون شبه الموصل المشوب بذرات موجبة عبارة عن سيليكون متعدد مشوب 60م00‎ ‏بذرات موجبة أو سيليكون لا بلوري مشوب بذرات موجبة. وبمكن أيضًا أن يكون‎ polysilicon ‏عن سيليكون متعدد مشوب بذرات سالبة أو سيليكون لا‎ Ble ‏شبه الموصل المشوب بذرات سالبة‎ ‏بلوري مشوب بذرات سالبة. وفي أحد التجسيدات» يمكن الإشارة إلى العازل كعازل نفقي. ويمكن‎ ‏أيضًا أن تشتمل الخلية الشمسية على ركيزة سيليكون بذرات سالبة أو موجبة.‎ ٠ ‏يسرد قائمة بالمركبات العازلة النموذجية التي تكونت‎ Joan jedan) ‏بالانتقال الآن إلى الشكل‎

Band Gap ‏على ركيزة السيليكون وبخصائصها المقابلة المتمثلة في: فرجة النطاق الموجي‎

Hole ‏(إلكترون فولت) وحاجز الثقوب‎ electron barrier ‏(إلكترون فولت) وحاجز الإلكترونات‎ ‏لبعض التجسيدات.وبالنسبة لشبه الموصل المشوب بذرات‎ Udy ‏(إلكترون فولت)؛ وذلك‎ Barrier ‏سالبة والذي يتكون على ركيزة السيليكون ؛ فإنه يمكن أن يكون مفيدًا في زيادة قدرة الإلكترونات‎ ٠ ‏على التوصيل؛ وذلك باختيار مركب عازل بين شبه الموصل المشوب بذرات سالبة وركيزة‎ ‏السيليكون يمكنه زيادة قدرة الإلكترونات على التوصيل مع خفض قدرة الثقوب على التوصيل‎ ‏(حاجز الإلكترونات > حاجز الثقوب). وبالإشارة إلى الشكل ١؛ نجد أن مثل هذا العازل‎ ‏وفي المقابل يمكن أن‎ . silicon dioxide ‏يكون عبارة عن ثاني أكسيد سيليكون‎ dielectric ‏السيليكون مفيدًا في زيادة قدرة‎ BS) ‏يكون شبه الموصل المشوب بذرات موجبة والذي يتكون على‎ ٠ ‏الثقوب على التوصيل؛ وذلك باختيار مركب عازل بين شبه الموصل المشوب بذرات موجبة وركيزة‎ ‏السيليكون يمكنه زيادة قدرة الثقوب على التوصيل مع خفض قدرة الإلكترونات على التوصيل‎ ‏هذا العازل عبارة عن‎ Jie ‏(حاجز الإلكترونات > حاجز الثقوب). وكما يظهر في الشكل؛ قد يكون‎ ‏نيتريد سيليكون.‎ ‏ب‎

Le ‏أمثلة متنوعة على مخططات مستويات الطاقة؛ وذلك فيما يخص العوازل‎ =F ‏تعرض الأشكال‎ ‏التي تتكون بين شبه موصل مشوب وركيزة سيليكون.‎ ‏يعرض الشكل ؟ مثالاً على مخطط مستويات الطاقة؛ وذلك فيما يخص ثاني أكسيد السيليكون‎ ‏الذي يتكون بين شبه موصل مشوب بذرات موجبة وركيزة سيليكون. وكما يظهر في الشكل؛ فإنه‎ ‏بطول نطاق التوصيل منخفضًا‎ ١١١ ‏بالنسبة لثاني أكسيد السيليكون ؛ يكون حاجز الإلكترونات‎ © ‏أثناء حجز‎ ٠١١ ‏بقدر يكفي للسماح للإلكترونات بالمرور‎ (sl) ‏الإلكترونات > حاجز‎ als) ‏التقوب في نطاق التكافؤ. وفي هذا التصميم الذي يتكون فيه شبه موصل مشوب بذرات موجبة‎ ‏على ركيزة سيليكون؛ تزيد القدرة على التوصيل الكهربائي بفضل السماح لمزيد من الثقوب بحجز‎ ‏الإلكترونات وتمريرها.‎

‎٠‏ بالإشارة إلى الشكل ‎oF‏ يظهر مخطط لمستويات الطاقة؛ وذلك ‎Lad‏ يخص نيتريد السيليكون الذي يتكون بين شبه موصل مشوب بذرات موجبة وركيزة سيليكون. وعلى النقيض من الشكل ‎oF‏ يكون حاجز الإلكترونات ‎١١١‏ مرتفعًا (حاجز الإلكترونات > حاجز الثقوب) بقدر يكفي لمنع الإلكترونات من المرور ‎١١١‏ أثناء السماح ‎VV E‏ للثقوب بالمرور عبر نطاق التكافؤ. وقد تتضمن الفوائد الناتجة عن هذا التكوين زيادة القدرة على التوصيل الكهربائي.

‎٠‏ يعرض الشكل ؛ مخططًا لمستويات الطاقة؛ وذلك ‎Lad‏ يخص ثاني أكسيد السيليكون الذي يتكون بين شبه موصل مشوب بذرات سالبة وركيزة سيليكون. وكما يظهر في الشكل؛ يكون حاجز الإلكترونات بطول نطاق التوصيل منخفضًا (حاجز الإلكترونات < حاجز الثقوب) بقدر يكفي للسماح للإلكترونات بالمرور ‎IVT‏ وذلك عندما يكون حاجز الثقوب ؛ ‎١‏ مرتفعًا بطول نطاق التكافؤؤ مما يؤدي إلى منع الثقوب ‎١١١8‏ من المرور. وقد تتضمن الفوائد الناتجة عن هذا التكوين

‎Ye‏ زيادة القدرة على التوصيل الكهريائي. يمكن استخدام العديد من المركبات العازلة التي تتكون بين أشباه الموصلات المشوية بذرات موجبة على ركائز السيليكون بحيث يكون حاجز إلكترونات المركب العازل أكبر من حاجز الثقوب (حاجز الإلكترونات > حاجز الثقوب). ومن بين الأمثلة على مثل هذه المركبات العازلة نيتريد السيليكون. وبالمثل؛ يمكن استخدام العديد من المركبات العازلة التي تتكون بين أشباه الموصلات المشوية

‏ا ye

Sala ‏بذرات سالبة على ركائز السيليكون بحيث يكون حاجز إلكترونات المركب العازل أقل من‎ ‏(حاجز الإلكترونات > حاجز الثقوب). ومن بين الأمثلة على مثل هذه المركبات العازلة‎ dll ‏ثاني أكسيد السيليكون. وقد تتمثل إحدى الفوائد الناتجة عن استخدام عازل يتكون بين شبه موصل‎ ‏مشوب بذرات سالبة وركيزة سيليكون ويحتوي على حاجز إلكترونات أقل من حاجز ثقوب في زيادة‎ ‏الفوائد الناتجة عن استخدام عازل يتكون‎ gaa) ‏القدرة على التوصيل الكهريائي. وبالمثل؛ قد تتمثل‎ © ‏بين شبه موصل مشوب بذرات موجبة وركيزة سيليكون ويحتوي على حاجز إلكترونات أكبر من‎ ‏حاجز ثقوب في زيادة القدرة على التوصيل الكهربائي.‎ ‏يظهر مخطط لانتشار عوامل الإشابة. ونُستخدّم الشكل © لتوضيح كيفية‎ co ‏بالإشارة إلى الشكل‎ semiconductor ‏؛ عبر شبه الموصل‎ boron ‏انتشار عوامل الإشابة؛ المتمثلة هنا في البورون‎ ‏الخاصة بالخلية الشمسية. فعلى سبيل المثال؛‎ VEY ‏وفي ركيزة السيليكون‎ Ven ‏والعازل‎ ١56 ٠ ١٠١ ‏والعازل‎ ١48 ‏في السيليكون المتعدد أو السيليكون اللابلوري‎ ١7١ ‏يمكن انتشار البورون‎

NEY ‏وركيزة السيليكون‎ ‏تتمثل في انتشار عوامل الإشابة على ركيزة السيليكون.‎ OFT ١7 ‏و4‎ ١77 ‏تظهر ثلاثة أمثلة؛‎ ‏وشبه‎ VEY ‏قد يكون معدل تركيز عامل الإشابة في ركيزة السيليكون‎ O TY ‏ففي المثال الأول‎ ‏مما يزيد من القدرة على‎ ١ ‏مثل السيليكون المتعدد أو السيليكون اللابلوري؛ بمقدار‎ VE ‏الموصل‎ ١٠ ‏قد يكون معدل تركيز‎ OTE ‏الإشابة ويضعف القدرة على التوصيل الكهربائي. وفي المثال الثاني‎

Vogl) ‏(بورون بتركيز‎ ٠١ ‏بمقدار‎ ١880 ‏وشبه الموصل‎ VEY ‏عامل الإشابة في ركيزة السيليكون‎ ‏في ركيزة السيليكون). أما في المثال الثالث‎ ٠9 ‏تقريبًا في السيليكون المتعدد / بورون بتركيز‎ ‏أكبر من‎ ١580 ‏وشبه الموصل‎ VEY ‏؛ فيكون معدل تركيز عامل الإشابة في ركيزة السيليكون‎ ‏تقريبًا للفوسفور‎ ٠٠٠١( ‏أو غير ذلك مما يؤدي إلى نتائج محسنة‎ ٠٠٠١ ‏أو‎ ٠٠١ ‏أو‎ ٠١ ٠ ‏مع عازل ثاني أكسيد سيليكون نفقي يؤدي إلى تقليل الإشابة وتحسين القدرة على‎ phosphorus ‏لسيليكون‎ ١٠5١ ‏هذا التجسيد استخدام نيتريد السيليكون كعازل‎ Jie ‏التوصيل الكهريائي). ويتضمن‎ ‏على ركيزة سيليكون؛ في حين يتضمن تجسيد آخر استخدام ثاني‎ ٠40 ‏متعدد مشوب بذرات موجبة‎ ‏على ركيزة سيليكون.‎ ٠6٠0 ‏لسيليكون متعدد مشوب بذرات سالبة‎ ١٠١ ‏أكسيد السيليكون كعازل‎ ‏ا‎

— \ \ — يعرض الشكل ‎AT‏ تجسيدات متنوعة للعوازل التي تتكون بين شبه موصل مشوب ¢ ‎Jie‏ سيليكون متعدد مشوب أو سيليكون لا بلوري مشوب ‎doped amorphous silicon‏ « وركيزة سيليكون. بالإشارة إلى الشكل 6؛ يظهر مثال على العوازل؛ ففي أحد التجسيدات؛ يمكن للعازل ‎YoY‏ أن يتضمن نسبة ‎965-١1‏ من النيتروجين ‎٠60 nitrogen‏ خلال أكسدة أكسيد ‎aU‏ النيتروجين ‎.(N20) dinitrogen oxide ©‏ بالانتقال إلى الشكل 7١؛‏ يظهر مثال على عازل يتكون بين سيليكون متعدد مشوب بذرات موجبة وركيزة سيليكون. يظهر العازل ‎١١ 4 dielectric‏ طبقة أكسيد أحادية ‎oxide monolayer‏ فردية 7 ملامسة لركيزة سيليكون ومجموعة ‎١67‏ من طبقات النيتريد الأحادية ‎nitride‏ ‎١14 monolayers‏ الموضوعة فوق طبقة الأكسيد الأحادية ‎TY‏ وفى أحد التجسيدات؛ قد تقلل ‎٠‏ طبقة الأكسيد الأحادية 167 من القدرة على إشابة سطح العازل. وقد تكون إشابة سطح العازل بمقدار أقل من ‎٠٠٠١‏ سمإثانية وفقًا لأحد التجسيدات. وفي أحد التجسيدات؛ قد لا يكون ‎Uys pum‏ تكوين طبقات نيتريد أحادية خالصة ‎١64‏ (يمكن أن تحتوي على أكسجين) شربطة أن تكون طبقات النيتريد الأحادية ‎VTE‏ متكونة فوق طبقة الأكسيد الأحادية ‎NT‏ ويمكن تكوين العازل 4 عن طريق ترسيب طبقات ذرية ‎Lad (ALD) atomic layer deposition‏ لأحد ‎Vo‏ التجسيدات. وقد يكون العازل 4 ‎١٠5‏ عبارة عن نيتريد سيليكون وفقًا لأحد التجسيدات. يعرض الشكل ‎A‏ مثالاً على عازل يتكون بين سيليكون متعدد مشوب بذرات سالبة وركيزة سيليكون. ويتضمن العازل ‎١٠‏ المعروض ‎YA de gana‏ من طبقات ‎f‏ لأكسيد ‎f‏ لأحادية ‎oxide‏ ‎monolayers‏ 117. ‎Gy‏ لأحد التجسيدات؛ يمكن استخدام العازلين 10 و576١‏ اللذين يظهران في الشكلين ‎١‏ و+ ‎Ge‏ ‎A)‏ للرفع من فاعلية الخلية الشمسية بمقدار كبير ‘ وذلك عن طريق تقليل إشابة السطح وزيادة القدرة على التوصيل الكهربائي. بالانتقال إلى الشكل 9؛ تجد خلية شمسية. ويمكن أن تشتمل الخلية الشمسية ‎٠٠١‏ على منطقتين توصيليتين أولى ‎"٠07‏ وثانية ©06٠؛‏ حيث تكون المنطقة التوصيلية الأولى ‎7٠07‏ موجبة والمنطقة التوصيلية الثانية ‎١‏ سالبة؛ وذلك وفقًا لأحد التجسيدات. كما يمكن أن تشتمل الخلية الشمسية ب

-؟١-‏ ‎cell‏ +8ا50١٠٠١‏ 7 على ركيزة سيليكون ‎7٠١‏ قد تكون عبارة عن سيليكون متعدد أو سيليكون متعدد البلورات» وذلك ‎Gag‏ لأحد التجسيدات. وفقًا لأحد التجسيدات؛ قد تشتمل ركيزة السيليكون ‎7٠١‏ على منطقتين مشويتين أولى ‎YVY‏ وثانية 4 . ويمكن تنظيف ركيزة السيليكون ‎7٠١‏ وصقلها وتسويتها و/أو ترقيقها أو معالجتها قبل تكوين ‎٠‏ المنطقتين المشويتين الأولى والثانية ‎YY‏ و4 ‎.7١‏ وقد تكون ركيزة السيليكون من النوع الموجب أو السالب. يمكن تكوين عازلين» أول + ‎(lig YY‏ 777 فوق ركيزة السيليكون ١٠؛‏ بحيث يتم تكوين العازل ‎dielectric‏ الأول ‎YY‏ فوق الجزء الأول من ركيزة السيليكون ‎7٠١‏ والعازل الثاني ‎God YYY‏ ‎gall‏ الثاني منهاء وذلك ‎Uy‏ لتجسيدات معينة. وفي تجسيدات معينة؛ وقد يكون العازل الأول ‎٠‏ 170 عبارة عن نيتريد سيليكون ؛ وقد يكون حاجز الإلكترونات الخاص به أكبر من ‎Sala‏ ‏الثقوب؛ كما أنه قد يتمتع ببنية شبيهة ببنية العازل ؛ ‎١5‏ الموضحة في الشكل 7. وفي تجسيدات معينة؛ وقد يكون العازل الثاني ‎YYY‏ عبارة عن ثاني أكسيد سيليكون ‎YYY‏ وقد يكون ‎Sala‏ ‏الإلكترونات الخاص به أقل من حاجز الثقوب؛ كما أنه قد يتمتع ببنية شبيهة ببنية العازل ‎Vou‏ ‏الموضحة في الشكل ‎A‏ ‎Lay Vo‏ لأحد التجسيدات؛ يمكن تكوين المنطقة المشوية الأولى ‎7١64‏ تحت العازل الأول ‎77١‏ ‏والمنطقة المشوية الثانية ؛ ‎YY‏ تحت العازل الثاني 777. وفي تجسيدات معينة؛ قد يكون الجزء الأول من ركيزة السيليكون ‎7٠١‏ موجودًا في نفس موقع ‎YY‏ المنطقة المشوية الأولى» ‎shally‏ ‏الثاني من ركيزة السيليكون ‎7٠١‏ موجودًا في نفس موقع ‎7٠4‏ المنطقة المشوية الثانية. يمكن تكوين شبه الموصل المشوب الأول ‎77٠0‏ فوق العازل الأول 0 ‎€YY‏ بينما يمكن تكوين شبه ‎٠‏ الموصل المشوب الثاني 77؟ فوق العازل الثاني ‎Boy YYY‏ لتجسيدات معينة؛ قد يشتمل شبه الموصل المشوب على سيليكون متعدد مشوب أو سيليكون لا بلوري مشوب ؛ كما أنه قد يكون عبارة عن شبه موصل مشوب بفرجة نطاق موجي عريضة مثل سيليكون لا بلوري مشوب. وفي أحد التجسيدات؛ قد تكون أشباه الموصلات المشوية الأولى والثانية ‎YYY 5 YY‏ عبارة عن سيليكون متعدد مشوب أول ‎Gls‏ على التوالي. وفي تجسيدات معينة؛ قد يكون السيليكون المتعدد ا yy ‏مشويًا بذرات سالبة. وقد لا يقل‎ (YYY) ‏مشويبًا بذرات موجبة؛ والثاني‎ (YTV) ‏المشوب الأول‎ ‏والمنطقة‎ (YY ٠ ‏معدل تركيز عامل الإشابة بين السيليكون المتعدد المشوب الأول (المناطق‎ ‏وفقًا لأحد التجسيدات. ووفقًا لتجسيدات‎ ٠١ ‏عن‎ 7٠١ ‏بركيزة السيليكون‎ 7١١ ‏المشوية الثانية‎ ‏أخرى؛ قد لا يقل معدل تركيز عامل الإشابة بين السيليكون المتعدد المشوب الثاني (المناطق‎ .٠١ ‏عن‎ 7٠١ ‏بركيزة السيليكون‎ 7٠6 ‏والمنطقة المشوية الثانية‎ (YYY 0 ‏ثالثة ؛ 77 فوق أشباه الموصلات المشوية الأولى‎ Ale ‏وفقًا لأحد التجسيدات؛ قد يتم تكوين طبقة‎ ‏على فتحات توصيلية عبر العازل‎ 70٠0 ‏و777. ويمكن أن تشتمل الخلية الشمسية‎ 77١ ‏والثانية‎ ‏لأحد التجسيدات؛ يمكن تكوين الفتحات التوصيلية بتنفيذ أي عدد من عمليات‎ Bg, YY cul laser ablation ‏ذلك تقنيات النقش الرطب والبتر (مثل البتر الليزري‎ Baia ‏الطباعة الحجرية؛‎ anti- ‏عبارة عن طلاء مانع للانعكاس‎ YY ‏وغيره). وفي أحد التجسيدات؛ قد يكون العازل الثالث‎ ٠ back anti-reflective ‏أو طلاء خلفي مانع للانعكاس‎ (ARC) reflective coating ‏تكوّن على الجانب الأمامي أو الخلفي من الخلية الشمسية. وفي تجسيدات‎ (BARC) coating . silicon nitride ‏عبارة عن نيتريد سيليكون‎ TYE ‏معينة؛ وقد يكون العازل الثالث‎ ‏فوق أشباه الموصلات المشوية‎ YEY 5 YE ‏يمكن تكوين الوصلتين المعدنيتين الأولى والثانية‎ ‏و777؛ وعبر الفتحات التوصيلية في العازل الثالث ؛ 77. ووفقًا لتجسيدات‎ YY ‏الأولى والثانية؛‎ ١٠ ‏من النوع السالب.‎ YET ‏من النوع الموجب والثانية‎ 7 6 ٠ ‏معينة؛ قد تكون الوصلة المعدنية الأولى‎ ‏عن‎ Ble ‏و47 7؛‎ 74٠ ‏وفي أحد التجسيدات»؛ قد تكون الوصلتان المعدنيتان الأولى والثانية»‎ ‏أو ذهب 9010 أو‎ silver ‏أو فضة‎ aluminum ‏أو قصدير 00 أو ألومنيوم‎ copper ‏نحاس‎ ‏أو‎ ruthenium ‏أو روثينيوم‎ zinc ‏أو زنك‎ nickel ‏أو نيكل‎ iron ‏أو حديد‎ chromium ‏كروم‎ ‏؛ لكن لا يقتصر الأمر على هذه العناصر.‎ platinum ‏و/أو بلاتينيوم‎ palladium ‏بالاديوم‎ - ٠ ٠١ ‏على شبه موصل مشوب أول وثان؛‎ ٠٠١ ‏هناء قد تشتمل الخلية الشمسية‎ alll Chall Gy ‏و77 مثل سيليكون متعدد مشوب أول وثانٍ على التوالي. وفي أحد التجسيدات؛ قد ينمو‎ ‏السيليكون المتعدد المشوب الأول والثاني بفعل عملية حرارية. ويمكن تكوين السيليكون المتعدد‎ ‏من خلال‎ 7٠١ ‏ترسيب عوامل الإشابة في ركيزة السيليكون‎ Goh ‏المشوب الأول والثاني عن‎ ‏لبعض التجسيدات. ويمكن أن تشتمل مناطق السيليكون المتعدد‎ Udy ‏عملية إشابة تقليدية؛ وذلك‎ 5 ‏ا‎ ve ‏بركيزة السيليكون‎ VV £5 VOY ‏المشوب الأول والثاني والمنطقتين المشوبتين الأولى والثانية؛‎ ‏على مادة إشابة؛ إلا أن الأمر لا يقتصر على عامل الإشابة الموجب مثل البورون والسالب‎ ؟٠‎ ‏مثل الفوسفور. ورغم ما ورد من وصف يفيد بأن السيليكون المتعدد المشوب الأول والثاني ينمو‎ ‏بفعل عملية حرارية؛ إلا أنه يلزم اتباع عمليات مناسبة لتكوين كل طبقة أو مادة كما هو الحال مع‎ ‏أي عملية تكوين أو ترسيب أو نمو ورد وصفها أو ذكرها هنا؛ على سبيل المثال؛ عملية الترسيب‎ © ‏والترسيب الكيميائي للبخار تحت‎ (CVD) chemical vapor deposition ‏الكيميائي للبخار‎ ‏والترسيب الكيميائي للبخار تحت الضغط‎ (LPCVD) low-pressure CVD ‏ضغط منخفض‎ ‏والترسيب الكيميائي للبخار المعزز‎ (APCVD) atmospheric pressure CVD ‏الجوي‎ ‏والنمو الحراري والرش وأية تقنية مطلوية‎ (PECVD)plasma-enhanced CVD ‏بالبلازما‎

‎٠‏ أخرى يتم استخدامها حيث يرد وصف للتكوين. وبالمثل؛ يمكن تكوين السيليكون المتعدد المشوب الأول والثاني على ركيزة السيليكون ‎7٠١‏ عن طريق الترسيب أو الرش أو الطباعة مثل الطباعة بنفث الحبر أو الطباعة على الشاشة. ويمكن أيضًا أن تشتمل الخلية الشمسية ‎Vor‏ على شبه موصل مشوب أول ‎YT oly‏ و77" مثل سيليكون لا بلوري مشوب أول وثانٍ على التوالي. قد تكون الخلية الشمسية 700 متماسة من الخلف أو الأمام.

‎Vo‏ على الرغم من توضيح تطبيقات محددة أعلاه؛ إلا أن هذه التطبيقات ليس المقصود منها تضييق نطاق الكشف الحالي؛ حتى عند توضيح تطبيق واحد فيما يتعلق بميزة محددة. وتهف أمثلة الميزات المقدمة في الكشف إلى أن تكون أمثلة توضيحية؛ ‎Yay‏ من أن تكون أمثلة مقيدة؛ ما لم ينص على خلاف ذلك. ويهدف الوصف أعلاه إلى تغطية هذه البدائل والتعديلات والمكافئات كما سيتضح لأحد اختصاصيي القطاع الذين يحظون بفائدة هذا الكشف.

‎٠‏ يتضمن نطاق الكشف الحالي أي ميزة أو مجموعة من المزايا التي تم الكشف عنها هنا (إما صراحة أم ‎(Baia‏ أو أي تعميم لهاء سواء كانت تخفف من أي مشكلات تم التعرض لها هنا أو جميع هذه المشكلات؛ أو لم تخفف ذلك. ومن هذا المنطلق؛ قد نُصاغ عناصر الحماية جديدة أثناء الادعاء لهذا الطلب ‎of)‏ أحد الطلبات التي تطالب بالأولوية بها) لأي مجموعة من الميزات. وتحديدًا؛ بالإشارة إلى عناصر الحماية الملحقة؛ قد ‎(Sb‏ الميزات من عناصر الحماية المستقلة مع

‎Yo‏ تلك الميزات من عناصر الحماية غير المستقلة؛ وريما تأتي الميزات من عناصر الحماية المستقلة

‏ا

اج \ _ ذات الصلة بأي طريقة ملائمة وليس فقط فى مجموعات محددة مذكورة فى عناصر الحماية الملحقة. ‎Uk,‏ لأحد التجسيدات؛ تشتمل الخلية الشمسية علي عازل أول يتم تكوينه فوق الجزء الأول من ركيزة السيليكون ؛ في حين يتكون العازل الثاني فوق الجزء الثاني من ركيزة السيليكون حيث يكون © العازل الأول من نوع مختلف عن العازل الثاني. ويتكون شبه الموصل المشوب فوق العازل الأول والثاني؛ بينما تتكون الوصلة المعدنية الموجبة فوق شبه الموصل المشوب والعازل الأول؛ والوصلة المعدنية السالبة فوق شبه الموصل المشوب والعازل الثاني.

Claims (1)

1. -؟١-‏ عناصر الحماية ‎-١‏ خلية شمسية ‎solar cell‏ تتألف من: عازل ‎Jol‏ يتم تكوينه فوق ‎all‏ الأول من ركيزة السيليكون ‎silicon substrate‏ ؛ وعازل ‎Ob‏ يتم تكوينه فوق الجزءٍ الثاني من ركيزة السيليكون ‎silicon substrate‏ حيث يكون العازل ‎dielectric‏ الأول من نوع مختلف عن العازل ‎dielectric‏ الثاني؛ © وشبه موصل مشوب ‎doped semiconductor‏ يتكون فوق العازل ‎dielectric‏ الأول والثاني؛

   ووصلة معدنية موجبة ‎positive—type metal‏ تتكون فوق شبه الموصل المشوب ‎doped‏ ‎semiconductor‏ والعازل ‎dielectric‏ الأول؛ ووصلة معدنية سالبة ‎Negative—type metal‏ تتكون فوق شبه الموصل المشوب ‎doped‏ ‎semiconductor‏ والعازل ‎dielectric‏ الثاني.

   ٠١ ‏الأول‎ dielectric ‏حيث يتكون العازل‎ ٠ ‏لعنصر الحماية‎ Gig solar cell ‏الخلية الشمسية‎ -" silicon ‏ملامسة لركيزة السيليكون‎ oxide monolayer ‏على الأقل من طبقة أكسيد أحادية‎ . Substrate

   ‎Vo‏ ؟- الخلية الشمسية ‎solar cell‏ وفقًا لعنصر الحماية ‎Cua)‏ يتكون العازل ‎dielectric‏ الثاني من مجموعة من طبقات الأكسيد الأحادية ‎oxide monolayers‏ . ¢— الخلية الشمسية ‎solar cell‏ وفقًا لعنصر الحماية ‎٠‏ حيث يتكون العازل ‎dielectric‏ الأول من نيتريد سيليكون ‎silicon nitride‏ .

   ‎9٠١ ‏الثاني‎ dielectric ‏حيث يتكون العازل‎ ١ ‏وفقًا لعنصر الحماية‎ solar cell ‏الخلية الشمسية‎ -٠ . silicon dioxide ‏من ثاني أكسيد سيليكون‎ ‏حيث يتكون شبه الموصل المشوب‎ ١ ‏لعنصر الحماية‎ Lig solar cell ‏الخلية الشمسية‎ —1

   ‎semiconductor ©‏ 00080 من سيليكون متعدد مشوب ‎doped polysilicon‏ .

   ‏ب

   لا \ — “- الخلية الشمسية ‎Lag solar cell‏ لعنصر الحماية ‎١‏ حيث يتكون شبه الموصل المشوب ‎doped semiconductor‏ من سيليكون متعدد مشوب ‎doped polysilicon‏ بذرات ‎dase‏ ‏وسيليكون متعدد مشوب ‎doped polysilicon‏ بذرات سالبة. © م- الخلية الشمسية ‎dg solar cell‏ لعنصر الحماية ‎١‏ حيث يتكون السيليكون المتعدد المشوب ‎doped polysilicon‏ بذرات موجبة فوق العازل ‎dielectric‏ الأول بينما يتكون السيليكون المتعدد المشوب ‎doped polysilicon‏ بذرات سالبة فوق العازل ‎dielectric‏ الثانى. 4- الخلية الشمسية ‎dg solar cell‏ لعنصر الحماية ‎A‏ حيث تتكون ركيزة السيليكون ‎silicon‏ ‎Substrate ٠‏ من منطقة مشوية أولى تحت العازل ‎dielectric‏ الأول ومنطقة مشوية ثانية تحت العازل ‎dielectric‏ الثانى. ‎-٠‏ الخلية الشمسية ‎Lig 5018+ cell‏ لعنصر الحماية 9؛ حيث لا يقل معدل تركيز عامل الإشابة بين السيليكون المتعدد المشوب ‎doped polysilicon‏ بذرات موجبة والمنطقة المشوية ‎Yo‏ الأولى عن ‎Ae‏ ‎-١١‏ الخلية الشمسية ‎solar cell‏ وفقًا لعنصر الحماية ‎١‏ حيث يتكون شبه الموصل المشوب ‎doped semiconductor‏ _من سيليكون لا بلوري مشوب ‎doped amorphous silicon‏ . ‎-١" Yo‏ خلية شمسية ‎solar cell‏ تتألف من: عازل ‎Jol‏ يتم تكوينه فوق المنطقة المشوية الأولى من ركيزة السيليكون ‎silicon substrate‏ ؛ وعازل ثان يتكون فوق المنطقة المشوية الثانية من ركيزة السبليكون حيث يكون العازل ‎dielectric‏ ‏الأول من نوع مختلف عن العازل الثاني؛ وسيليكون متعدد مشوب ‎doped polysilicon‏ أول يتكون فوق العازل الأول؛ ‎YO‏ وسيليكون متعدد مشوب ثانٍ يتكون فوق العازل الثاني؛ ا

   ووصلة معدنية موجبة ‎metal‏ ©005107/6-1/0 تتكون فوق السيليكون المتعدد المشوب ‎doped‏ ‎polysilicon‏ الأول؛ و وصلة معدنية سالبة ‎Negative—type metal‏ تتكون فوق السيليكون المتعدد المشوب ‎doped‏ ‎polysilicon‏ الثاني. ‎o‏ ‎-١‏ الخلية الشمسية ‎cell‏ +5018 وفقًا لعنصر الحماية ‎VY‏ حيث يتكون العازل ‎dielectric‏ ‏الأول على الأقل من طبقة أكسيد أحادية ‎Oxide monolayer‏ ملامسة لركيزة السيليكون ‎silicon‏ ‎Substrate‏ . 0 ؟١-‏ الخلية الشمسية ‎cell‏ +5018 وفقًا لعنصر الحماية ‎VY‏ حيث يتكون العازل ‎dielectric‏ ‏الثانى من مجموعة من طبقات الأكسيد الأحادية ‎oxide monolayers‏ . ‎-١‏ الخلية الشمسية ‎Wig 5018+ cell‏ لعنصر الحماية ‎VY‏ حيث يتكون العازل ‎dielectric‏ ‏الأول من نيتريد سيليكون ‎silicon nitride‏ . ‎Vo‏ ‏7- الخلية الشمسية ‎cell‏ +5018 وفقًا لعنصر الحماية ‎VY‏ حيث يتكون العازل ‎dielectric‏ ‏الثانى من ثانى أكسيد سيليكون ‎silicon dioxide‏ . ‎-١١7‏ الخلية الشمسية ‎Lg solar cell‏ لعنصر الحماية ‎VY‏ حيث لا يقل معدل تركيز عامل ‎Ye‏ الإشابة بين السيليكون المتعدد المشوب ‎doped polysilicon‏ الأول والمنطقة المشوية الأولى عن ‎A‏ ‎da -٠8‏ شمسية ‎cell‏ +8ا50تتألف من: نيتريد سيليكون ‎silicon nitride‏ يتكون فوق المنطقة المشوية بذرات سالبة بركيزة السيليكون ‎silicon substrate Yo‏ ؛ ‎ogy‏

   -١4- ‏يتكون فوق المنطقة المشوية بذرات سالبة بركيزة‎ silicon dioxide ‏وثاني أكسيد سيليكون‎ ‏؛‎ silicon substrate ‏السيليكون‎ ‏بذرات موجبة يتكون فوق نيتريد السيليكون‎ 00060 polysilicon ‏وسيليكون متعدد مشوب‎ ‏؛‎ silicon dioxide ¢ silicon dioxide ‏وسيليكون متعدد مشوب بذرات سالبة يتكون فوق ثاني أكسيد السيليكون‎ ©

   ووصلة معدنية موجبة ‎positive—type metal‏ تتكون فوق منطقة السيليكون المتعدد المشوب ‎doped polysilicon‏ بذرات موجبة؛ و وصلة معدنية سالبة ‎Negative—type metal‏ تتكون فوق منطقة السيليكون المتعدد المشوب ‎doped polysilicon‏ بذرات سالبة.

   ٠١ ‏حيث لا يقل معدل تركيز عامل‎ VA ‏لعنصر الحماية‎ Gig solar cell ‏الخلية الشمسية‎ - ‏بذرات موجبة والمنطقة المشوية‎ doped polysilicon ‏الإشابة بين السيليكون المتعدد المشوب‎ .٠١ ‏بذرات موجبة عن‎

   ‎Vo‏ ١7؟-‏ الخلية الشمسية ‎Lag solar cell‏ لعنصر الحماية ‎OA‏ حيث يتكون نيتريد السيليكون ‎silicon 006‏ على الأقل من طبقة أكسيد أحادية ‎oxide monolayer‏ ملامسة لركيزة السيليكون ‎silicon substrate‏ .

   ‏بح

   وا يب 5 الت ل ا ‎ARS‏ ل ا ا سسا وا بس 0 0 اللاي يا اب 0 ل ب ري ‎Vow a‏ 8 اي 1 مضخ اد م ل و ا مت ضع ‎AOE Sole OVE cae‏ )0 جاو التي لالت ‎ad foie) 8‏ انان ‎IVE ad‏ اماج ‎TARA‏ ا كد ا ل ‎SRR Aisi Se SN i‏ ¥ ال 8 ‎RS‏ ‎Poy : 87 : z ETS SL‏ 3 5 فح ‎FA:‏ ل و لا ا > 8 ‎NY Nn‏ الح اتن لاح لاا : ل اله اسع الا ———— سس اسه ‎cs‏ ‎RRR‏ ااا ا ااا : اج 8 > : ا ‎X Bi Se‏ افع الل 1 ‎H Fi‏ اج 8 كت ا ‎REE ee Tan H Agr 3 RENE Laie ane‏ ‎a Hap 3 3‏ § وتيا 1 ‎Ea‏ الت ان حي ل ا لدت ا ل اميد حي دي م ل ا ا ل 8 5 ‎Nh Lee @ Lr bl‏ ل لوا ا ا ايها ا 1 ‎i Ae‏ ا 8 لدي ‎Re : Fhe 1 I TR Teed Refs OW‏ : ‎Sig ©‏ 8 و لماج اك 1 8 ‎A RR He‏ ل ‎EE‏ ‎+E‏ الي الوق ال ‎ss 0: con‏ اسن ‎١‏ ااا ‎xX‏ = 8 0 ا 5 1 ‎woo EE H PER‏ § 8ج ‎i Rosi i ET Tl OT CRE‏ ند 8 "م لد ‎RL CRO SR I Wr L104‏ وكير ‎ss ; 7 3 : SSSA CE I‏ 3 £ - ¥ ‎i‏ برخ ‎ga Goenka La‏ 5 : تست 0 : 5 ‎x 3 3‏ 3 3 اذ ‎R nr = 2 0 H y i 1 0 Wis 3 a akg‏ ‎J is‏ ا ‎lanai nis aniniehls > minnie‏ ‎So‏ ‎Eu‏ عي 3 ‎Bs‏ ل 0

   Ba on : 0: ‏محلا‎ 0 £3 = ‏ماكلا مو‎ ‏ا‎ * 3 EE 5) X ‏الحا‎ 1 3 Tey 3 ‏ا ذا ا‎ ‏س5 تتا‎ 0 EN 3 = te af? CE ‏ا ا‎ fa NC EN ‏اا رميات‎ ‏ا ب‎ ‏ا ا‎ an ae aan fev av aR ESSAY arta ‏ا‎

   ‎EN. : & ny Tm I. ‏م م‎ Ey AR 0 NAS SN CON 3 3 Es Body pela ‏عي‎ ‎PR aan HE 0 © 7 Lu ¥ ‏مااي‎ i 0 ‏ا‎ i TE 3 3 ‏ا سك‎ ‏ال‎ ‎E i ERIN oi NEY N £3 ay N HE HN J EE a 3 a ‏مي‎ ‎5 ‏ل 3 اليس‎ ‏ا‎ REE ‏؟‎ 85 N TR 8 8 ‏مي‎ ‎N EI i 3 3 3% a | aad oh Se Ni ke RE NE : ‏و وم يات‎ ‏لسن ...ا مح‎ : I ‏يه‎ ‎a ‏واي الام ا د ا‎ is Saar 1 ‏ا‎ : ‏ل ال‎ TE I rs ‏لف‎ Ss ‏خلس أ ا‎ SAR Len ‏سن لما‎ ‏لومي لني الي‎ 1 ype Ey = N RN Sh Reid a ‏اا‎ 8 ‏دالا الاين مام‎ ‏ا 4 “لمهي‎ 4 ‏ا الاي‎ ‏ا‎ ٍّ ‏ا ا ا المت‎ ‏ا ا‎ EES Via oy ‏ا لج‎ NN NAN a ¥ EN RR oS ‏مس مدا‎ La ANE ‏بي‎ RL ‏انع‎ ‏ال ل‎ 3 HE :

   EY . v wo 3 il EE SRE 3 0 ER ee SLE FET ROTC TORRICIT AN ior i mn ot oes oe, os SR SE Ax A EE EEE Exide ARE ‏جح‎ 8 3 Sot 1 ‏سي‎ ‎ol ‎Sy ‎2 0 SHE = 0 0 Voila = Void oh 3 ‏ااي 5 8 ا‎ 3 3 Thea 1 = 8 +: ER 3 ¥ooEd ob 1 ‏ال اح 13 ؟‎ - ¥ HE AE % BY NE Be ‏با‎ REE Ry & ad LER ‏ام فلي‎ ot

   0 ‏ات‎ ‎N 3 a N IE oi N nA N 5 } 3 3 8 % Fo ‏ل‎ iran meidinsana wanes: Sa BE Eo } : LT ‏ل‎ : ; N : Ho N : 1 N : 7 ‏وا‎ ‎N = > LE 3 § RRS ‏ب‎ pe ‏الم‎ 3 8 2 8 5 ‏م اميم‎ 4 0 1 Ng : 5 8 : 8 N : SR N ; 1 : N : LA Sider em Ck RE § : 5 ’ } : ‏ا‎ ‏ا‎ N ‏ا "م‎ ‏لح‎ § TO 1 ٍ ‏الا‎ 0 : Mi 0 ‏ا حل‎ ‏المت‎ ٠ : SHES 3- 8: ne N 8 5 1 ER a 3 : SN : 1 \ : NE N ; ‏ب"‎ ‎3 SRA § : be NE : 5 0 1 > 0 : 0 1 o 1 By \ | / N 3 } : a is 1 * ‏ل( لل(‎ NCR ek ‏سسا‎ RR TE = pars : Tey fey RICE ni, as fy EE, ae WR ah + ‏انه لا‎ Vay gat ‏إن‎ ‎$x 59 ‏الت‎ ‎1oty

   زمه اق ب« ينس سخا 3 £4 = = ّ ‎Kd 5‏ $3 خم 0 1 لوب ب 0 ‎EY = UF - 3‏ 3 ¢ اك ا ‎TF‏ مخ 1 8 ل + ب 3 الح 0 ‎a‏ واوا ا" اق 1 ‎fig o Ty i 3‏ 3 بت ‎EE‏ ‏اا اتا الا الا ا الا الا ‎ae‏ 2 ال ‎Se 0‏ { © لا ‎E>‏ ‏شل ‎kd Tr,‏ = ¥ : 1 3 اس ا سس ل ل & : 0 ‎iW 8 8 SE‏ ‎Sod‏ 3 ‎PERE‏ 1 8 8 % 1 عاج لات ‎Ce ١‏ 5 3 45 ام 8 8 1# مار ا حي لدي سد الاح لح ليت ‎Gn‏ لحن ال اي ال ل ‎SX‏ الع جب ‎RR‏ 1 8 = 8 ‎ER 8‏ = تلا اتا اتا ااا § § ‎Par &‏ ا ‎eo‏ ‏تمي £0 ‎he Ings.‏ 8 % ب 3 8 ‎i‏ بع ا ل ب ‎N‏ & ‎“a,‏ 0 ا 1 ل ‎Ad Le Le Wig N‏ § 3 1 5 ‎a : LR‏ اام ب الا 8 ‎RY oy Ey Ot { Land‏ 3 ال ا ا ‎ts‏ م عي ‎ot hs‏ ا 1 3 3 أ ‎a Sn SS i si‏ د ا ‎by‏ ‏¥ اد ا ‎ag‏ :0 حب ييا ‎BS Ss i‏ 7+ ب ا ا ا 0 ‎١ ER b‏ 3 ‎aa‏ ‏7 § اب ‎Re‏ 1 ‎fast‏ مح ب ‎ogy‏

   « ‎NALA‏ ‎bt i‏ 3 % ‎Ce we‏ ‎ELE Fede,‏ % ل : 0 ‎kd‏ . ‎ERE eu i TEX oe‏ ب ‎RRS > ERE‏ اق ب ا 0 ب" ال ل 8 ا ‎CRY x,‏ تت = 8 جد ب سا ا لس ‎N‏ مستا د م ا امسو الم ل ا : ‎dpasinasy‏ مس الاي ‎RI‏ لاوا ااا اا اا لاا ات اح سح ادا لات اللا اا اجاج ا ادا اق اي § ‎Toi,‏ ‎$d RAR‏ ااا ا § 4 ل ا ل الس ل ل : اللجححا ‎URE oO AN A NANA ER EE‏ ‎TRE . ery‏ 0 3 3 0 © \ ‎FO 3 X‏ 3 ‎i‏ اا أ ‎mn‏ 1 ‎TH |‏ ا رج 1 إ ص ا نح ٍِ ‎i dd {‏ 0 م ا 0 ‎td . 2‏ 2 ‎J‏ & 5 ‎ow ia‏ ‎1o¢y‏

   مدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب ‎TAT‏ الرياض 57؟؟١١‏ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: ‎patents @kacst.edu.sa‏