RU99118380A

RU99118380A - Полупроводниковое изделие

Info

Publication number: RU99118380A
Application number: RU99118380/28A
Authority: RU
Inventors: Юрий Максимович Белов
Original assignee: Юрий Максимович Белов
Filing date: 1999-08-30
Publication date: 2001-07-10

Claims

1. Полупроводниковое изделие, преимущественно для термоэлектрических устройств, выполненное из кристаллического материала типа A_VB_VI со слоистой структурой и имеющее две, по существу, параллельные плоскости и, по существу, перпендикулярную им замкнутую наружную поверхность, отличающееся тем, что оно снабжено охватывающим его армирующим поясом, имеющим внешнюю поверхность, являющуюся указанной наружной поверхностью изделия.

2. Полупроводниковое изделие по п.1, отличающееся тем, что указанный армирующий пояс образован несколькими слоями, по существу, эквидистантными указанной наружной поверхности изделия, по существу, на всем ее протяжении.

3. Полупроводниковое изделие по п.2, отличающееся тем, что, по меньшей мере, часть указанных слоев армирующего пояса изогнута, по меньшей мере, на части своего протяжения.

4. Полупроводниковое изделие по любому из пп.1-3, отличающееся тем, что указанный армирующий пояс выполнен из такого же кристаллического материала со слоистой структурой, что и остальная часть полупроводникового изделия.

5. Полупроводниковое изделие по п.4, отличающееся тем, что указанная внешняя поверхность указанного армирующего пояса получена в результате кристаллизации материала, из которого выполнен армирующий пояс, и, по меньшей мере частично, свободна от разрушающей обработки.

6. Полупроводниковое изделие по любому из пп.1-5, отличающееся тем, что оно снабжено, по меньшей мере одним, сквозным каналом, поверхность которого, по существу, перпендикулярна указанным параллельным плоскостям изделия, и указанный сквозной канал снабжен армирующим поясом, имеющим внешнюю поверхность, образующую указанную поверхность сквозного канала.

7. Полупроводниковое изделие по п.6, отличающееся тем, что указанный армирующий пояс указанного сквозного канала образован несколькими слоями, по существу, эквидистантными указанной поверхности сквозного канала, по существу, на всем ее протяжении.

8. Полупроводниковое изделие по п.7, отличающееся тем, что, по меньшей мере, часть указанных слоев армирующего пояса указанного сквозного канала изогнута, по меньшей мере, на части своего протяжения.

9. Полупроводниковое изделие по любому из пп.6-8, отличающееся тем, что указанный армирующий пояс указанного сквозного канала выполнен из такого же кристаллического материала, что и остальная часть полупроводникового изделия.

10. Полупроводниковое изделие по п.9, отличающееся тем, что указанная внешняя поверхность армирующего пояса указанного сквозного канала получена в результате кристаллизации материала, из которого выполнен армирующий пояс, и, по меньшей мере частично, свободна от разрушающей обработки.