RU99116589A - Энергонезависимое устройство памяти, устройство записи и способ записи - Google Patents

Энергонезависимое устройство памяти, устройство записи и способ записи

Info

Publication number
RU99116589A
RU99116589A RU99116589/28A RU99116589A RU99116589A RU 99116589 A RU99116589 A RU 99116589A RU 99116589/28 A RU99116589/28 A RU 99116589/28A RU 99116589 A RU99116589 A RU 99116589A RU 99116589 A RU99116589 A RU 99116589A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
data
memory device
volatile memory
control data
blocks
Prior art date
Application number
RU99116589/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2243588C2 (ru
Inventor
Кенити ИИДА
Нориюки КОГА
Ейити ЯМАДА
Мари СУГИУРА
Судзи ОБАЯСИ
Original Assignee
Сони Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP21263098A external-priority patent/JP4085478B2/ja
Application filed by Сони Корпорейшн filed Critical Сони Корпорейшн
Publication of RU99116589A publication Critical patent/RU99116589A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2243588C2 publication Critical patent/RU2243588C2/ru

Links

Claims (16)

1. Энергонезависимое устройство памяти, имеющее множество блоков, каждый из которых служит в качестве блока стирания данных и включает в себя множество соседних страниц, каждая из которых имеет фиксированную длину и служит в качестве блока считывания/записи данных, при этом область памяти энергонезависимого устройства памяти включает в себя область основных данных, включающую в себя любой из упомянутых блоков, включающих в себя множество соседних страниц, каждая из которых используется для записи идентификатора для различения основных данных и управляющих данных между собой и для записи основных данных, и область управляющих данных, включающую в себя любой из упомянутых блоков, включающих в себя множество соседних страниц, каждая из которых используется для записи идентификатора для различения основных данных и управляющих данных между собой и для записи управляющих данных, отображающих взаимосвязи между логическими адресами и физическими адресами, причем логические адреса присваиваются записанным в упомянутых блоках фрагментам данных, а физические адреса указывают на физический порядок расположения упомянутых блоков.
2. Энергонезависимое устройство памяти по п.1, отличающееся тем, что длина основных данных, находящихся в упомянутых страницах области основных данных, равна длине управляющих данных, находящихся в упомянутых страницах области управляющих данных.
3. Энергонезависимое устройство памяти по п.1, отличающееся тем, что управляющие данные представляют собой массив физических адресов, которые расположены в порядке, определяемом логическими адресами, которым соответствуют упомянутые физические адреса.
4. Энергонезависимое устройство памяти по п.1, отличающееся тем, что управляющие данные сохраняются в одном из упомянутых блоков в непосредственной близости от конца упомянутой области памяти энергонезависимого устройства памяти.
5. Энергонезависимое устройство памяти по п.1, отличающееся тем, что область хранения атрибутов в области памяти, содержащей управляющие данные, включает в себя атрибут, указывающий, что данные, хранящиеся в упомянутой области памяти, являются управляющими данными.
6. Энергонезависимое устройство памяти по п.1, отличающееся тем, что блок, из которого удалены данные, считается неиспользуемым блоком.
7. Энергонезависимое устройство памяти по п.6, отличающееся тем, что физическому адресу блока, являющегося неиспользуемым блоком, соответствует логический адрес, присвоенный упомянутому неиспользуемому блоку.
8. Энергонезависимое устройство памяти по п.6, отличающееся тем, что если новые данные записаны предположительно в занятый блок, в который уже были записаны старые данные, для замены упомянутых старых данных, то упомянутые новые данные записываются в неиспользованный блок, а старые данные удаляются из занятого блока.
9. Устройство записи для записи данных в энергонезависимое устройство памяти, имеющее множество блоков, каждый из которых служит в качестве блока стирания данных и включает в себя множество соседних страниц, каждая из которых имеет фиксированную длину и служит в качестве блока считывания/записи данных, при этом область памяти энергонезависимого устройства памяти включает в себя область основных данных, включающую в себя любой из упомянутых блоков, включающих в себя множество соседних страниц, каждая из которых используется для записи идентификатора для различения основных данных и управляющих данных между собой и для записи основных данных, и область управляющих данных, включающую в себя любой из упомянутых блоков, включающих в себя множество соседних страниц, каждая из которых используется для записи идентификатора для различения основных данных и управляющих данных между собой и для записи управляющих данных, отображающих взаимосвязи между логическими адресами и физическими адресами, причем логические адреса присваиваются записанным в упомянутых блоках фрагментам данных, а физические адреса указывают на физический порядок расположения упомянутых блоков, при этом упомянутое устройство включает в себя средство определения атрибутов для определения того, являются ли записываемые в энергонезависимое устройство памяти данные основными данными или управляющими данными, средство генерации идентификатора для генерации идентификатора, указывающего, являются ли записываемые в энергонезависимое устройство памяти данные основными данными или управляющими данными, в соответствии с результатом определения, выданным средством определения атрибутов, и средство управления памятью для синтезирования записываемых в энергонезависимое устройство памяти данных и идентификатора, выданного средством генерации идентификатора, и записи синтезированных данных в энергонезависимое устройство памяти.
10. Устройство записи по п.9, отличающееся тем, что дополнительно включает в себя локальное устройство памяти для временного хранения части управляющих данных, считанных из энергонезависимого устройства памяти.
11. Устройство записи по п.10, отличающееся тем, что величина упомянутой части управляющих данных, хранящихся в локальном устройстве памяти, достаточно велика для осуществления доступа к энергонезависимому устройству памяти.
12. Устройство записи по п.9, отличающееся тем, что дополнительно содержит средство поиска для поиска в энергонезависимом устройстве памяти одной из упомянутых страниц, которую считают неиспользуемой страницей, при этом, если первые данные, существующие в энергонезависимом устройстве памяти, заменяются вторыми данными, то средство поиска осуществляет поиск в энергонезависимом устройстве памяти неиспользуемой страницы, а затем средство управления памятью осуществляет запись вторых данных в упомянутую неиспользуемую страницу, найденную средством поиска, и удаляет первые данные.
13. Способ записи для записи данных в энергонезависимое устройство памяти, имеющее множество блоков, каждый из которых служит в качестве блока стирания данных и включает в себя множество соседних страниц, каждая из которых имеет фиксированную длину и служит в качестве блока считывания/записи данных, в котором область памяти энергонезависимого устройства памяти включает в себя область основных данных, включающую в себя любой из упомянутых блоков, включающих в себя множество соседних страниц, каждая из которых используется для записи идентификатора для различения основных данных и управляющих данных между собой и для записи основных данных, и область управляющих данных, включающую в себя любой из упомянутых блоков, включающих в себя множество упомянутых соседних страниц, каждая из которых используется для записи идентификатора для различения основных данных и управляющих данных между собой и для записи управляющих данных, отображающих взаимосвязи между логическими адресами и физическими адресами, причем логические адреса присваиваются записанным в упомянутых блоках фрагментам данных, а физические адреса указывают на физический порядок расположения упомянутых блоков, при этом упомянутый способ записи включает этапы определения атрибутов, при котором определяют, являются ли записываемые в энергонезависимое устройство памяти данные основными данными или управляющими данными, генерации идентификатора, при которой осуществляют генерацию идентификатора, указывающего, являются ли записываемые в энергонезависимое устройство памяти данные основными данными или управляющими данными, в соответствии с результатом, полученным на этапе определения атрибутов, и синтезирования записываемых в энергонезависимое устройство памяти данных и идентификатора, полученного на этапе генерации идентификатора, и записи синтезированных данных в энергонезависимое устройство памяти.
14. Способ записи по п.13, отличающийся тем, что используют локальное устройство памяти для временного хранения части управляющих данных, считанных из энергонезависимого устройства памяти.
15. Способ записи по п.14, отличающийся тем, что величина упомянутой части управляющих данных, хранящихся в локальном устройстве памяти, достаточно велика для осуществления доступа к энергонезависимому устройству памяти.
16. Способ записи по п.13, отличающийся тем, что первые данные, хранящиеся в энергонезависимом устройстве памяти, заменяют вторыми данными путем осуществления поиска в энергонезависимом устройстве памяти одной из указанных страниц, которая считается неиспользуемой страницей, и осуществления записи вторых данных в упомянутую неиспользуемую страницу, найденную при поиске, а первые данные удаляют.
RU99116589/28A 1998-07-28 1999-07-27 Энергонезависимое устройство памяти, устройство записи и способ записи RU2243588C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21263098A JP4085478B2 (ja) 1998-07-28 1998-07-28 記憶媒体及び電子機器システム
JPP10-212630 1998-07-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99116589A true RU99116589A (ru) 2001-07-10
RU2243588C2 RU2243588C2 (ru) 2004-12-27

Family

ID=16625856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99116589/28A RU2243588C2 (ru) 1998-07-28 1999-07-27 Энергонезависимое устройство памяти, устройство записи и способ записи

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6591328B1 (ru)
EP (1) EP0977121B1 (ru)
JP (1) JP4085478B2 (ru)
KR (1) KR100631887B1 (ru)
CN (1) CN1295706C (ru)
AT (1) ATE364205T1 (ru)
DE (1) DE69936246T2 (ru)
MY (1) MY121835A (ru)
RU (1) RU2243588C2 (ru)

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19980546B4 (de) * 1998-03-02 2011-01-27 Lexar Media, Inc., Fremont Flash-Speicherkarte mit erweiterter Betriebsmodus-Erkennung und benutzerfreundlichem Schnittstellensystem
KR100704998B1 (ko) 1999-02-26 2007-04-09 소니 가부시끼 가이샤 기록방법, 관리방법 및 기록장치
JP2001056760A (ja) * 1999-08-19 2001-02-27 Murata Mfg Co Ltd データ処理装置
US6426893B1 (en) 2000-02-17 2002-07-30 Sandisk Corporation Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
JP2001338497A (ja) * 2000-05-24 2001-12-07 Fujitsu Ltd メモリ試験方法
US7155559B1 (en) 2000-08-25 2006-12-26 Lexar Media, Inc. Flash memory architecture with separate storage of overhead and user data
US6763424B2 (en) 2001-01-19 2004-07-13 Sandisk Corporation Partial block data programming and reading operations in a non-volatile memory
US6772307B1 (en) * 2001-06-11 2004-08-03 Intel Corporation Firmware memory having multiple protected blocks
KR100877030B1 (ko) * 2001-07-25 2009-01-07 소니 가부시끼 가이샤 불휘발성 메모리 및 불휘발성 메모리의 데이터 재기록 방법
US6675276B2 (en) * 2001-11-13 2004-01-06 Eastman Kodak Company Method for providing extensible dos-fat system structures on one-time programmable media
AU2002366416A1 (en) * 2001-12-17 2003-06-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Communication station for inventorizing transponders by means of selectable memory areas of the transponders
US7277011B2 (en) * 2002-02-22 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Removable memory media with integral indicator light
CN100592270C (zh) * 2002-07-18 2010-02-24 夏普株式会社 图像处理装置
JP2004062554A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Oki Electric Ind Co Ltd フラッシュメモリの管理方法
EP1533702A4 (en) * 2002-08-29 2007-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR RECORDING DATA IN A FLASH MEMORY
US6901498B2 (en) * 2002-12-09 2005-05-31 Sandisk Corporation Zone boundary adjustment for defects in non-volatile memories
JP2005128771A (ja) * 2003-10-23 2005-05-19 Fujitsu Ltd データファイルシステム、データアクセスサーバ、およびデータアクセスプログラム
EP1704484A2 (en) * 2003-12-30 2006-09-27 SanDisk Corporation Non-volatile memory and method with non-sequential update block management
US7433993B2 (en) 2003-12-30 2008-10-07 San Disk Corportion Adaptive metablocks
US7383375B2 (en) 2003-12-30 2008-06-03 Sandisk Corporation Data run programming
US7139864B2 (en) 2003-12-30 2006-11-21 Sandisk Corporation Non-volatile memory and method with block management system
TW200523946A (en) * 2004-01-13 2005-07-16 Ali Corp Method for accessing a nonvolatile memory
US8271752B2 (en) 2004-03-12 2012-09-18 Lg Electronics, Inc. Recording medium, method and apparatus for recording on recordable recording medium, and method for managing backup files of the same
KR20060043573A (ko) 2004-03-12 2006-05-15 엘지전자 주식회사 기록매체 및 기록매체에의 기록방법 및 기록장치와 기록매체의 백업 파일 관리방법
JP2005285191A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Nec Electronics Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法
JP4182928B2 (ja) * 2004-07-07 2008-11-19 セイコーエプソン株式会社 情報処理装置、メモリ管理プログラムおよびメモリ管理方法
EP1630657A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-01 STMicroelectronics S.r.l. Embedded storage device with integrated data-management functions and storage system incorporating it
JP4192129B2 (ja) * 2004-09-13 2008-12-03 株式会社東芝 メモリ管理装置
US20060075183A1 (en) * 2004-10-06 2006-04-06 Phison Electronics Corp. [method of applying flash memory as buffer in electrical appliance]
US7480761B2 (en) * 2005-01-10 2009-01-20 Microsoft Corporation System and methods for an overlay disk and cache using portable flash memory
US7743417B2 (en) * 2005-02-28 2010-06-22 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Data storage device with code scanning capability
DE602005003778T2 (de) * 2005-03-08 2008-04-30 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Wiederbeschreiben eines Sektors mit Bootloader-Software in einem sektor-löschbaren nichtflüchtigen Halbleiterspeicher
US9384818B2 (en) 2005-04-21 2016-07-05 Violin Memory Memory power management
EP2383660B1 (en) 2005-04-21 2013-06-26 Violin Memory, Inc. Interconnection system
US8200887B2 (en) 2007-03-29 2012-06-12 Violin Memory, Inc. Memory management system and method
JP2007011522A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Hitachi Ltd データの消去方法、ストレージ・デバイス及び計算機システム
US7558804B1 (en) 2005-08-26 2009-07-07 American Megatrends, Inc. Method, apparatus, and computer-readable medium for space-efficient storage of variables in a non-volatile computer memory
US7631162B2 (en) 2005-10-27 2009-12-08 Sandisck Corporation Non-volatile memory with adaptive handling of data writes
US7509471B2 (en) 2005-10-27 2009-03-24 Sandisk Corporation Methods for adaptively handling data writes in non-volatile memories
KR100678926B1 (ko) * 2006-01-05 2007-02-06 삼성전자주식회사 로그 정보 관리 시스템 및 방법
FR2901035B1 (fr) * 2006-05-11 2008-07-11 St Microelectronics Sa Procede et dispositif de gestion d'une table de correspondance d'acces a une memoire
CN101115246B (zh) * 2006-07-25 2010-06-09 中兴通讯股份有限公司 一种移动终端的数据存储方法
KR100791325B1 (ko) * 2006-10-27 2008-01-03 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리를 관리하는 장치 및 방법
US20080189473A1 (en) * 2007-02-07 2008-08-07 Micron Technology, Inc Mlc selected multi-program for system management
US7657572B2 (en) * 2007-03-06 2010-02-02 Microsoft Corporation Selectively utilizing a plurality of disparate solid state storage locations
US9632870B2 (en) 2007-03-29 2017-04-25 Violin Memory, Inc. Memory system with multiple striping of raid groups and method for performing the same
US11010076B2 (en) 2007-03-29 2021-05-18 Violin Systems Llc Memory system with multiple striping of raid groups and method for performing the same
US7966518B2 (en) * 2007-05-15 2011-06-21 Sandisk Corporation Method for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table
US7958390B2 (en) * 2007-05-15 2011-06-07 Sandisk Corporation Memory device for repairing a neighborhood of rows in a memory array using a patch table
JP2008090870A (ja) * 2007-12-27 2008-04-17 Sony Corp 記憶媒体及び電子機器システム
KR101103110B1 (ko) * 2008-02-29 2012-01-04 가부시끼가이샤 도시바 메모리 시스템
JP2009211233A (ja) * 2008-03-01 2009-09-17 Toshiba Corp メモリシステム
CN101676882B (zh) * 2008-09-16 2013-01-16 美光科技公司 存储器装置的内嵌映射信息
US8732388B2 (en) 2008-09-16 2014-05-20 Micron Technology, Inc. Embedded mapping information for memory devices
US20100325351A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-23 Bennett Jon C R Memory system having persistent garbage collection
US8688894B2 (en) * 2009-09-03 2014-04-01 Pioneer Chip Technology Ltd. Page based management of flash storage
CN102012869B (zh) * 2009-09-04 2012-11-14 威刚科技股份有限公司 闪存储存系统的数据刻录方法
TWI407305B (zh) * 2010-01-20 2013-09-01 Silicon Motion Inc 快閃記憶體之資料存取方法以及快閃記憶體裝置
US9104546B2 (en) * 2010-05-24 2015-08-11 Silicon Motion Inc. Method for performing block management using dynamic threshold, and associated memory device and controller thereof
US9110702B2 (en) * 2010-06-02 2015-08-18 Microsoft Technology Licensing, Llc Virtual machine migration techniques
US20120246384A1 (en) * 2011-03-21 2012-09-27 Winbond Electronics Corp. Flash memory and flash memory accessing method
US20120297256A1 (en) * 2011-05-20 2012-11-22 Qualcomm Incorporated Large Ram Cache
FR2977047B1 (fr) * 2011-06-22 2013-08-16 Starchip Procede de gestion de l'endurance de memoires non volatiles.
JP5597666B2 (ja) * 2012-03-26 2014-10-01 株式会社東芝 半導体記憶装置、情報処理システムおよび制御方法
KR20150105323A (ko) * 2013-01-08 2015-09-16 바이올린 메모리 인코포레이티드 데이터 스토리지 방법 및 시스템
US10359937B2 (en) * 2013-12-20 2019-07-23 Sandisk Technologies Llc System and method of implementing a table storage support scheme
JP6083416B2 (ja) * 2014-06-12 2017-02-22 コニカミノルタ株式会社 ジョブ実行装置、プログラム、データ削除方法
US10114562B2 (en) 2014-09-16 2018-10-30 Sandisk Technologies Llc Adaptive block allocation in nonvolatile memory
JP2016071447A (ja) * 2014-09-26 2016-05-09 ラピスセミコンダクタ株式会社 不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶装置の制御方法
WO2016112957A1 (en) * 2015-01-13 2016-07-21 Hitachi Data Systems Engineering UK Limited Computer program product, method, apparatus and data storage system for managing defragmentation in file systems
US10296236B2 (en) * 2015-07-01 2019-05-21 Pure Storage, Inc. Offloading device management responsibilities from a storage device in an array of storage devices
US9817593B1 (en) 2016-07-11 2017-11-14 Sandisk Technologies Llc Block management in non-volatile memory system with non-blocking control sync system
RU2636107C1 (ru) * 2016-10-28 2017-11-20 Общество с ограниченной ответственностью "Лаборатория информационно-измерительной и преобразовательной техники" Способ записи данных на накопитель цифровой информации на базе flash-памяти типа nand
WO2018165957A1 (en) * 2017-03-16 2018-09-20 Microsoft Technology Licensing, Llc. Log-appended-structured storage management with byte-level accessibility
US20180349036A1 (en) * 2017-06-01 2018-12-06 Seagate Technology Llc Data Storage Map with Custom Map Attribute
DE102020120488A1 (de) 2019-12-20 2021-06-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Verfahren zur nachschlagtabellenfreien speicherreperatur
US11367500B2 (en) 2019-12-20 2022-06-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for LUT-free memory repair
US11500775B2 (en) 2021-02-24 2022-11-15 Macronix International Co., Ltd. File system management in memory device

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3978449A (en) * 1975-01-27 1976-08-31 Computer Transmission Corporation Method and apparatus for in-band signalling in data transmission
US4373179A (en) * 1978-06-26 1983-02-08 Fujitsu Limited Dynamic address translation system
US4755985A (en) * 1986-12-09 1988-07-05 Racal Data Communications Inc. Method and apparatus for facilitating moves and changes in a communication system
JPH03212884A (ja) * 1990-01-17 1991-09-18 Nec Corp 磁気ディスク装置
GB2251323B (en) * 1990-12-31 1994-10-12 Intel Corp Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory
JPH0736175B2 (ja) * 1991-10-11 1995-04-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション データ処理システムのシステム構成設定方法、データ処理システム、及びデータ処理システム用拡張ユニット
US5638537A (en) * 1993-01-29 1997-06-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Cache system with access mode determination for prioritizing accesses to cache memory
US5404485A (en) * 1993-03-08 1995-04-04 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash file system
US5524231A (en) * 1993-06-30 1996-06-04 Intel Corporation Nonvolatile memory card with an address table and an address translation logic for mapping out defective blocks within the memory card
DE4426094C2 (de) * 1994-07-22 1998-04-16 Siemens Nixdorf Inf Syst Datenreduktion für Buskoppler
JPH08137634A (ja) * 1994-11-09 1996-05-31 Mitsubishi Electric Corp フラッシュディスクカード
US5937193A (en) * 1996-11-27 1999-08-10 Vlsi Technology, Inc. Circuit arrangement for translating platform-independent instructions for execution on a hardware platform and method thereof
US6192504B1 (en) * 1997-05-14 2001-02-20 International Business Machines Corporation Methods and systems for functionally describing a digital hardware design and for converting a functional specification of same into a netlist
JP3044005B2 (ja) * 1997-05-29 2000-05-22 公一 柴山 データ格納制御方式
JP3072722B2 (ja) * 1997-06-20 2000-08-07 ソニー株式会社 フラッシュメモリを用いるデータ管理装置及びデータ管理方法並びにフラッシュメモリを用いる記憶媒体
US6188835B1 (en) * 1998-08-21 2001-02-13 Lsi Logic Corporation Optical disk system and method for storing data allowing playback of selected portions of recorded presentations
US6377500B1 (en) * 1999-11-11 2002-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system with a non-volatile memory, having address translating function

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU99116589A (ru) Энергонезависимое устройство памяти, устройство записи и способ записи
US6675281B1 (en) Distributed mapping scheme for mass storage system
CN101354681B (zh) 存储器系统、非易失性存储器的磨损均衡方法及装置
KR100631887B1 (ko) 비휘발성 메모리, 기록장치 및 기록방법
JP4967680B2 (ja) 記憶装置およびコンピュータシステム、並びに記憶装置の管理方法
RU2257609C2 (ru) Устройство доступа к полупроводниковой карте памяти, компьютерно-считываемый носитель записи, способ инициализации и полупроводниковая карта памяти
US8041887B2 (en) Memory device and control method thereof
JP5130646B2 (ja) 記憶装置
US5357475A (en) Method for detaching sectors in a flash EEPROM memory array
KR100871027B1 (ko) 데이터 기록 장치 및 플래시 메모리에 대한 데이터 기입방법
KR100453053B1 (ko) 플래쉬 메모리용 파일 시스템
US5337275A (en) Method for releasing space in flash EEPROM memory array to allow the storage of compressed data
US7752412B2 (en) Methods of managing file allocation table information
KR940022572A (ko) 일괄소거형 비휘발성 메모리
RU2000104741A (ru) Способ записи, способ управления и устройство для записи
KR19990063715A (ko) 메모리 시스템
JP2009199625A (ja) メモリカードおよびメモリカードの制御方法および不揮発性半導体メモリの制御方法
RU2001120348A (ru) Устройство доступа к полупроводниковой карте памяти, компьютерно-считываемый носитель записи, способ инициализации и полупроводниковая карта памяти
US20080082773A1 (en) Systems for Managing File Allocation Table Information
JP2006040264A (ja) メモリカードの制御方法および不揮発性半導体メモリの制御方法
JP2008090519A (ja) 記憶装置
RU99121838A (ru) Организация памяти компьютера
KR20080033464A (ko) 블록 관리를 가지는 비휘발성 메모리
KR100882740B1 (ko) 맵 히스토리 기반의 불휘발성 메모리의 매핑 방법 및 저장장치
KR100914646B1 (ko) 멀티-플레인 구조의 플래시 메모리 관리 방법