Claims (13)
1. Схемное устройство для питания электронной цепи нагрузки электрическим высоким напряжением, абсолютная величина которого больше величины снабжающего схемное устройство питающего напряжения (Vdd), которое имеет электрически соединенную с цепью нагрузки схему (2) накачки, которая на основе внутреннего коммутационного сигнала (3) с заданной частотой накачки выдает высокое напряжение на цепь нагрузки так, что получаемая цепью нагрузки электрическая мощность накачки схемы (2) накачки зависит, в основном, как от величины питающего напряжения (Vdd), так и от величины частоты накачки коммутационного сигнала (3) схемы (2) накачки, отличающееся тем, что схемное устройство имеет приданную схеме (2) накачки, снабжаемую, по меньшей мере, производным от питающего напряжения (Vdd) схемы (2) накачки напряжением электронную схему (4) управления, которая в зависимости от зависящего от величины питающего напряжения (Vdd) управляющего сигнала (5) выдает на схему (2) накачки коммутационный сигнал (3), который воздействует на частоту накачки для создания выдаваемого схемой (2) накачки высокого напряжения так, что величина частоты накачки коммутационного сигнала (3) изменяется обратно пропорционально величине питающего напряжения (Vdd).1. A circuit device for supplying an electronic load circuit with an electric high voltage, the absolute value of which is greater than the value supplying the circuit device with a supply voltage (V dd ), which has an pump circuit (2) electrically connected to the load circuit, which is based on an internal switching signal (3) with a given pump frequency produces a high voltage to the load circuit so that the electric pump power obtained by the load circuit of the pump circuit (2) depends mainly on the magnitude of the supply voltage (V dd), and from the switching signal of the pump frequency value (3) of the circuit (2) of the pump, characterized in that the circuit arrangement has imparted to the scheme (2) pump, is provided with at least derived from the supply voltage (V dd) voltage pumping circuit (2) an electronic control circuit (4) which, depending on the control signal (5) depending on the supply voltage (V dd ), issues a switching signal (3) to the pumping circuit (2), which affects the pump frequency for create generated by the circuit (2) pumping high voltage so that the magnitude of the pump frequency of the switching signal (3) varies inversely with the magnitude of the supply voltage (V dd ).
2. Схемное устройство по п. 1, отличающееся тем, что схема (2) накачки управляется с помощью управляющего сигнала (5) схемы (4) управления для выдачи, по меньшей мере, приблизительно постоянной мощности накачки на цепь нагрузки. 2. A circuit device according to claim 1, characterized in that the pump circuit (2) is controlled by a control signal (5) of the control circuit (4) to provide at least approximately constant pump power to the load circuit.
3. Схемное устройство по п. 1 или 2, отличающееся тем, что выдача мощности накачки схемой (2) накачки управляется с помощью схемы (4) управления в основном пропорционально произведению величины питающего напряжения (Vdd) и частоты накачки.3. A circuit device according to claim 1 or 2, characterized in that the output of the pump power by the pump circuit (2) is controlled by the control circuit (4) mainly in proportion to the product of the supply voltage (V dd ) and the pump frequency.
4. Схемное устройство по одному из пп. 1 - 3, отличающееся тем, что выдача мощности накачки схемой (2) накачки управляется с помощью схемы (4) управления в зависимости от величины питающего напряжения (Vdd) так, что частота накачки является обратно пропорциональной величине питающего напряжения (Vdd).4. The circuit device according to one of paragraphs. 1 - 3, characterized in that the output of the pump power by the pump circuit (2) is controlled by the control circuit (4) depending on the magnitude of the supply voltage (V dd ) so that the pump frequency is inversely proportional to the magnitude of the supply voltage (V dd ).
5. Схемное устройство по одному из пп. 1 - 4, отличающееся тем, что схема (4) управления для создания и выдачи коммутационного сигнала (3) имеет генераторный коммутационный контур (10), частота генератора которого управляется управляющим сигналом (5), находящимся на входе генераторного коммутационного контура (10). 5. The circuit device according to one of paragraphs. 1 - 4, characterized in that the control circuit (4) for creating and issuing the switching signal (3) has a generator switching circuit (10), the frequency of the generator of which is controlled by a control signal (5) located at the input of the generator switching circuit (10).
6. Схемное устройство по п. 5, отличающееся тем, что находящийся на входе генераторного коммутационного контура (10) управляющий сигнал (5) непосредственно выводится из величины питающего напряжения (Vdd).6. A circuit device according to claim 5, characterized in that the control signal (5) located at the input of the generator switching circuit (10) is directly derived from the supply voltage (V dd ).
7. Схемное устройство по п. 5 или 6, отличающееся тем, что генераторный коммутационный контур (10) имеет коммутационный контур в виде триггера Шмитта. 7. A circuit device according to claim 5 or 6, characterized in that the generator switching circuit (10) has a switching circuit in the form of a Schmitt trigger.
8. Схемное устройство по одному из пп. 5 - 7, отличающееся тем, что приданная схеме (2) накачки схема (4) управления имеет включенный после генераторного коммутационного контура (10) делитель (22) частоты, который подает два антисимметричных друг другу тактовых сигнала на оба входа (8, 9) накачки схемы (2) накачки. 8. The circuit device according to one of paragraphs. 5 - 7, characterized in that the control circuit (4) attached to the pump circuit (2) has a frequency divider (22) connected after the generator switching circuit (10), which supplies two clock signals antisymmetric to each other to both inputs (8, 9) pumping scheme (2) pumping.
9. Схемное устройство по одному из пп. 1 - 8, отличающееся тем, что схема (2) накачки имеет составленную из нескольких ступеней с конденсаторами (39, 40) и с работающими как диоды транзисторами (41) каскадную цепь, при этом ступени каскадной цепи так включены последовательно между выходом (1) высокого напряжения и питающим напряжением (Vdd), что работающие как диоды транзисторы (41) образуют последовательную цепь, которая соединенные с точками соединения работающих как диоды транзисторов (41) конденсаторы (39, 40) попеременно соединяет обращенными от работающих как диоды транзисторов (41) сторонами с обоими входами (8, 9) накачки, и что схема накачки имеет другой работающий как диод транзистор (42) с обратной связью, включенный между питающим напряжением (Vdd) и составленной из транзисторов (41) последовательной цепью и управляющий вход которого соединен с питающим напряжением (Vdd).9. The circuit device according to one of paragraphs. 1 - 8, characterized in that the pump circuit (2) has a cascade circuit composed of several stages with capacitors (39, 40) and with transistors (41) operating as diodes, while the stages of the cascade circuit are so connected in series between the output (1) high voltage and supply voltage (V dd ) that the transistors (41) acting as diodes form a series circuit, which capacitors (39, 40) connected to the connection points operating as transistor diodes (41) alternately connect the transistors (41) working as diodes ) side they with both inputs (8, 9) of the pump, and that the pump circuit has another diode-acting transistor (42) with feedback connected between the supply voltage (V dd ) and the series circuit composed of transistors (41) and the control input of which is connected with supply voltage (V dd ).
10. Схемное устройство по одному из пп. 1 - 9, отличающееся тем, что схемное устройство выполнено в целом интегрированно на полупроводниковой подложке. 10. The circuit device according to one of paragraphs. 1 to 9, characterized in that the circuit device is made generally integrated on a semiconductor substrate.
11. Схемное устройство по одному из пп. 1 - 10, отличающееся тем, что электронная цепь нагрузки имеет группу подлежащих программированию или стиранию ячеек памяти энергонезависимого электрически стираемого, программируемого полупроводникового запоминающего устройства. 11. The circuit device according to one of paragraphs. 1 to 10, characterized in that the electronic load circuit has a group of non-volatile electrically erasable, programmable semiconductor memory devices to be programmed or deleted memory cells.
12. Схемное устройство по одному из пп. 1 - 11, отличающееся тем, что величина управляющего сигнала (5) соответствует величине питающего напряжения (Vdd).12. The circuit device according to one of paragraphs. 1 to 11, characterized in that the magnitude of the control signal (5) corresponds to the magnitude of the supply voltage (V dd ).
13. Схемное устройство по одному из пп. 1 - 12, отличающееся тем, что величина высокого напряжения составляет, предпочтительно, примерно +18В или -12В, и величина питающего напряжения (Vdd) составляет, предпочтительно, примерно от +3В +10% до +5В ±10%.13. The circuit device according to one of paragraphs. 1 to 12, characterized in that the magnitude of the high voltage is preferably about + 18V or -12V, and the magnitude of the supply voltage (V dd ) is preferably about + 3V + 10% to + 5V ± 10%.