RU97117699A - METHOD FOR PRODUCING AN IMPLANT WITH ELECTRONIC PROPERTIES FOR OSTEOSYNTHESIS - Google Patents

METHOD FOR PRODUCING AN IMPLANT WITH ELECTRONIC PROPERTIES FOR OSTEOSYNTHESIS

Info

Publication number
RU97117699A
RU97117699A RU97117699/14A RU97117699A RU97117699A RU 97117699 A RU97117699 A RU 97117699A RU 97117699/14 A RU97117699/14 A RU 97117699/14A RU 97117699 A RU97117699 A RU 97117699A RU 97117699 A RU97117699 A RU 97117699A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate holder
implants
implant
bias current
potential
Prior art date
Application number
RU97117699/14A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2146112C1 (en
Inventor
В.Л. Ласка
В.П. Хомутов
Ю.А. Быстров
А.Е. Комлев
В.М. Литвинов
Д.Е. Тимофеев
Original Assignee
Товарищество с ограниченной ответственностью "МиТ" /Медицина и технология/
Filing date
Publication date
Application filed by Товарищество с ограниченной ответственностью "МиТ" /Медицина и технология/ filed Critical Товарищество с ограниченной ответственностью "МиТ" /Медицина и технология/
Priority to RU97117699A priority Critical patent/RU2146112C1/en
Priority claimed from RU97117699A external-priority patent/RU2146112C1/en
Publication of RU97117699A publication Critical patent/RU97117699A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2146112C1 publication Critical patent/RU2146112C1/en

Links

Claims (1)

Способ изготовления имлантата с электретными свойствами для остеосинтеза, заключающийся в осаждении покрытия из окиси тантала Та2О5 на проводящий (металлический) имплантат, который помещают в технологическую вакуумную камеру установки ионно-плазменного реактивного распыления, отличающийся тем, что на изолированный подложкодержатель (электрод) с имплантатами (подложками) в ходе технологического процесса поэтапно подают потенциал земли или положительный относительно земли потенциал смещения, измеряют ток в цепи подложкодержателя с имплантатами (ток смещения), а свойства наносимого покрытия Та2O5 обеспечивают на основе данных о характере изменения и величине тока смещения, причем технологический процесс выполняют в два последовательных этапа: 1 - после начала ионного распыления тантала в атмосфере аргона подают на подложкодержатель с имплантатами потенциал земли, производят напуск кислорода и увеличивают его парциальное давление в технологической вакуумной камере до величины, при которой начинает падать ток смещения в цепи подложкодержателя с имплантатами, что свидетельствует о начале образования на поверхности имплантата диэлектрического покрытия Та2O5, 2 - при уменьшении тока смещения в цепи подложкодержателя с имплантатами до 0,9 - 0,6 от его начальной величины на подложкодержатель с имплантатами подают положительный относительно земли потенциал смещения и производят стабилизацию во времени этого значения тока смещения путем увеличения положительного потенциала смещения, что обеспечивает образование на поверхности имплантата беспористого сплошного диэлектрического покрытия Та2O5, причем в период стабилизации значения тока смещения на подложкодержатель с имплантатами периодически подают потенциал земли, измеряют ток смещения в цепи подложкодержателя с имплантатами и момент прекращения падения тока смещения считают окончанием периода формирования на поверхности имплантата беспористого сплошного диэлектрического покрытия Та2O5, а продолжение процесса нанесения покрытия производят до достижения заданной его толщины.A method of manufacturing an implant with electret properties for osteosynthesis, which consists in the deposition of a coating of tantalum oxide Ta 2 O 5 on a conductive (metal) implant, which is placed in a technological vacuum chamber of an ion-plasma reactive spray installation, characterized in that on an insulated substrate holder (electrode) with implants (substrates) during the technological process, the ground potential or a bias potential positive relative to the ground is gradually supplied, the current in the substrate holder circuit is measured with mplantatami (bias current), and the properties of the coating Ta 2 O 5 on a basis of data about the nature of the change and the magnitude of the bias current, wherein the process is carried out in two successive stages: 1 - after the start of sputtering of tantalum in an argon atmosphere is supplied to the substrate holder with the implants potential of the earth, oxygen is injected and its partial pressure in the technological vacuum chamber is increased to a value at which the bias current begins to fall in the substrate holder circuit with implants, which idetelstvuet the beginning of the formation on the implant surface of the dielectric covering Ta 2 O 5, 2 - a decrease of the displacement current in the circuit substrate holder with implants to 0.9 - 0.6 of its initial value at the substrate holder implant serves a positive bias potential with respect to ground and produce a stabilizing in time this value by increasing the DC bias potential of the positive displacement, which ensures the formation at the implant surface nonporous solid dielectric covering Ta 2 O 5, wherein a stabilization period values on the substrate holder of the bias current with implants are periodically supplied ground potential, measured bias current in the circuit of the substrate holder with the implants and the time of termination of incidence of the bias current is considered end of the period of formation on the implant surface nonporous solid dielectric covering Ta 2 O 5, and the continuation of the coating process produce until its predetermined thickness is reached.
RU97117699A 1997-10-20 1997-10-20 Method of producing electret-property implant for osteosynthesis RU2146112C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97117699A RU2146112C1 (en) 1997-10-20 1997-10-20 Method of producing electret-property implant for osteosynthesis

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97117699A RU2146112C1 (en) 1997-10-20 1997-10-20 Method of producing electret-property implant for osteosynthesis

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97117699A true RU97117699A (en) 1999-08-10
RU2146112C1 RU2146112C1 (en) 2000-03-10

Family

ID=20198390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97117699A RU2146112C1 (en) 1997-10-20 1997-10-20 Method of producing electret-property implant for osteosynthesis

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2146112C1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2525958C1 (en) * 2013-01-10 2014-08-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН) Method of forming tantalum pentoxide on substrate of titanium or its alloys

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8948881B2 (en) Method for producing implantable electrode coatings with a plurality of morphologies
US7194315B1 (en) Coated electrode and method of making a coated electrode
US6309895B1 (en) Method for fabricating capacitor containing amorphous and polycrystalline ferroelectric films and method for forming amorphous ferroelectric film
EP1848495B1 (en) Method for fabrication of low-polarization implantable stimulation electrode
US5777438A (en) Apparatus for implanting metal ions in metals and ceramics
EP1176625B1 (en) Sputtering apparatus
KR970030381A (en) Improved method for forming aluminum contacts
IL153289A0 (en) Electrodes for electrolytic capacitors and method for producing them
RU97117699A (en) METHOD FOR PRODUCING AN IMPLANT WITH ELECTRONIC PROPERTIES FOR OSTEOSYNTHESIS
KR100485112B1 (en) Method of forming a thin film
EP1997930A1 (en) Method for producing a coating with improved adhesion
US6143144A (en) Method for etch rate enhancement by background oxygen control in a soft etch system
EP0665310B1 (en) Method of etching metal foil
US7541289B2 (en) Process for removing high stressed film using LF or HF bias power and capacitively coupled VHF source power with enhanced residue capture
TWI275655B (en) Sputter process and apparatus for the production of coatings with optimized internal stresses
JPH059710A (en) Production of aluminum electrode for electrolytic capacitor
JPH0461109A (en) Cathode material for electrolytic capacitor
EP1045409A3 (en) Electrodes for electrolytic capacitors and production process thereof
RU96124815A (en) METHOD FOR PRODUCING AN IMPLANT WITH ELECTRONIC PROPERTIES FOR OSTEOSYNTHESIS
US3575833A (en) Hafnium nitride film resistor
JP2734233B2 (en) Electrode materials for electrolytic capacitors
Mokwa et al. Sputtered iridium oxide for stimulation electrode coatings
SU1297104A1 (en) Method of manufacturing magnetic record medium
SU1724200A1 (en) Method for production ceramic-metal artificial dentures
JPH0330409A (en) Manufacture of aluminum electrode for electrolytic capacitor