RU97112114A - METHOD FOR ASSEMBLING PHOTO RECEPTION DEVICES - Google Patents

METHOD FOR ASSEMBLING PHOTO RECEPTION DEVICES

Info

Publication number
RU97112114A
RU97112114A RU97112114/25A RU97112114A RU97112114A RU 97112114 A RU97112114 A RU 97112114A RU 97112114/25 A RU97112114/25 A RU 97112114/25A RU 97112114 A RU97112114 A RU 97112114A RU 97112114 A RU97112114 A RU 97112114A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
indium
wetted
sublayer
followed
assembling
Prior art date
Application number
RU97112114/25A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2131632C1 (en
Inventor
В.Н. Овсюк
А.П. Савченко
О.И. Семенова
В.В. Шашкин
Original Assignee
Институт физики полупроводников СО РАН
Filing date
Publication date
Application filed by Институт физики полупроводников СО РАН filed Critical Институт физики полупроводников СО РАН
Priority to RU97112114A priority Critical patent/RU2131632C1/en
Priority claimed from RU97112114A external-priority patent/RU2131632C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU97112114A publication Critical patent/RU97112114A/en
Publication of RU2131632C1 publication Critical patent/RU2131632C1/en

Links

Claims (1)

Способ сборки фотоприемных устройств, включающий напыление индиевых столбов на полупроводниковые материалы с последующим соединением составляющих узлов сборки: матрицы фотоприемников и коммутатора, отличающийся тем, что перед напылением на элементы матрицы индия наносят подслой, состоящий из двух последовательно напыленных металлов: смачиваемого индием в центре отдельного элемента матрицы и несмачиваемого - на остальной части, затем выдерживают ее в течение 10 - 40 с в высокочастотном газовом разряде смеси газов: аргона и фреона-14, при парциальных давлениях 80 и 20 мторр соответственно и плотности мощности в разряде 0,06-0,20 Вт/см2, с последующим нагревом до 160 - 170oC, причем высоту столбов задают геометрическими размерами смачиваемого индием подслоя по формуле
h=S1•h1/S,
где S1 - исходная площадь основания столба;
h1 - его исходная высота;
S - площадь смачиваемого индием подслоя.
A method of assembling photodetectors, including spraying indium poles onto semiconductor materials, followed by connecting the constituent assembly nodes: photodetector arrays and a switch, characterized in that prior to sputtering on the matrix elements, indium is coated with a sublayer consisting of two sequentially sprayed metals: an individual element wetted by indium in the center matrix and non-wettable - on the rest, then maintain it for 10 - 40 s in a high-frequency gas discharge of a mixture of gases: argon and freon-14, at p arterial pressures of 80 and 20 mTorr, respectively, and power density in the discharge of 0.06-0.20 W / cm 2 , followed by heating to 160 - 170 o C, and the height of the columns is set by the geometric dimensions of the sublayer wetted by indium according to the formula
h = S 1 • h 1 / S,
where S 1 is the initial area of the base of the column;
h 1 is its initial height;
S is the area of the sublayer wetted by indium.
RU97112114A 1997-07-14 1997-07-14 Method for assembling photodetectors RU2131632C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97112114A RU2131632C1 (en) 1997-07-14 1997-07-14 Method for assembling photodetectors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97112114A RU2131632C1 (en) 1997-07-14 1997-07-14 Method for assembling photodetectors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97112114A true RU97112114A (en) 1999-06-10
RU2131632C1 RU2131632C1 (en) 1999-06-10

Family

ID=20195345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97112114A RU2131632C1 (en) 1997-07-14 1997-07-14 Method for assembling photodetectors

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2131632C1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2571436C1 (en) * 2014-10-20 2015-12-20 Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации Method for manufacturing indium microcontacts
RU2619362C1 (en) * 2016-07-19 2017-05-15 Акционерное общество "НПО "Орион" Method of assembling crystals of mfpa
RU2695277C1 (en) * 2019-02-12 2019-07-22 Общество С Ограниченной Ответственностью "Товарищество Энергетических И Электромобильных Проектов" Flexible photoelectric module manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69610633D1 (en) SATELLITE / CELLULAR TERMINAL WITH TWO OPERATING MODES
RU97112114A (en) METHOD FOR ASSEMBLING PHOTO RECEPTION DEVICES
CA2418361A1 (en) Wheeled platform for erectable canopy shelter
WO2002047114A3 (en) Membranous el system in uv-cured urethane envelope
USD473518S1 (en) Power column
JPS52124885A (en) Semiconductor light emitting device
CN110030516A (en) A kind of zoom PAR lamp and its implementation
WO2003067676A3 (en) Enhanced photo-emf sensor with high bandwidth and large field of view
RU97118094A (en) METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRIC HEATER
RU2131632C1 (en) Method for assembling photodetectors
NESNIDAL et al. Method and apparatus for optical reception
KUNIAKI et al. Semiconductor element electrode
Chown The alien spotters
RU93017241A (en) DIODE PHOTOPHARAGE CELL FOR MATRIX FPU
JPS5555579A (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
YOSHITOKU et al. Surface light-emitting type semiconductor laser device and manufacture thereof
RU94004974A (en) METHOD FOR PRODUCING SODIUM SALT 1-AMINO-1-CYANAMIDO-2,2-DICIANOETHYLENE
WANG Some Progress by China in the Area of Space Sciences
RU97122024A (en) CATODOLUMINESCENT SCREEN
SU643602A1 (en) Butt joint of composite reinforced concrete columns, cross-bars and intercolumn slabs
YASUMASA et al. Semiconductor light emitting element
JPS5420967A (en) Production of insoluble electrode
CA2201130A1 (en) Process for the preparation of 3,3,5-trichloroglutarimide
Taylor Aspirin's hundredth birthday
TAKASHI Quantum well type semiconductor laser