RU97110154A - Способ и устройство инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы (варианты), изделие, получаемое этим способом, устройство для подачи первого газа-реагента в печь для инфильтрации и осаждения из газовой фазы, и фрикционный диск - Google Patents

Claims (80)

1. Способ инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, включающий в себя частичное уплотнение пористой структуры в печи посредством инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы путем осаждения одной матрицы в пористой структуре, отличающийся тем, что осуществляют процесс инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления, при котором первую часть указанной пористой структуры подвергают воздействию более высокого давления, чем вторую часть пористой структуры, при этом указанная первая часть имеет более высокое приращение объемной плотности, чем вторая часть, а также последующее уплотнение указанной пористой структуры посредством осаждения другой матрицы в указанной пористой структуре посредством по меньшей мере одного дополнительного процесса уплотнения, при котором указанная вторая часть имеет более высокое приращение объемной плотности, чем указанная первая часть.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанный дополнительный процесс уплотнения представляет собой стандартный процесс инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанный дополнительный процесс уплотнения представляет собой процесс инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления, причем указанную вторую часть подвергают воздействию более высокого давления, чем указанную первую часть.

4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанный дополнительный процесс уплотнения представляет собой процесс пропитки смолой, предусматривающий обугливание указанной смолы.

5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что перед указанным последующим уплотнением пористой структуры посредством по меньшей мере одного дополнительного процесса уплотнения проводят термическую обработку указанной частично уплотненной пористой структуры при более высокой температуре, чем температура указанного процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления.

6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанная пористая структура представляет собой углеродную пористую структуру, а в указанном процессе инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления осаждают углеродную матрицу в указанной пористой структуре.

7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанная пористая структура выполнена кольцеобразной и имеет две, как правило, плоские противоположные поверхности, при этом указанная первая часть включает в себя одну из указанных двух противоположных поверхностей, а указанная вторая часть включает в себя другую из указанных двух противоположных поверхностей.

8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанная пористая структура выполнена кольцеобразной и имеет внутреннюю кольцевую поверхность и наружную кольцевую поверхность, при этом указанная первая часть включает в себя указанную внутреннюю кольцевую поверхность, а указанная вторая часть включает в себя указанную наружную кольцевую поверхность.

9. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанная пористая структура выполнена кольцеобразной и имеет внутреннюю кольцевую поверхность и наружную кольцевую поверхность, при этом указанная первая часть включает в себя указанную наружную кольцевую поверхность, а указанная вторая часть включает в себя указанную внутреннюю кольцевую поверхность.

10. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанная пористая структура выполнена кольцеобразной и имеет две, как правило, параллельные плоские поверхности, соединенные посредством внутренней кольцевой поверхности и наружной кольцевой поверхности, отстоящей от указанной внутренней кольцевой поверхности и окружающей ее, при этом указанная первая часть включает в себя указанную внутреннюю кольцевую поверхность и одну из указанных двух параллельных плоских поверхностей, а указанная вторая часть включает в себя указанную наружную кольцевую поверхность и другую из указанных двух параллельных плоских поверхностей.

11. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанная пористая структура выполнена кольцеобразной и имеет две параллельные плоские поверхности, соединенные посредством внутренней кольцевой поверхности и наружной кольцевой поверхности, отстоящей от указанной внутренней кольцевой поверхности и окружающей ее, при этом указанная первая часть включает в себя указанную наружную кольцевую поверхность и одну из указанных двух параллельных плоских поверхностей, а указанная вторая часть включает в себя указанную внутреннюю кольцевую поверхность и другую из указанных двух параллельных плоских поверхностей.

12. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после указанного процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления и перед указанным последующим уплотнением указанной пористой структуры проводят термическую обработку указанной пористой структуры при более высокой температуре, чем температура указанного процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления.

13. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после указанного процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления проводят термическую обработку указанной пористой структуры без извлечения ее из указанной печи.

14. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанная пористая структура представляет собой серию кольцеобразных волокнистых углеродных структур.

15. Способ по п. 1, отличающийся тем, что каждая кольцеобразная волокнистая углеродная структура имеет две плоские параллельные поверхности, при этом указанная первая часть включает в себя одну из указанных двух параллельных поверхностей, а указанная вторая часть включает в себя другую из указанных двух, как правило, параллельных поверхностей.

16. Способ по п. 1, отличающийся тем, что каждая кольцеобразная волокнистая углеродная структура имеет внутреннюю кольцевую поверхность и наружную кольцевую поверхность, при этом указанная первая часть включает в себя указанную внутреннюю кольцевую поверхность, а указанная вторая часть включает в себя указанную наружную кольцевую поверхность.

17. Способ по п. 1, отличающийся тем, что каждая кольцеобразная волокнистая углеродная структура имеет внутреннюю кольцевую поверхность и наружную кольцевую поверхность, при этом указанная первая часть включает в себя указанную наружную кольцевую поверхность, а указанная вторая часть включает в себя указанную внутреннюю кольцевую поверхность.

18. Способ по п. 14, отличающийся тем, что каждая кольцеобразная волокнистая углеродная структура имеет две параллельные плоские поверхности, соединенные посредством внутренней кольцевой поверхности и наружной кольцевой поверхности, отстоящей от указанной внутренней кольцевой поверхности и окружающей ее, при этом указанная первая часть включает в себя указанную внутреннюю кольцевую поверхность и одну из указанных двух параллельных плоских поверхностей, а указанная вторая часть включает в себя указанную наружную кольцевую поверхность и другую из указанных двух параллельных плоских поверхностей.

19. Способ по п. 14, отличающийся тем, что каждая кольцеобразная волокнистая углеродная структура имеет две параллельные плоские поверхности, соединенные посредством внутренней кольцевой поверхности и наружной кольцевой поверхности, отстоящей от указанной внутренней кольцевой поверхности и окружающей ее, при этом указанная первая часть включает в себя указанную наружную кольцевую поверхность и одну из указанных двух параллельных плоских поверхностей, а указанная вторая часть включает в себя указанную внутреннюю кольцевую поверхность и другую из указанных двух параллельных плоских поверхностей.

20. Способ по п. 14, отличающийся тем, что после указанного процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления и перед указанным последующим уплотнением указанной кольцеобразной волокнистой структуры проводят термическую обработку указанной кольцеобразной волокнистой структуры при более высокой температуре, чем температура указанного процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления.

21. Способ по п. 20, отличающийся тем, что после указанного процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления проводят термическую обработку указанной пористой структуры без извлечения ее из указанной печи.

22. Способ по пп. 1- 21, отличающийся тем, что проводят нагрев пористой углеродной структуры по меньшей мере до температуры 954,4^oС (1750^oF) и нагрев углеводородного газа-реагента по меньшей мере до температуры 899^oС (1650^oF), а частичное уплотнение указанной пористой углеродной структуры осуществляют с обеспечением прохождения указанного газа-реагента через указанную пористую углеродную структуру из первой ее части во вторую ее часть, при котором указанная первая часть имеет более высокое приращение объемной плотности, чем указанная вторая часть, при этом проводят также последующее уплотнение указанной пористой углеродной структуры путем осаждения второй матрицы в указанной пористой углеродной структуре посредством по меньшей мере одного дополнительного процесса уплотнения, при котором указанная вторая часть имеет более высокое приращение объемной плотности, чем указанная первая часть.

23. Способ по п. 22, отличающийся тем, что указанная вторая матрица является углеродной матрицей, а указанный дополнительный процесс уплотнения представляет собой стандартный процесс инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы.

24. Способ по п. 22, отличающийся тем, что указанный дополнительный процесс уплотнения включает в себя нагрев пористой углеродной структуры по меньшей мере до температуры 954,4^oС (1750^oF), нагрев углеводородного газа-реагента по меньшей мере до температуры 899^oС (1650^oF) и подачу указанного газа-реагента вокруг указанной пористой структуры.

25. Способ по п. 22, отличающийся тем, что после проведения частичного уплотнения указанной пористой углеродной структуры и перед указанным последующим ее уплотнением проводят дополнительную термическую обработку указанной пористой углеродной структуры по меньшей мере при температуре 1815^oС (3300^oF).

26. Способ по п. 25, отличающийся тем, что указанную термическую обработку указанной пористой структуры проводят после указанного процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления без извлечения указанной пористой углеродной структуры из указанной печи.

27. Изделие, получаемое с помощью способа по пп. 1-26.

28. Фрикционный диск, содержащий уплотненную кольцеобразную пористую структуру, имеющую осажденную на ней первую углеродную матрицу, отличающийся тем, что указанная пористая структура включает в себя вторую углеродную матрицу, осажденную на кольцеобразной пористой структуре поверх указанной первой углеродной матрицы, и имеет две, как правило, параллельные плоские поверхности, соединенные внутренней кольцевой поверхностью и наружной кольцевой поверхностью, отстоящей от внутренней кольцевой поверхности и окружающей ее, при этом первая кольцевая часть пористой структуры смежна указанной внутренней кольцевой поверхности, а вторая ее кольцевая часть смежна указанной наружной кольцевой поверхности, при этом указанные первая и вторая кольцевые части соединены указанными двумя параллельными плоскими поверхностями, и указанная вторая кольцевая часть содержит по меньшей мере на 10% меньше указанной первой углеродной матрицы на единицу объема, чем указанная первая кольцевая часть, причем указанные первая и вторая углеродные матрицы имеют по существу грубую слоистую микроструктуру, а указанная первая углеродная матрица выполнена более графитизированной, чем указанная вторая углеродная матрица.

29. Фрикционный диск по п. 28, отличающийся тем, что указанные первая и вторая углеродные матрицы, имеют по меньшей мере 90% грубой слоистой микроструктуры.

30. Фрикционный диск по п. 28, отличающийся тем, что указанная первая кольцевая часть имеет более высокую теплопроводность по направлению перпендикулярно указанным двум параллельным плоским поверхностям, чем указанная вторая кольцевая часть.

31. Фрикционный диск по п. 28, отличающийся тем, что указанная первая кольцевая часть имеет более высокую теплопроводность по направлению перпендикулярно указанным первой и второй кольцевым поверхностям, чем указанная вторая кольцевая часть.

32. Фрикционный диск по п. 28, отличающийся тем, что указанная первая кольцевая часть имеет более высокую объемную плотность раздавленных образцов, чем указанная вторая кольцевая часть.

33. Фрикционный диск по п. 28, отличающийся тем, что указанная первая кольцевая часть имеет на 0,2% более высокую объемную плотность раздавленных образцов, чем указанная вторая кольцевая часть.

34. Фрикционный диск по п. 28, отличающийся тем, что указанная первая углеродная матрица имеет более высокую теплопроводность, чем указанная вторая углеродная матрица.

35. Фрикционный диск по п. 28, отличающийся тем, что указанная первая углеродная матрица имеет более высокую плотность, чем указанная вторая углеродная матрица.

36. Фрикционный диск по п. 28, отличающийся тем, что указанная кольцеобразная пористая структура содержит углеродные волокна.

37. Фрикционный диск по п. 28, отличающийся тем, что указанная уплотненная кольцеобразная пористая структура содержит кольцеобразную волокнистую структуру.

38. Фрикционный диск по п. 28, отличающийся тем, что указанная уплотненная кольцеобразная пористая структура содержит кольцеобразную волокнистую структуру, имеющую углеродные волокна.

39. Фрикционный диск по п. 38, отличающийся тем, что указанная первая кольцевая часть имеет более высокую теплопроводность по направлению перпендикулярно к указанным двум параллельным плоским поверхностям, чем указанная вторая кольцевая часть.

40. Фрикционный диск по п. 38, отличающийся тем, что указанная первая кольцевая часть имеет более высокую теплопроводность по направлению перпендикулярно к указанным первой и второй кольцевым поверхностям, чем указанная вторая кольцевая часть.

41. Фрикционный диск по п. 38, отличающийся тем, что указанная первая кольцевая часть имеет более высокую объемную плотность раздавленных образцов, чем указанная вторая кольцевая часть.

42. Фрикционный диск по п. 28, отличающийся тем, что указанная уплотненная кольцеобразная пористая структура содержит кольцеобразную волокнистую структуру, имеющую только углеродные волокна.

43. Фрикционный диск по пп. 28-42, отличающийся тем, что теплопроводность, измеренная перпендикулярно к указанным двум противоположным поверхностям, и объемная плотность раздавленных образцов из указанной уплотненной кольцеобразной пористой структуры уменьшаются, как правило, в радиальном направлении от указанной внутренней кольцевой поверхности к указанной наружной кольцевой поверхности.

44. Фрикционный диск по п. 43, отличающийся тем, что указанная уплотненная кольцеобразная волокнистая структура содержит углеродные волокна.

45. Способ инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, осуществляемый в печи, включающий в себя введение газа-реагента в объем печи, в которой размещен герметичный подогреватель, отличающийся тем, что указанный газ-реагент подают во впускное отверстие подогревателя, выводят через выпускное отверстие подогревателя и рассеивают по меньшей мере через одну пористую структуру, расположенную в указанной печи, при этом способ включает в себя также нагрев указанной по меньшей мере одной пористой структуры, нагрев указанного герметичного подогревателя до температуры, которая больше температуры указанного газа-реагента, измерение температуры газа указанного газа-реагента вблизи указанного выпускного отверстия, регулирование указанной температуры подогревателя для достижения требуемой температуры газа и выпуск указанного газа-реагента из указанной печи.

46. Способ по п. 45, отличающийся тем, что указанная печь содержит стенку токоприемника, при этом способ дополнительно включает в себя нагрев указанной стенки токоприемника, излучение тепловой энергии от которой обеспечивает указанный нагрев герметичного подогревателя.

47. Способ по п. 45, отличающийся тем, что указанный герметичный подогреватель расположен в непосредственной близости от указанной стенки токоприемника.

48. Способ по п. 45, отличающийся тем, что указанная печь содержит стенку токоприемника, имеющую по меньшей мере первую и вторую части, и по меньшей мере первый и второй индукторы, первый из которых индуктивно связан с указанной первой частью стенки токоприемника с преобразованием электрической энергии от указанного первого индуктора в тепловую энергию в указанной первой части стенки токоприемника, а указанный второй индуктор индуктивно связан с указанной второй частью стенки токоприемника с преобразованием электрической энергии от указанного второго индуктора в тепловую энергию в указанной второй части стенки токоприемника, при этом указанный герметичный подогреватель расположен вблизи указанной первой части стенки токоприемника и нагрет до указанной температуры по меньшей мере частично посредством тепловой энергии излучения от указанной первой части стенки токоприемника, и при указанном регулировании температуры подогревателя осуществляют регулирование электрической мощности, подаваемой к указанному первому индуктору.

49. Способ по п. 45, отличающийся тем, что указанная печь содержит цилиндрическую стенку токоприемника, имеющую по меньшей мере первую и вторую части, и по меньшей мере первый и второй цилиндрические индукторы, первый из которых соосно расположен вокруг указанной первой части цилиндрической стенки токоприемника и индуктивно связан с ней с преобразованием электрической энергии от указанного первого цилиндрического индуктора в тепловую энергию в указанной первой части цилиндрической стенки токоприемника, а указанный второй цилиндрический индуктор соосно расположен вокруг указанной второй части цилиндрической стенки токоприемника и индуктивно связан с ней с преобразованием электрической энергии от указанного второго цилиндрического индуктора в тепловую энергию в указанной второй части цилиндрической стенки токоприемника, при этом указанный герметичный подогреватель выполнен цилиндрическим и расположен соосно в указанной первой части цилиндрической стенки токоприемника и в непосредственной близости к ней и нагрет до указанной температуры по меньшей мере частично посредством тепловой энергии излучения от указанной первой части цилиндрической стенки токоприемника, и при указанном регулировании температуры подогревателя осуществляют регулирование электрической мощности, подаваемой к указанному первому индуктору.

50. Способ по п. 45, отличающийся тем, что указанная печь содержит цилиндрическую стенку токоприемника, а указанный герметичный подогреватель имеет, как правило, дугообразный периметр и расположен в непосредственной близости от указанной цилиндрической стенки токоприемника.

51. Способ по п. 45, отличающийся тем, что указанный герметичный подогреватель нагревают с помощью электрической энергии резистивного нагревателя.

52. Способ по п. 45, отличающийся тем, что указанное выпускное отверстие подогревателя выполнено в виде набора перфораций.

53. Способ по п. 45, отличающийся тем, что указанная по меньшей мере одна пористая структура имеет первую и вторую части, а в способе дополнительно обеспечивают прохождение указанного газа-реагента через указанную по меньшей мере одну пористую структуру из указанной первой части в указанную вторую часть.

54. Способ по п. 53, отличающийся тем, что осуществляют осаждение указанным газом-реагентом углеродной матрицы, имеющей по существу грубую слоистую микроструктуру в указанной по меньшей мере одной пористой структуре.

55. Способ по п. 45, отличающийся тем, что указанная по меньшей мере одна пористая структура представляет собой углеродную пористую структуру, а указанный газ-реагент осаждает углеродную матрицу в указанной по меньшей мере одной пористой структуре.

56. Способ по п. 45, отличающийся тем, что указанная по меньшей мере одна пористая структура выполнена в виде серии кольцеобразных пористых структур, собранных в пакет, определяющий кольцеобразную пористую стенку, а в способе дополнительно осуществляют рассеивание указанного газа-реагента через указанную кольцеобразную пористую стенку посредством его подачи и выведения из указанной печи на противоположных сторонах указанной кольцеобразной пористой стенки.

57. Способ по п. 56, отличающийся тем, что указанный пакет кольцеобразных пористых структур имеет по меньшей мере одно кольцо, расположенное соосно между каждой парой смежных пористых структур, при этом большая часть площади поверхности каждой кольцеобразной пористой структуры свободна для воздействия указанного газа-реагента.

58. Способ по п. 56, отличающийся тем, что в указанном пакете выполнена закрытая полость, ограниченная указанной кольцеобразной пористой стенкой, а в способе дополнительно осуществляют подачу указанного газа-реагента из указанного выпускного отверстия подогревателя в указанную закрытую полость, уплотненную с указанным выпускным отверстием.

59. Способ инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, осуществляемый в печи, включающий в себя образование кольцеобразной пористой стенки, и подачу в указанную печь газа-реагента, несущего углерод, отличающийся тем, что указанная пористая стенка имеет закрытую полость и выполнена в виде пакета кольцеобразных волокнистых углеродных структур, при этом способ включает в себя уплотнение указанной кольцеобразной пористой стенки с герметичным подогревателем, имеющим впускное отверстие и выпускное отверстие, сообщающееся с указанной закрытой полостью стенки, подачу газа-реагента в указанное впускное отверстие и выпуск его через выпускное отверстие в указанную закрытую полость, нагрев указанной кольцеобразной пористой стенки, нагрев указанного подогревателя до температуры, которая больше температуры указанного газа-реагента в зоне указанного впускного отверстия подогревателя, измерение температуры указанного газа-реагента вблизи указанного выпускного отверстия подогревателя, регулирование указанной температуры подогревателя для достижения требуемой температуры газа и выпуск указанного газа-реагента из указанной печи из закрытой полости через противоположную боковую поверхность указанной кольцеобразной пористой стенки с обеспечением рассеивания указанного газа-реагента через указанную кольцеобразную пористую стенку.

60. Способ по п. 59, отличающийся тем, что указанная печь содержит стенку токоприемника, имеющую по меньшей мере первую и вторую части, и по меньшей мере первый и второй индукторы, первый из которых индуктивно связан с указанной первой частью стенки токоприемника с преобразованием электрической энергии от указанного первого индуктора в тепловую энергию в указанной первой части стенки токоприемника, а указанный второй индуктор индуктивно связан с указанной второй частью стенки токоприемника с преобразованием электрической энергии от указанного второго индуктора в тепловую энергию в указанной второй части стенки токоприемника, при этом указанный герметичный подогреватель расположен вблизи указанной первой части стенки токоприемника и нагрет до указанной температуры по меньшей мере частично посредством тепловой энергии излучения от указанной первой части стенки токоприемника, и при указанном регулировании температуры подогревателя осуществляют регулирование электрической мощности, подаваемой к указанному первому индуктору.

61. Способ по п. 59, отличающийся тем, что указанный газ-реагент осаждает углеродную матрицу, имеющую по существу грубую слоистую микроструктуру в указанной по меньшей мере одной пористой структуре.

62. Способ по п. 59, отличающийся тем, что указанный пакет кольцеобразных пористых структур имеет по меньшей мере одно кольцо, расположенное соосно между каждой парой смежных кольцеобразных волокнистых углеродных структур, при этом большая часть площади поверхности каждой кольцеобразной волокнистой углеродной структуры свободна для воздействия указанного газа-реагента.

63. Устройство инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, в частности для подачи первого газа-реагента в печь, содержащее первый магистральный газопровод для подачи первого газа-реагента, отличающееся тем, что оно включает в себя подводящие трубопроводы печи, сообщенные с указанными первым магистральным газопроводом и печью, первые расходомеры для измерения расхода первого газа-реагента через каждый подводящий трубопровод печи и первые регулирующие клапаны для регулирования расхода первого газа-реагента через каждый подводящий трубопровод печи.

64. Устройство по п. 63, отличающееся тем, что указанные первые расходомеры взаимодействуют с контроллером, управляющим указанными первыми регулирующими клапанами.

65. Устройство по п. 63, отличающееся тем, что каждый подводящий трубопровод печи содержит один первый расходомер, взаимодействующий с контроллером, и один первый регулирующий клапан, которым управляет указанный контроллер.

66. Устройство по п. 63, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит первый магистральный регулирующий клапан, расположенный в указанном первом магистральном газопроводе.

67. Устройство по п. 63, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит второй магистральный газопровод для подачи в печь второго газа-реагента, вторые расходомеры для измерения расход второго газа-реагента через каждый подводящий трубопровод печи и вторые регулирующие клапаны для регулирования расхода второго газа-реагента через каждый подводящий трубопровод печи.

68. Устройство инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, в частности для уплотнения большого количества пористых структур, содержащее печь, первый магистральный газопровод и вакуумный аппарат, сообщенные с объемом печи, отличающееся тем, что оно включает в себя подводящие трубопроводы печи, сообщенные с указанным первым магистральным газопроводом, а пористые структуры установлены в указанной печи в виде некоторого количества пакетов пористых структур, каждый из которых имеет закрытую полость, сообщенную с подводящим трубопроводом печи и уплотненную в указанном объеме печи с обеспечением подачи газа-реагента в каждую закрытую полость через указанный один подводящий трубопровод печи и рассеивания его через указанные пористые структуры перед выпуском из объема печи с помощью указанного вакуумного аппарата.

69. Устройство по п. 68, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит первый магистральный регулирующий клапан, расположенный в указанном первом магистральном газопроводе.

70. Устройство по п. 68, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит первые расходомеры для измерения расхода первого газа-реагента через каждый подводящий трубопровод печи и первые регулирующие клапаны для регулирования указанного расхода первого газа-реагента через каждый подводящий трубопровод печи.

71. Устройство по п. 69, отличающееся тем, что каждый подводящий трубопровод печи содержит один первый расходомер, взаимодействующий с контроллером, и один первый регулирующий клапан, которым управляет указанный контроллер.

72. Устройство по п. 69, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит второй магистральный газопровод для подачи второго газа-реагента, сообщенный с указанными подводящими трубопроводами печи.

73. Устройство по п. 69, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит вторые расходомеры для измерения расхода второго газа-реагента через каждый подводящий трубопровод печи и вторые регулирующие клапаны, для регулирования указанного расхода второго газа-реагента через каждый подводящий трубопровод печи.

74. Способ инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, в частности уплотнения путем инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, включающий в себя уплотнение первой пористой стенки в печи посредством инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления, отличающийся тем, что осуществляют рассеивание первого потока газа-реагента через указанную первую пористую стенку, уплотнение второй пористой стенки с помощью процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления посредством рассеивания второго потока газа-реагента через указанную вторую пористую стенку и независимое регулирование параметров первого потока газа-реагента и параметров второго потока газа-реагента.

75. Способ по п. 74, отличающийся тем, что он дополнительно включает в себя уплотнение по меньшей мере третьей пористой стенки с помощью процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления посредством рассеивания по меньшей мере третьего потока газа-реагента через указанную третью пористую стенку и независимое регулирование параметров указанного третьего потока газа-реагента.

76. Способ по п. 74, отличающийся тем, что дополнительно проводят измерение температуры первой пористой стенки и ее регулирование путем увеличения или уменьшения расхода первого потока газа-реагента.

77. Способ по п. 76, отличающийся тем, что дополнительно проводят измерение температуры второй пористой стенки и ее регулирование посредством увеличения или уменьшения расхода второго потока газа-реагента.

78. Способ по п. 74, отличающийся тем, что указанное уплотнение первой пористой стенки проводят путем воздействия на одну сторону первой пористой стенки указанным первым потоком газа-реагента при первом давлении и на ее противоположную сторону при вакуумном давлении, меньшем указанного первого давления, а указанное уплотнение второй пористой стенки проводят путем воздействия на одну сторону второй пористой стенки указанным вторым потоком газа-реагента при втором давлении и на ее противоположную сторону при вакуумном давлении, меньшем указанного второго давления.

79. Способ по п. 78, отличающийся тем, что дополнительно проводят измерение указанного первого давления и его регулирование путем увеличения или уменьшения расхода первого потока газа-реагента.

80. Способ по п. 79, отличающийся тем, что дополнительно проводят измерение указанного второго давления и его регулирование путем увеличения или уменьшения расхода второго потока газа-реагента.