RU97109306A - METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLINE FULLERENES - Google Patents

METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLINE FULLERENES

Info

Publication number
RU97109306A
RU97109306A RU97109306/25A RU97109306A RU97109306A RU 97109306 A RU97109306 A RU 97109306A RU 97109306/25 A RU97109306/25 A RU 97109306/25A RU 97109306 A RU97109306 A RU 97109306A RU 97109306 A RU97109306 A RU 97109306A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
zone
temperature
forming element
fullerene
fullerenes
Prior art date
Application number
RU97109306/25A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2135648C1 (en
Inventor
В.Ф. Мастеров
А.В. Приходько
О.И. Коньков
В.Ю. Давыдов
Original Assignee
Санкт-Петербургский государственный технический университет
Filing date
Publication date
Application filed by Санкт-Петербургский государственный технический университет filed Critical Санкт-Петербургский государственный технический университет
Priority to RU97109306A priority Critical patent/RU2135648C1/en
Priority claimed from RU97109306A external-priority patent/RU2135648C1/en
Publication of RU97109306A publication Critical patent/RU97109306A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2135648C1 publication Critical patent/RU2135648C1/en

Links

Claims (3)

1. Способ получения кристаллического фуллерена в термокамере, включающий возгонку фуллеренов путем их нагревания в зоне испарения до температуры, превышающей температуру зоны кристаллизации, и последующее повышение температуры зоны кристаллизации через регулярные интервалы времени, отличающийся тем, что в зоне кристаллизации дополнительно создают зону формовки, над которой располагают формирующий элемент с возможностью их одновременного перемещения со скоростью роста кристаллов, устанавливают температуру зоны формовки выше температуры зоны кристаллизации, создают положительный градиент температур на границе между зоной формовки и формирующим элементом, а возгонку фуллеренов в зоне испарения ведут при давлении насыщенных паров больше критического.1. A method of producing crystalline fullerene in a heat chamber, comprising sublimating the fullerenes by heating them in the evaporation zone to a temperature higher than the temperature of the crystallization zone, and then increasing the temperature of the crystallization zone at regular time intervals, characterized in that a molding zone is additionally created in the crystallization zone, above which have the forming element with the possibility of their simultaneous movement with the crystal growth rate, set the temperature of the molding zone above the temperature Atures of the crystallization zone create a positive temperature gradient at the boundary between the molding zone and the forming element, and the fullerenes are sublimated in the evaporation zone at a saturated vapor pressure higher than critical. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на формирующий элемент наносят материал с пониженной к фуллерену адгезией, например из аморфного углерода. 2. The method according to p. 1, characterized in that on the forming element is applied a material with reduced adhesion to fullerene, for example from amorphous carbon. 3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что на формирующий элемент одновременно наносят материал с повышенной к фуллерену адгезией, например из металла. 3. The method according to p. 1 or 2, characterized in that the forming element simultaneously apply material with increased adhesion to fullerene, for example from metal.
RU97109306A 1997-06-11 1997-06-11 Method of preparing crystalline fullerenes RU2135648C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97109306A RU2135648C1 (en) 1997-06-11 1997-06-11 Method of preparing crystalline fullerenes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97109306A RU2135648C1 (en) 1997-06-11 1997-06-11 Method of preparing crystalline fullerenes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97109306A true RU97109306A (en) 1999-05-27
RU2135648C1 RU2135648C1 (en) 1999-08-27

Family

ID=20193763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97109306A RU2135648C1 (en) 1997-06-11 1997-06-11 Method of preparing crystalline fullerenes

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2135648C1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD3291G2 (en) * 2006-03-02 2007-11-30 Государственный Университет Молд0 Process for obtaining fulleren layers
RU2442847C2 (en) * 2010-05-19 2012-02-20 Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (ИФТТ РАН) Method for producing extra-pure c60 fullerene crystals
RU2652206C1 (en) * 2016-11-10 2018-04-25 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский Центр "Карельский научный центр Российской академии наук" Method of carbon film obtaining

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69313584D1 (en) Process for the heat treatment of thermoplastic containers
DE50205751D1 (en) METHOD FOR PRODUCING TEMPERATURE REGULATING SURFACES WITH LATENT HEAT STORAGE MATERIAL
RU97109306A (en) METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLINE FULLERENES
ATE217368T1 (en) GROWING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTALS
DE69108599T2 (en) Process and device for the continuous production of sugar crystals.
ATE110031T1 (en) TREATMENT OF IMAGES WITH HOT-MELT INK.
JPS58197270A (en) Crucible for evaporating source
RU95111785A (en) Method of producing high-purity aluminium
JPH0139205B2 (en)
JPS6350393A (en) Growth method for sic single crystal
SU1541471A1 (en) Method of desublimating water vapors in product sublimation drying process
DE69411263T2 (en) METHOD AND DEVICE FOR FALLING CRYSTALS FROM A SOLUTION
JPS6487591A (en) Production of crucible for pulling up semiconductor
JPS57137463A (en) Vapor depositing method
JPS57152434A (en) Purifying method for metal
JPS61242988A (en) Molecular beam crystal growth of compound semiconductor mixed crystal
JPH0385462U (en)
JPS57196522A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6272113A (en) Molecular beam crystal growth device
RU93041471A (en) METHOD OF CULTIVATION OF CRYSTALS FROM THE VAPOR PHASE
JPH03187994A (en) Substrate holder in molecular beam vapor growth equipment
TOSHIO et al. Formation method of compound semiconductor layer
Shinagawa et al. Observations of heterogeneous nucleation of water vapor on a cold substrate
JPH0290662U (en)
JPS5827762Y2 (en) titanium sublimated body