Claims (3)
1. Комплементарная биполярная транзисторная структура интегральной схемы, содержащая биполярные п-р-п и р-п-р транзисторы, выполненные в многослойной полупроводниковой структуре на подложке р-типа проводимости и изолированные областями диэлектрика, проводники к областям эмиттера, базы и коллектора каждого транзистора присоединены к соответствующим областям и изолированы слоями диэлектрика, а область коллектора р-п-р транзистора отделена от подложки р-типа проводимости областью п-типа проводимости, отличающаяся тем, что проводники к областям эмиттера п-р-п транзистора и базы р-п-р транзистора сформированы из слоя поликристаллического кремния первого уровня, легированного донорной примесью, проводники к областям базы п-р-п транзистора и эмиттера р-п-р транзистора сформированы из слоя поликристаллического кремния второго уровня, легированного акцепторной примесью, области эмиттеров указанных транзисторов сформированы диффузией из легированных поликремниевых проводников к этим областям, проводники к областям коллекторов п-р-п и р-п-р транзисторов выполнены из металла и присоединены к соответствующим областям на дне сформированных в структуре углублений, при этом расстояния между проводниками к областям эмиттера и базы, и между проводниками к областям базы и коллектора каждого транзистора в месте присоединения проводников к соответствующим областям определены толщиной изолирующих проводников слоев диэлектрика.1. A complementary bipolar transistor structure of an integrated circuit containing bipolar p-p and p-p transistors made in a multilayer semiconductor structure on a p-type substrate and insulated with dielectric regions, conductors to the emitter, base and collector regions of each transistor connected to the corresponding regions and insulated by dielectric layers, and the collector region of the pnp transistor is separated from the p-type substrate by a p-type region of conductivity, characterized in that the conductors The regions of the emitter of the rpn transistor and the base of the rpn transistor are formed from a layer of polycrystalline silicon of the first level doped with a donor impurity, the conductors to the regions of the base of the rpn transistor and the emitter of the rp transistor are formed of a layer of polycrystalline silicon of the second level, doped with an acceptor impurity, the emitter regions of these transistors are formed by diffusion from doped polysilicon conductors to these regions, the conductors to the collector regions of the p-p and p-p transistors are made of metal and attached to the respective areas on the bottom of the recesses formed in the structure, the distance between the conductors to the emitter and base regions and between the conductors to the areas of the base and collector of each transistor in place of connection conductors to the respective areas defined thickness of the dielectric insulating layers of conductors.
2. Комплементарная биполярная транзисторная структура интегральной схемы по п. 1, отличающаяся тем, что в качестве легирующей донорной примеси слоя поликристаллического кремния первого уровня использован мышьяк, а в качестве легирующей акцепторной примеси слоя поликристаллического кремния второго уровня использован бор. 2. The complementary bipolar transistor structure of the integrated circuit according to claim 1, characterized in that arsenic is used as an alloying donor impurity of a layer of polycrystalline silicon and boron is used as an alloying acceptor impurity of a layer of polycrystalline silicon of the second level.
3. Комплементарная биполярная транзисторная структура интегральной схемы по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что в качестве металла из которого выполнены проводники к областям коллекторов транзисторов использован алюминий. 3. A complementary bipolar transistor structure of the integrated circuit according to claims 1 and 2, characterized in that aluminum is used as the metal of the conductors to the areas of the transistor collectors.