RU97100010A - Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона - Google Patents
Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсонаInfo
- Publication number
- RU97100010A RU97100010A RU97100010/25A RU97100010A RU97100010A RU 97100010 A RU97100010 A RU 97100010A RU 97100010/25 A RU97100010/25 A RU 97100010/25A RU 97100010 A RU97100010 A RU 97100010A RU 97100010 A RU97100010 A RU 97100010A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plates
- plane
- cut
- bicrystal
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000005712 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
Claims (1)
- Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода Джозефсона, заключающийся в том, что формируют бикристалл, из которого вырезают бикристаллическую подложку, после чего осуществляют шлифование, химико-механическое полирование поверхности подложки, напыление на подложку эпитаксиальной высокотемпературной сверхпроводящей пленки, контактных площадок, затем осуществляют фотолитографию высокотемпературной сверхпроводящей пленки и ее травление, отличающийся тем, что бикристалл выращивают из расплава лейкосапфира на двойную затравку, которую изготавливают из двух монокристаллических пластин треугольной формы, вырезанных из монокристаллического слитка лейкосапфира таким образом, что одна из поверхностей каждой из пластин совпадает сплоскостью, а другая - с
плоскостью, после чего на боковых поверхностях каждой из пластин выполняют срез, плоскость которого перпендикулярна
плоскости, а угол α между плоскостью среза и боковой поверхностью пластины составляет 18,4o или 14o или 11,3o, после чего плоскость среза каждой из пластин шлифуют, химико-механически полируют и соединяют пластины между собой плоскостями среза в держателе так, что
плоскости пластин параллельны, а угол между
плоскостями составляет 2α, затем двойную затравку помещают в вакуум или атмосферу инертного газа при температуре плавления лейкосапфира, вводят двойную затравку в соприкосновение с расплавом лейкосапфира так, что направления фронтов кристаллизаций совпадают с
направлениями кристаллических решеток пластин, производят последовательно наращивание бикристалла на двойную затравку, из которого после его охлаждения вырезают бикристаллическую подложку, ориентированнную по
плоскости, причем после химико-механического полирования на поверхность подложки наносят буферный слой, на который затем напыляют эпитаксиальную высокотемпературную сверхпроводящую пленку.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU97100010A RU2107358C1 (ru) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU97100010A RU2107358C1 (ru) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2107358C1 RU2107358C1 (ru) | 1998-03-20 |
| RU97100010A true RU97100010A (ru) | 1998-09-20 |
Family
ID=20188795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU97100010A RU2107358C1 (ru) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2107358C1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2550749C1 (ru) * | 2013-12-26 | 2015-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" | Способ формирования тонкопленочных микромостиков |
| CN113634900A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-11-12 | 上海理工大学 | 一种使用增材制造技术制备镍基合金定向双晶的方法 |
-
1997
- 1997-01-13 RU RU97100010A patent/RU2107358C1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5340435A (en) | Bonded wafer and method of manufacturing it | |
| EP0993048A3 (en) | Nitride semiconductor device and its manufacturing method | |
| WO1999058925A8 (en) | Cantilever with whisker-grown probe and method for producing thereof | |
| US20040075167A1 (en) | Thermoeletrical component and method for production thereof | |
| JPH06504881A (ja) | 超電導薄膜に結晶境界接合を生成して得られたデバイス及び生成するための方法 | |
| US5543630A (en) | High Tc superconducting devices on bi-crystal substrates | |
| EP0814509A3 (en) | Method for making a substrate structure with improved heat dissipation | |
| RU97100010A (ru) | Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона | |
| CA2084272A1 (en) | Method for manufacturing a josephson junction device having weak link of artificial grain boundary | |
| JP3580631B2 (ja) | 単結晶サファイア基板及び単結晶サファイアの分割方法及び単結晶サファイア体 | |
| EP0749154A3 (en) | Method of fabricating a III-V compound semiconductor layer | |
| US4692559A (en) | Thin GaAs solar cell structures | |
| Atwater et al. | Orientation selection by zone‐melting silicon films through planar constrictions | |
| RU96122195A (ru) | Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона | |
| JPH06295848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Forro et al. | Preparation and characterization of ultrathin Bi2Sr2CaCu2O8 single crystals | |
| EP0926784A3 (en) | Method of fabricating opto-electronic devices | |
| Steiner et al. | Insight into the genesis of irregularity during crystal growth achieved monochromatic high sensitivity monochromatic synchrotron x-radiation diffraction imaging (topography) | |
| JP2000317806A (ja) | マルチワイヤソーを用いた加工方法 | |
| RU2107358C1 (ru) | Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона | |
| Reno et al. | Transmission electron microscopy study of CdTe (111) grown on GaAs (100) by molecular‐beam epitaxy | |
| JPH05299362A (ja) | 半導体素子用ウエハ及び半導体素子の製造方法 | |
| JPH0668728A (ja) | 超電導線の製造方法 | |
| JPH0453123A (ja) | 半導体膜の製造方法 | |
| YVAN et al. | Method for the epitaxial growth of a semiconductor structure |