Claims (13)
1. Способ обнаружения ионизирующего излучения посредством дозиметра, который включает в себя полевой МОП-транзистор (10), снабженный плавающим затвором (13), отличающийся тем, что ионизирующему излучению обеспечивается возможность оказывать воздействие на поверхность плавающего затвора (13) полевого МОП-транзистора (10) через открытое воздушное или газовое пространство либо через закрытое воздушное или газовое пространство (24), при этом на поверхности затвора имеется незакрытый участок (17) или участок, закрытый проводником, полупроводником или тонким изолятором.1. A method for detecting ionizing radiation through a dosimeter that includes a MOSFET (10) equipped with a floating gate (13), characterized in that the ionizing radiation is able to affect the surface of the floating gate (13) of the MOSFET ( 10) through open air or gas space or through closed air or gas space (24), while on the shutter surface there is an unclosed section (17) or a section closed by a conductor, semiconductor and whether a thin insulator.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что ионизирующему излучению обеспечивается возможность оказывать воздействие на незакрытый плавающий затвор (13) полевого МОП-транзистора (10) через твердую пластинку (19) или другой материал стенки (21). 2. The method according to p. 1, characterized in that the ionizing radiation is provided with the opportunity to influence the open floating gate (13) of the MOSFET (10) through a solid plate (19) or other wall material (21).
3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что электроны или ионы, которые образуются в открытом или закрытом воздушном или газовом пространстве (24), собираются на плавающем затворе (13) посредством воздействия электрического поля, которое окружает затвор после его первоначальной зарядки до соответствующего потенциала. 3. The method according to p. 1 or 2, characterized in that the electrons or ions that are formed in open or closed air or gas space (24) are collected on a floating shutter (13) by the action of an electric field that surrounds the shutter after its initial charging to the appropriate potential.
4. Способ по п. 1, 2 или 3, отличающийся тем, что энергетическая характеристика детектора определяется выбором соответствующего газа, подлежащего использованию в газовом пространстве (24), давления газа и материала стенки (21), окружающей газовое пространство. 4. The method according to p. 1, 2 or 3, characterized in that the energy characteristic of the detector is determined by the choice of the corresponding gas to be used in the gas space (24), gas pressure and wall material (21) surrounding the gas space.
5. Способ по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что объем газа в газовом пространстве (24), давление газа и материал окружающей стенки (21) выбирают таким образом, чтобы они оказались эквивалентными ткани, и в этом случае дозиметрическая характеристика детектора близко согласуется с характеристической человеческой ткани. 5. The method according to any one of paragraphs. 1-4, characterized in that the volume of gas in the gas space (24), the gas pressure and the material of the surrounding wall (21) are chosen so that they are equivalent to the tissue, in which case the dosimetric characteristic of the detector is closely consistent with the characteristic of human tissue.
6. Детектор ионизирующего излучения, в частности дозиметр, содержащий полевой МОП-транзистор (10), снабженный плавающим затвором (13), отличающийся тем, что по меньшей мере часть поверхности плавающего затвора (13) полевого МОП-транзистора (10) не закрывается или закрывается проводником, полупроводником или тонким слоем изолятора, при этом поверхность плавающего затвора располагают в открытом воздушном или газовом пространстве, либо в закрытом воздушном или газовом пространстве (24). 6. An ionizing radiation detector, in particular a dosimeter comprising a MOSFET (10) equipped with a floating gate (13), characterized in that at least part of the surface of the floating gate (13) of the MOSFET (10) does not close or it is closed by a conductor, semiconductor or a thin layer of insulator, while the surface of the floating shutter is located in an open air or gas space, or in a closed air or gas space (24).
7. Дозиметр по п. 6, отличающийся тем, что перед закрытой поверхностью плавающего затвора (13) полевого МОП-транзистора (10) находится по меньшей мере одна жесткая пластинка (19) или стенка (21) корпуса (20). 7. Dosimeter according to claim 6, characterized in that at least one rigid plate (19) or wall (21) of the housing (20) is located in front of the closed surface of the floating gate (13) of the MOSFET (10).
8. Дозиметр по п. 6 или 7, отличающийся тем, что дозиметр располагают в корпусе (20), к стенке (21) которого прикреплены соединители (28, 29), прикрепленные к истоковой области (11) и стоковой области (12) полевого МОП-транзистора (10). 8. The dosimeter according to claim 6 or 7, characterized in that the dosimeter is located in the housing (20), to the wall (21) of which the connectors (28, 29) are attached, attached to the source region (11) and the drain region (12) of the field MOSFET (10).
9. Дозиметр по п. 8, отличающийся тем, что он содержит в себе устройство считывания излучения (30) с соединителями (32, 33), к которым можно подсоединять соответствующие соединители (28, 29) дозиметра, предназначенное для считывания заряда на плавающем затворе (13) полевого МОП-транзистора (10). 9. The dosimeter according to claim 8, characterized in that it comprises a radiation reader (30) with connectors (32, 33), to which the corresponding connectors (28, 29) of the dosimeter can be connected, designed to read the charge on a floating gate (13) MOSFET (10).
10. Дозиметр по п. 6 или 7, отличающийся тем, что он содержит в себе полевой МОП-транзистор (10) и электронный блок измерения (36), предназначенный для считывания заряда на плавающем затворе (13). 10. The dosimeter according to claim 6 or 7, characterized in that it comprises a MOSFET (10) and an electronic measurement unit (36), designed to read the charge on a floating gate (13).
11. Использование полевого МОП-транзистора (10) для обнаружения ионизирующего излучения, отличающееся тем, что на плавающем затворе (13) полевого МОП-транзистора (10) образуется заряд, причем заряд измеряется из-за действия ионизирующего излучения, которому подвергается транзистор, а доза излучения определяется по изменению заряда на затворе. 11. The use of a MOSFET (10) for detecting ionizing radiation, characterized in that a charge is generated on the floating gate (13) of the MOSFET (10), the charge being measured due to the action of the ionizing radiation to which the transistor is subjected, and radiation dose is determined by the change in charge on the shutter.
12. Использование полевого МОП-транзистора (10) по п. 11, отличающееся тем, что заряд на плавающем затворе (13) полевого МОП-транзистора (10) образуется посредством подачи напряжения между истоковой областью (11) и стоковой областью (12), после чего ионизирующему излучению обеспечивается возможность оказывать действие на незакрытый участок (17) плавающего затвора или участок, закрытый проводником, полупроводником или тонким изолятором, а доза излучения определяется изменением заряда на затворе. 12. The use of a MOSFET (10) according to claim 11, characterized in that the charge on the floating gate (13) of the MOSFET (10) is formed by supplying voltage between the source region (11) and the drain region (12), whereupon the ionizing radiation is provided with the opportunity to exert an effect on the uncovered portion (17) of the floating gate or the portion closed by a conductor, semiconductor or thin insulator, and the radiation dose is determined by a change in the charge on the gate.
13. Использование полевого МОП-транзистора (10) по п. 11 или 12, отличающееся тем, что заряд на плавающем затворе (13) измеряется посредством приложения соответствующего напряжения между истоковой областью (11) и стоковой областью (12) и посредством измерения получающегося тока, а изменение заряда на плавающем затворе, пропорциональное дозе излучения, измеряется посредством сравнения тока, измеряемого после воздействия излучения с исходным током. 13. The use of a MOSFET (10) according to claim 11 or 12, characterized in that the charge on the floating gate (13) is measured by applying the appropriate voltage between the source region (11) and the drain region (12) and by measuring the resulting current and the change in charge on a floating gate, proportional to the radiation dose, is measured by comparing the current measured after exposure to radiation with the original current.